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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT25QU256ABA1EW9-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA1EW9-0SIT TR 6.4700
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QU256 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MTFC128GBCAVTC-AAT ES TR Micron Technology Inc. mtfc128gbcavtc-aat es tr 60.4800
RFQ
 ECAD 5766 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC128GBCAVTC-AATERTESTRESTRE 2,000
MTFC32GAZAQHD-AAT Micron Technology Inc. mtfc32gazaqhd-aat 19.0800
RFQ
 ECAD 1706 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 153-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1,520 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT29F8T08EULCHD5-T:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EULCHD5-T：C Tr 167.8050
RFQ
 ECAD 6803 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F8T08EULCHD5-T：CTR 2,000
N25Q064A13ESEC0E Micron Technology Inc. N25Q064A13ESEC0E -
RFQ
 ECAD 7574 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO w - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MTFC64GJVDN-4M IT Micron Technology Inc. mtfc64gjvdn-4m it -
RFQ
 ECAD 4087 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-lfbga mtfc64 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-lfbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
MT25QU512ABB8E12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8E12-0AUT TR 10.5450
RFQ
 ECAD 6418 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU512 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT53E2G64D8TN-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AAT：A TR 122.8500
RFQ
 ECAD 1909 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 556-LFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 556-LFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E2G64D8TN-046AAT：ATR 2,000 2.133 GHz 揮発性 128GBIT 3.5 ns ドラム 2g x 64 平行 18ns
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:E Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-053 RS WT：e -
RFQ
 ECAD 9875 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 表面マウント 200-WFBGA MT53E512 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 1,360
MT29F4G08AACHC:C Micron Technology Inc. MT29F4G08AACHC：c -
RFQ
 ECAD 7224 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT47H64M16HR-25E AAT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E AAT：h -
RFQ
 ECAD 3093 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT29VZZZCDA1SKPR-046 W.181 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZCDA1SKPR-046 W.181 TR 63.1200
RFQ
 ECAD 1764 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29VZZZCDA1SKPR-046W.181TR 2,000
MT29E64G08CBCDBJ4-6:D Micron Technology Inc. MT29E64G08CBCDBJ4-6：d -
RFQ
 ECAD 4421 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 960
MT62F1536M64D8CL-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CL-026 WT：b 55.3050
RFQ
 ECAD 6706 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F1536M64D8CL-026WT：b 1 3.2 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5GX 64 平行 -
MT29VZZZAD81SFSL-046 W.22C TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD81SFSL-046 W.22C TR 25.0350
RFQ
 ECAD 9834 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS3準拠 557-MT29VZZZAD81SFSL-046W.22CTR 1
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-053 WT ES：a -
RFQ
 ECAD 9425 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 366-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA （15x15） - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT53E256M32D2DS-046 IT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 IT：b 16.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E256M32D2DS-046IT：b ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAFAH4-AATES：f -
RFQ
 ECAD 8708 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,620 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT47H64M8B6-37E:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-37E：D Tr -
RFQ
 ECAD 9448 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 揮発性 512mbit 500 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT46V16M16TG-6T IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-6T IT：F Tr -
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT -
RFQ
 ECAD 1733 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-TFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA（10.5x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
MT46H4M32LFB5-6 IT:K Micron Technology Inc. MT46H4M32LFB5-6 IT：k -
RFQ
 ECAD 6664 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H4M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT Micron Technology Inc. mt29c4g96maahbackd-5 wt -
RFQ
 ECAD 1975年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-VFBGA MT29C4G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA（13x10.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
MTFC256GAOAMAM-WT Micron Technology Inc. MTFC256GAOAMAM-WT 71.0400
RFQ
 ECAD 9036 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ アクティブ -25°C〜85°C（タタ - - MTFC256 フラッシュ -ナンド - - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 MMC -
MT46V64M8FN-75:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-75：D TR -
RFQ
 ECAD 3203 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
M25PX16-VMW6G Micron Technology Inc. M25PX16-VMW6G -
RFQ
 ECAD 9803 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） M25PX16 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,800 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
MT29F2G08ABAGAH4-AIT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G080808ABAGAH4-AIT：G TR 2.4998
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2G08ABAGAH4-AIT：GTR 2,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT41K128M16JT-107 IT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107 IT：k 4.5806
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT47H64M16HR-3 IT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 IT：H TR -
RFQ
 ECAD 1213 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT49H16M18CBM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18CBM-25：B TR -
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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