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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 TR -
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mt29vzzzbd8 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000
EDW2032BBBG-60-F-D Micron Technology Inc. EDW2032BBBG-60-FD -
RFQ
 ECAD 6094 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 170-TFBGA EDW2032 sgram -gddr5 1.31V〜1.65V 170-FBGA（12x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,440 1.5 GHz 揮発性 2Gbit ラム 64m x 32 平行 -
EDFP164A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP164A3PB-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 6067 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C（TA） 表面マウント - EDFP164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 216-FBGA （15x15） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 平行 -
MT46V64M8P-6T L:F Micron Technology Inc. MT46V64M8P-6T L：F -
RFQ
 ECAD 7252 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
M50FW080N1 Micron Technology Inc. M50FW080N1 -
RFQ
 ECAD 8949 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm M50FW080 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 120 33 MHz 不揮発性 8mbit 250 ns フラッシュ 1m x 8 平行 -
M25PE40-VMN3TPB TR Micron Technology Inc. M25PE40-VMN3TPB TR -
RFQ
 ECAD 4115 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25PE40 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、3ms
MT46V128M8P-75:A TR Micron Technology Inc. MT46V128M8P-75：TR -
RFQ
 ECAD 8868 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V128M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 揮発性 1gbit 750 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT47H32M16CC-3E:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-3E：B Tr -
RFQ
 ECAD 4273 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA（12x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AAT：D TR 19.1100
RFQ
 ECAD 9882 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
M29DW127G70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29DW127G70ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 8553 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29DW127 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B Micron Technology Inc. MT29F2T08CTCBBJ7-6C：b -
RFQ
 ECAD 9511 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F2T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 167 MHz 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
MTFC4GACAAEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc4gacaaea-wt tr -
RFQ
 ECAD 9350 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（タタ mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT29F4G08ABADAH4-E:D Micron Technology Inc. MT29F4G088ABADAH4-E：d -
RFQ
 ECAD 8240 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT46V128M4CY-5B:J Micron Technology Inc. MT46V128M4CY-5B：J -
RFQ
 ECAD 3881 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-fbga （8x10） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,368 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT41J256M8HX-15E:D TR Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-15E：D Tr -
RFQ
 ECAD 8321 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 13.5 ns ドラム 256m x 8 平行 -
RC28F640P33TF60A Micron Technology Inc. RC28F640P33TF60A -
RFQ
 ECAD 2367 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA RC28F640 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 300 52 MHz 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 4m x 16 平行 60ns
N25W032A11EF640F TR Micron Technology Inc. N25W032A11EF640F TR -
RFQ
 ECAD 6897 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25W032 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-VDFPN - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi -
M50FLW080AK5G Micron Technology Inc. M50FLW080AK5G -
RFQ
 ECAD 6957 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -20°C〜85°C（Ta） 表面マウント 32-lcc M50FLW080 フラッシュ - 3V〜3.6V 32-PLCC（11.35x13.89） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 33 MHz 不揮発性 8mbit 250 ns フラッシュ 1m x 8 平行 -
MT41J256M8HX-15E AIT:D Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-15E AIT：d -
RFQ
 ECAD 8938 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 13.5 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MTFC16GJVEC-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc16gjvec-4m it tr -
RFQ
 ECAD 6912 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-VFBGA mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-VFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR：D TR -
RFQ
 ECAD 2260 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 166 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT47H64M16HR-187E:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-187E：h -
RFQ
 ECAD 8895 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 揮発性 1gbit 350 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT29F4G16ABBFAH4-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBFAH4-AAT：F 3.8912
RFQ
 ECAD 3346 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F4G16ABBFAH4-AAT：f 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT41K1G8RKB-107:P Micron Technology Inc. MT41K1G8RKB-107：p 32.0600
RFQ
 ECAD 7456 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 -
M29W800FB70N3E Micron Technology Inc. M29W800FB70N3E -
RFQ
 ECAD 4272 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
EDF8132A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8132A3PD-GD-FD -
RFQ
 ECAD 7264 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDF8132 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,680 800 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
MT48LC32M8A2BB-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2BB-6A：g -
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 60-FBGA （8x16） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 12ns
M29W064FT6AZA6F TR Micron Technology Inc. M29W064FT6AZA6F TR -
RFQ
 ECAD 6156 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
MT25QL128ABA1EW7-MSIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1EW7-MSIT TR -
RFQ
 ECAD 3511 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT41K256M16TW-107 AUT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AUT：P 8.4000
RFQ
 ECAD 8947 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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