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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
BK58F0088HVX001A Micron Technology Inc. BK58F0088HVX001A -
RFQ
 ECAD 8027 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - - - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 270
MT53D8D1AJS-DC TR Micron Technology Inc. mt53d8d1ajs-dc tr -
RFQ
 ECAD 3345 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mt53d8 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,000
MT42L32M16D1AB-3 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L32M16D1AB-3 WT：A TR -
RFQ
 ECAD 7739 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 121-WFBGA MT42L32M16 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 121-FBGA （6.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 揮発性 512mbit ドラム 32m x 16 平行 -
MT48LC8M16LFTG-75:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFTG-75：g -
RFQ
 ECAD 5037 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT25QL512ABB1EW9-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB1EW9-0SIT -
RFQ
 ECAD 9805 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT46V16M16FG-6 L:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16FG-6 L：F Tr -
RFQ
 ECAD 4060 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-fbga （8x14） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT48LC4M32LFB5-8:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFB5-8：g -
RFQ
 ECAD 1619 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT29F2G08ABAGAM79A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G08888888ABAGAM79A3WC1 -
RFQ
 ECAD 2148 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MTFC128GAVATTC-AIT Micron Technology Inc. mtfc128gavattc-ait 56.1900
RFQ
 ECAD 7693 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC128GAVATTC-AIT 1
MT53B384M64D4NK-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-062 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 3786 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 366-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA （15x15） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT29F128G08CECGBJ4-5M:G Micron Technology Inc. MT29F128G08CECGBJ4-5M：g -
RFQ
 ECAD 9709 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT49H16M18BM-5:B Micron Technology Inc. MT49H16M18BM-5：b -
RFQ
 ECAD 7640 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
MT40A1G8WE-075E:D TR Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E：D Tr -
RFQ
 ECAD 7878 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （8x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
MT25QU01GBBB8E12-0AUT Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8E12-0AUT 24.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU01 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT25QL128ABB1ESE-0AUT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1ESE-0AUT 5.9500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 133 MHz 不揮発性 128mbit 5 ns フラッシュ 16m x 8 spi 1.8ms
MT46V256M4TG-75:A TR Micron Technology Inc. MT46V256M4TG-75：TR -
RFQ
 ECAD 8815 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V256M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 揮発性 1gbit 750 PS ドラム 256m x 4 平行 15ns
MT44K64M18RB-107E:A Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-107E：a 64.4550
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 933 MHz 揮発性 1.125Gbit 8 ns ドラム 64m x 18 平行 -
MT29F4G08ABADAWP-AATX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-AATX：d 7.6100
RFQ
 ECAD 353 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT62F768M64D4EK-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-026 WT：B TR 34.2750
RFQ
 ECAD 5784 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 441-TFBGA MT62F768 SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F768M64D4EK-026WT：BTR 1,500 3.2 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 平行 -
MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046AIT：b 14.7000
RFQ
 ECAD 5366 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E512M32D1ZW-046AIT：b 1 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 512m x 32 平行 18ns
MT62F768M64D4EK-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 FAAT：b 47.8950
RFQ
 ECAD 1427 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ - 表面マウント 441-TFBGA MT62F768 SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F768M64D4EK-023FAAT：b 1 4.266 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 平行 -
MT48LC8M16A2P-75:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-75：g -
RFQ
 ECAD 7163 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT46V32M16TG-75E:C Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-75E：c -
RFQ
 ECAD 3398 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
M29W640GL70NA6E Micron Technology Inc. M29W640GL70NA6E -
RFQ
 ECAD 4325 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
M36L0R7050B4ZAQF TR Micron Technology Inc. M36L0R7050B4ZAQF TR -
RFQ
 ECAD 9309 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 M36L0R7050 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500
MT29F32G08ABCDBJ4-6:D Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCDBJ4-6：d -
RFQ
 ECAD 6569 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 166 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AIT：e -
RFQ
 ECAD 6483 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E384M32D2DS-046AIT：e ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT40A1G16TB-062E:F TR Micron Technology Inc. MT40A1G16TB-062E：F Tr 13.5900
RFQ
 ECAD 9072 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A1G16TB-062E：FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.5 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns
MT55L256V32PT-6IT Micron Technology Inc. MT55L256V32PT-6IT 14.9900
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 8mbit 3.5 ns sram 256k x 32 平行 -
MT62F1G32D2DS-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 WT ES：B TR 40.9200
RFQ
 ECAD 7633 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D2DS-023WTES：BTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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