SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D768M64D8NZ-046 WT：e 179.4900
RFQ
 ECAD 8185 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
N25Q256A83E1241F Micron Technology Inc. N25Q256A83E1241F -
RFQ
 ECAD 3884 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q256A83 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 AAT：d -
RFQ
 ECAD 2423 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT42L64M32D1TK-18 AAT:C Micron Technology Inc. MT42L64M32D1TK-18 AAT：c -
RFQ
 ECAD 8875 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 134-wfbga MT42L64M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-FBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,260 533 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 -
MT62F4G32D8DV-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-026 AIT：B TR 114.9600
RFQ
 ECAD 6187 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-026AIT：BTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 4g x 32 平行 -
MT53D384M32D2DS-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT：e -
RFQ
 ECAD 7637 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT40A512M8SA-062E AUT:F TR Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-062E AUT：F TR 19.1100
RFQ
 ECAD 8924 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A512M8SA-062EAUT：FTR ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
MT44K64M18RB-083F:A Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-083F：a -
RFQ
 ECAD 2489 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.2 GHz 揮発性 1.125Gbit 6.67 ns ドラム 64m x 18 平行 -
M29F200FB55N3E2 Micron Technology Inc. M29F200FB55N3E2 -
RFQ
 ECAD 4167 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F200 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 2mbit 55 ns フラッシュ 256K x 8、128K x 16 平行 55ns
MT41J256M8HX-15E IT:D Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-15E IT：d -
RFQ
 ECAD 3571 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 13.5 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR Micron Technology Inc. MT29E384G08EBHBBJ4-3：B TR -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29E384G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 384gbit フラッシュ 48g x 8 平行 -
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB5432BEBH-1DAUT-FR TR -
RFQ
 ECAD 1602 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 134-VFBGA EDB5432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 533 MHz 揮発性 512mbit ドラム 16m x 32 平行 -
JS28F00AM29EWHE Micron Technology Inc. JS28F00AM29EWHE -
RFQ
 ECAD 3161 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F00AM29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 1gbit 110 ns フラッシュ 128m x 8、64m x 16 平行 110ns
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4416BBBH-1DIT-FR TR -
RFQ
 ECAD 3595 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-wfbga EDB4416 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
MT53E2DCDS-DC Micron Technology Inc. MT53E2DCDS-DC 22.5000
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ mt53e2 - ROHS3準拠 影響を受けていない 557-MT53E2DCDS-DC 1,360
MT29F2T08ELLCEG7-R:C Micron Technology Inc. MT29F2T08ELLCEG7-R：c 60.5400
RFQ
 ECAD 1551 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F2T08ELLCEG7-R：c 1
MTFC4GACAJCN-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc4gacajcn-4m it tr -
RFQ
 ECAD 7863 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） mtfc4gacajcn-4mittr 廃止 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
M29W256GL70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W256GL70ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 3995 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
MT41K512M16HA-125 AIT:A Micron Technology Inc. MT41K512M16HA-125 AIT：a -
RFQ
 ECAD 6111 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） - 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 800 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 512m x 16 平行 -
EDB4416BBBH-1DIT-F-R Micron Technology Inc. EDB4416BBH-1DIT-FR -
RFQ
 ECAD 2799 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-wfbga EDB4416 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
EDF8132A3PK-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8132A3PK-GD-FD -
RFQ
 ECAD 7417 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDF8132 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,520 800 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
MT47R64M16HR-25E:H Micron Technology Inc. MT47R64M16HR-25E：h -
RFQ
 ECAD 4244 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47R64M16 SDRAM -DDR2 1.55V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT53E1536M64D8HJ-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 WT：b 69.2400
RFQ
 ECAD 4930 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 556-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 - 556-WFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT：b 1 2.133 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5mx 64 - -
MTFC2GMVEA-L1 WT TR Micron Technology Inc. mtfc2gmvea-l1 wt tr -
RFQ
 ECAD 4473 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc2g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 MMC -
MT52L256M64D2PD-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PD-107 WT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 5348 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 216-WFBGA MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V 216-FBGA （15x15） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 933 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-M -
RFQ
 ECAD 9161 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29F1G16ABBEAH4:E Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAH4：e -
RFQ
 ECAD 7559 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 AAT：B TR -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT53D512M64D4NW-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-053 WT：d -
RFQ
 ECAD 7757 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 432-VFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 432-VFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
M29W640GB70NA6E Micron Technology Inc. M29W640GB70NA6E -
RFQ
 ECAD 4266 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます