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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B Micron Technology Inc. MT29E384G08EBHBBJ4-3：b -
RFQ
 ECAD 5304 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29E384G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 384gbit フラッシュ 48g x 8 平行 -
MT46V64M8P-5B:F Micron Technology Inc. mt46v64m8p-5b：f -
RFQ
 ECAD 6242 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29F4G16ABADAWP-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAWP-IT：D TR -
RFQ
 ECAD 5344 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
N25Q128A13BSFH0F Micron Technology Inc. N25Q128A13BSFH0F -
RFQ
 ECAD 1124 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAAAWP-Z：TR -
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 XIT：P Tr 10.6400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53B128M32D1DS-062 AIT：A TR -
RFQ
 ECAD 2794 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MT44K16M36RB-093E IT:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E IT：a -
RFQ
 ECAD 1540 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 168-TBGA MT44K16M36 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,190 1.066 GHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 16m x 36 平行 -
EDF8164A3MC-GD-F-R Micron Technology Inc. EDF8164A3MC-GD-FR -
RFQ
 ECAD 1356 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDF8164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1 800 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
M29W128GL7AZS6E Micron Technology Inc. M29W128GL7AZS6E -
RFQ
 ECAD 6619 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 160 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT28EW512ABA1HPN-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1HPN-0SIT -
RFQ
 ECAD 9142 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA MT28EW512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 不揮発性 512mbit 95 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 60ns
M29F200BT70N6E Micron Technology Inc. M29F200BT70N6E -
RFQ
 ECAD 6556 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F200 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 2mbit 70 ns フラッシュ 256K x 8、128K x 16 平行 70ns
MT46V32M8BG-6 IT:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8BG-6 IT：G TR -
RFQ
 ECAD 2668 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-FBGA MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-fbga （8x14） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
JS28F640P30B85A Micron Technology Inc. JS28F640P30B85A -
RFQ
 ECAD 3347 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F640P30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 64mbit 85 ns フラッシュ 4m x 16 平行 85ns
MT28F800B5WP-8 B Micron Technology Inc. MT28F800B5WP-8 b -
RFQ
 ECAD 1356 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F800B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 80 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 80ns
MT48LC2M32B2B5-6A IT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-6A IT：J TR 5.7449
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 12ns
MT29F4G01AAADDHC-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G01AAADDHC-IT：D TR -
RFQ
 ECAD 5656 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
MT53E128M16D1DS-053 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-053 AIT：A TR -
RFQ
 ECAD 4114 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT53E128M16D1DS-053AIT：ATR 廃止 2,000 1.866 GHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 - -
MTFC64GAJAECE-5M AIT Micron Technology Inc. MTFC64GAJAECE-5M AIT -
RFQ
 ECAD 8015 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-lfbga mtfc64 フラッシュ -ナンド - 169-lfbga - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
MT25QL512ABA8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABA8E12-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 4465 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT53D512M64D4HR-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4HR-053 WT：d -
RFQ
 ECAD 1916年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 366-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA（12x12.7） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGDSF-AAT：G TR -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 16-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
MT25QL01GBBB1EW9-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB1EW9-0SIT TR 13.1400
RFQ
 ECAD 4177 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
N25Q256A13ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q256A13ESF40F TR -
RFQ
 ECAD 7788 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q256A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F16G08ABECBM72A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F16G08ABECBM72A3WC1P -
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MTFC32GJDED-3M WT TR Micron Technology Inc. mtfc32gjded-3m wt tr -
RFQ
 ECAD 8542 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-VFBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT29C1G12MAADYAKE-5 IT TR Micron Technology Inc. mt29c1g12maadyake-5 it tr -
RFQ
 ECAD 7380 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-TFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
M29W640GB70ZS6E Micron Technology Inc. M29W640GB70ZS6E -
RFQ
 ECAD 7657 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 160 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT46V32M16P-6T L:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-6T L：F Tr -
RFQ
 ECAD 7050 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
N25Q128A11TSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11TSF40F TR -
RFQ
 ECAD 8608 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q128A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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