SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046 WT：B TR 11.6400
RFQ
 ECAD 9792 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 557-MT53E256M32D2FW-046WT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 256m x 32 平行 18ns
MT53E2G32D4DE-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 WT：c 42.4500
RFQ
 ECAD 7309 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 557-MT53E2G32D4DE-046WT：c 1 2.133 GHz 揮発性 64gbit 3.5 ns ドラム 2g x 32 平行 18ns
MT29F1T08EBLCEJ4-ES:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCEJ4-ES：c -
RFQ
 ECAD 6774 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES：c 1
M29F200FT55N3F2 TR Micron Technology Inc. M29F200FT55N3F2 TR -
RFQ
 ECAD 7685 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F200 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 2mbit 55 ns フラッシュ 256K x 8、128K x 16 平行 55ns
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHAFJ4-3TES：a -
RFQ
 ECAD 8138 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B Micron Technology Inc. MT53B512M32D2GZ-062 AIT：b -
RFQ
 ECAD 1767 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （11x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT41K256M16RE-15E IT:D Micron Technology Inc. MT41K256M16RE-15E IT：d -
RFQ
 ECAD 3674 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 4gbit 13.5 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-IT：E TR 3.2000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
MT47H64M16HR-25 IT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25 IT：h -
RFQ
 ECAD 6348 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT29F8T08EWLCEM5-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLCEM5-QJ：c 242.1750
RFQ
 ECAD 9688 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F8T08EWLCEM5-QJ：c 1
MT28GU256AAA2EGC-0SIT Micron Technology Inc. MT28GU256AAA2EGC-0SIT -
RFQ
 ECAD 5204 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA MT28GU256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA （10x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 32m x 8 平行 -
MT62F768M64D4EK-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AIT：B TR 43.5300
RFQ
 ECAD 3305 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 441-TFBGA MT62F768 SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F768M64D4EK-023AIT：BTR 1,500 3.2 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 平行 -
MT53E512M64D2HJ-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D2HJ-046 WT：B TR 26.1150
RFQ
 ECAD 4853 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 556-TFBGA MT53E512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 556-WFBGA（12.4x12.4 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 557-MT53E512M64D2HJ-046WT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit 3.5 ns ドラム 512m x 64 平行 18ns
JS28F256J3D95B TR Micron Technology Inc. JS28F256J3D95B TR -
RFQ
 ECAD 2356 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F256J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 95ns
MT47H256M4CF-3:H TR Micron Technology Inc. MT47H256M4CF-3：H TR -
RFQ
 ECAD 9708 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H256M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 256m x 4 平行 15ns
NP8P128AE3T1760E Micron Technology Inc. NP8P128AE3T1760E -
RFQ
 ECAD 5927 0.00000000 Micron Technology Inc. OMN EO™ チューブ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 64-TBGA NP8P128A PCM （プラム） 2.7V〜3.6V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 不揮発性 128mbit 135 ns PCM （プラム） 16m x 8 平行、 spi 135ns
MT28EW128ABA1HPC-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW128ABA1HPC-0SIT 7.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 128mbit 95 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 60ns
N25Q512A13GSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q512A13GSF40F TR -
RFQ
 ECAD 7606 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q512A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 128m x 4 spi 8ms、5ms
MT41K512M16HA-125:A TR Micron Technology Inc. MT41K512M16HA-125：TR -
RFQ
 ECAD 3887 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 512m x 16 平行 -
JS28F00AP30EFA Micron Technology Inc. JS28F00AP30EFA -
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F00AP30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 1gbit 110 ns フラッシュ 64m x 16 平行 110ns
M29F800DT55N1 Micron Technology Inc. M29F800DT55N1 -
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
MT40A2G8FSE-083E:A TR Micron Technology Inc. MT40A2G8FSE-083E：TR -
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 揮発性 16gbit ドラム 2g x 8 平行 -
MT41J64M16TW-093:J TR Micron Technology Inc. MT41J64M16TW-093：J TR -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
N25Q032A13ESFH0F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13ESFH0F TR -
RFQ
 ECAD 1968年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 8ms、5ms
N25Q064A13ESE40E Micron Technology Inc. N25Q064A13ESE40E -
RFQ
 ECAD 9138 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
M25P16-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M25P16-VMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 1911年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25P16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
MT62F2G64D8EK-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT ES：B TR 90.4650
RFQ
 ECAD 9393 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F2G64D8EK-023WTES：BTR 2,000 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 2g x 64 平行 -
MT55V512V36PF-6 Micron Technology Inc. MT55V512V36PF-6 17.3600
RFQ
 ECAD 284 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA MT55V512V sram- zbt 2.375V〜3.465V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 18mbit 3.5 ns sram 512K x 36 平行 -
MT55L256L18P1F-10 Micron Technology Inc. MT55L256L18P1F-10 5.5100
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA SRAM -ZBT 3.135V〜3.465V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 4mbit 5 ns sram 256k x 18 平行 -
MT52L256M64D2PP-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PP-107 WT：b -
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 253-VFBGA MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V 253-VFBGA （11x11.5 - 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,890 933 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます