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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー sicプログラム可能 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F4G08ABAEAH4:E TR Micron Technology Inc. mt29f4g08abaeah4：e tr 4.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MTFC8GLDDQ-4M IT Micron Technology Inc. mtfc8glddq-4m it -
RFQ
 ECAD 1441 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc8 フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
EMFB232A1MA-DV-F-D Micron Technology Inc. EMFB232A1MA-DV-FD -
RFQ
 ECAD 5661 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ EMFB232 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,680
MT58L64L32PT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L32PT-7.5 6.3000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L64L32 sram 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 2mbit 4 ns sram 64k x 32 平行 -
MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 AAT：H TR -
RFQ
 ECAD 8765 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 AIT：K Tr 7.2100
RFQ
 ECAD 517 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT40A2G4SA-062E:E Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-062E：e 10.1850
RFQ
 ECAD 3327 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 2g x 4 平行 -
MT47H128M8CF-3 AIT:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3 AIT：H TR -
RFQ
 ECAD 7597 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT41K2G4RKB-107:N TR Micron Technology Inc. MT41K2G4RKB-107：N TR -
RFQ
 ECAD 4898 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K2G4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 2g x 4 平行 -
MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-5M：b -
RFQ
 ECAD 8202 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT29F64G08AEAAAC5-IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AEAAAC5-IT：TR -
RFQ
 ECAD 1961年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 52-VLGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 確認されていません 2.7V〜3.6V 52-VLGA（18x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-5それ：b -
RFQ
 ECAD 7759 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-wfbga MT46H128M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 4gbit 5 ns ドラム 128m x 32 平行 15ns
M58LT128HST8ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT128HST8ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 8221 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 80-lbga M58LT128 フラッシュ - 1.7V〜2V 80-lbga （10x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
MT46V32M16CV-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CV-5B：J TR -
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0024 2,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D Micron Technology Inc. MT29F256G08CKEDBJ5-12：d -
RFQ
 ECAD 6096 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT28F004B5VP-8 T TR Micron Technology Inc. MT28F004B5VP-8 T TR -
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F004B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 40-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512k x 8 平行 80ns
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G080808ABAFAH4-AITES：F Tr -
RFQ
 ECAD 5380 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT28EW128ABA1LPN-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW128ABA1LPN-0SIT -
RFQ
 ECAD 3303 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA MT28EW128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 不揮発性 128mbit 95 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 60ns
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G01ABBFDWB-IT：F Tr 3.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn MT29F1G01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 8-updfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 1g x 1 spi -
MT25QL128ABB8E12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABB8E12-0AUT TR -
RFQ
 ECAD 9485 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
M29F200FT55M3F2 TR Micron Technology Inc. M29F200FT55M3F2 TR -
RFQ
 ECAD 9173 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F200 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 2mbit 55 ns フラッシュ 256K x 8、128K x 16 平行 55ns
MT47H128M8B7-37E:A TR Micron Technology Inc. MT47H128M8B7-37E：TR -
RFQ
 ECAD 4920 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 267 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT29F3T08EQHBBG2-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EQHBBG2-3R：B TR -
RFQ
 ECAD 7547 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F3T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 272-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 3tbit フラッシュ 384g x 8 平行 -
PC28F256P30BFR Micron Technology Inc. PC28F256P30BFR -
RFQ
 ECAD 6794 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 100ns
MT47H64M16NF-25E AAT:M Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E AAT：M 4.3884
RFQ
 ECAD 5654 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,368 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFJ4-3T：TR -
RFQ
 ECAD 7205 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT29F512G08EBHAFJ4-3T：ATR 廃止 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT28F128J3FS-12 MET TR Micron Technology Inc. MT28F128J3FS-12 MET TR -
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F128J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128mbit 120 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 -
MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C -
RFQ
 ECAD 4428 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 mt29vzzzad8 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,520
NAND01GR3B2CZA6E Micron Technology Inc. NAND01GR3B2CZA6E -
RFQ
 ECAD 6641 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA NAND01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9.5x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND01GR3B2CZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 1gbit 25 ns フラッシュ 128m x 8 平行 25ns
MT48LC16M16A2TG-7E L:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2TG-7E L：d -
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 ECAD 7086 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 14ns
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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