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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT47H64M8B6-25:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-25：D TR -
RFQ
 ECAD 8921 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
M29W640GB70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W640GB70ZS6F TR -
RFQ
 ECAD 7423 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT29F64G08CFACAWP:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CFACAWP：c -
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT48LC32M8A2P-6A IT:G Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-6A IT：g -
RFQ
 ECAD 4454 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,080 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 12ns
MT52L256M64D2PD-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PD-107 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 1448 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 216-WFBGA MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V 216-FBGA （15x15） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT62F1G64D4ZV-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D4ZV-023 WT：b 37.2450
RFQ
 ECAD 7877 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F1G64D4ZV-023WT：b 1
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AUT：C TR 64.9800
RFQ
 ECAD 6952 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E2G32D4DE-046AUT：CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit 3.5 ns ドラム 2g x 32 平行 18ns
MT62F1G32D4DS-031 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 WT：B TR 23.3100
RFQ
 ECAD 6157 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D4DS-031WT：BTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
MT44K16M36RB-107E IT:B TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107E IT：B TR -
RFQ
 ECAD 1182 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 168-TBGA MT44K16M36 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000 933 MHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 16m x 36 平行 -
MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBWP-10ES：B TR -
RFQ
 ECAD 5515 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT55V512V36FT-10 Micron Technology Inc. MT55V512V36FT-10 17.3600
RFQ
 ECAD 620 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT55V512V sram- zbt 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 512K x 36 平行 -
MT53E1536M32D4DE-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AIT：C TR 36.5850
RFQ
 ECAD 3428 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - ROHS3準拠 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT：CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 1.5GX 32 平行 18ns
MT58L256L32DT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L32DT-7.5 4.6200
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L256L32 sram-同期 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 8mbit 4 ns sram 256k x 32 平行 -
EDBA164B2PF-1D-F-D Micron Technology Inc. EDBA164B2PF-1D-FD -
RFQ
 ECAD 6282 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント - EDBA164 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 533 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT47H32M16HR-25E AIT:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E AIT：G TR -
RFQ
 ECAD 9621 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR Micron Technology Inc. MT29E256G08CMCDBJ5-6：D TR -
RFQ
 ECAD 9478 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-TBGA MT29E256G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT55V512V32PT-5 Micron Technology Inc. MT55V512V32PT-5 17.3600
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 揮発性 18mbit 3.2 ns sram 512K x 32 平行 -
MT55L64L32F1T-12 Micron Technology Inc. MT55L64L32F1T-12 5.7500
RFQ
 ECAD 582 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 83 MHz 揮発性 2mbit 9 ns sram 64k x 32 平行 -
MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 9496 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 24-tbga mt35xu01 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 xccelaバス -
MTFC256GBAOANAM-WT Micron Technology Inc. mtfc256gbaoanam-wt -
RFQ
 ECAD 3335 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ sicで中止されました -25°C〜85°C（タタ - - MTFC256 フラッシュ -ナンド - - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 MMC -
MTFC8GLVEA-1M WT Micron Technology Inc. mtfc8glvea-1m wt -
RFQ
 ECAD 1614 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
M28W160CB90N6 Micron Technology Inc. M28W160CB90N6 -
RFQ
 ECAD 2333 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M28W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 90 ns フラッシュ 1m x 16 平行 90ns
MT41J256M16HA-093 J:E Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-093 J：e -
RFQ
 ECAD 2072 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J256M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
M25PE40-VMN3TPB TR Micron Technology Inc. M25PE40-VMN3TPB TR -
RFQ
 ECAD 4115 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25PE40 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、3ms
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AIT：e -
RFQ
 ECAD 6483 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E384M32D2DS-046AIT：e ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT62F768M64D4EK-026 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-026 WT ES：B TR 51.0300
RFQ
 ECAD 8919 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 441-TFBGA MT62F768 SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F768M64D4EK-026WTES：BTR 1,500 3.2 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 平行 -
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08AUEBBH8-12：B TR -
RFQ
 ECAD 7199 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046AAT：a -
RFQ
 ECAD 4983 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 556-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 556-WFBGA（12.4x12.4 - ROHS3準拠 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT：a 廃止 1 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 768m x 64 平行 18ns
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-046 WT ES：e -
RFQ
 ECAD 8457 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 556-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 556-WFBGA（12.4x12.4 - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT53B256M32D1DS-062 XT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1DS-062 XT：c -
RFQ
 ECAD 1196 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
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    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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