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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
M29W800DT45N6F TR Micron Technology Inc. M29W800DT45N6F TR -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8mbit 45 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 45ns
MT53D2048M32D8QD-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-053 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 9906 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53D2048 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
M29W640FT70N6F TR Micron Technology Inc. M29W640FT70N6F TR -
RFQ
 ECAD 1839 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
M29DW323DB5AN6F TR Micron Technology Inc. M29DW323DB5AN6F TR -
RFQ
 ECAD 6350 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29DW323 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 256mbit 55 ns フラッシュ 16m x 16 平行 55ns
M58WR064KU70D16 Micron Technology Inc. M58WR064KU70D16 -
RFQ
 ECAD 8921 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - M58WR064 フラッシュ - 1.7V〜2V - - ROHS3準拠 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 66 MHz 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 70ns
MT29F4G08ABBEAH4:E TR Micron Technology Inc. mt29f4g08abbeah4：e tr -
RFQ
 ECAD 8016 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
PC28F256J3D95B TR Micron Technology Inc. PC28F256J3D95B TR -
RFQ
 ECAD 5305 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 95ns
MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT -
RFQ
 ECAD 8087 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C2G24 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 2GBIT （NAND）、1GBIT （LPDRAM） フラッシュ、ラム 256m x 8 平行 -
MT53E128M16D1Z19MWC1 Micron Technology Inc. MT53E128M16D1Z19MWC1 10.3800
RFQ
 ECAD 7120 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT53E128M16D1Z19MWC1 1
MT25QL256ABA8E12-1SAT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8E12-1SAT -
RFQ
 ECAD 2708 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29C1G12MAACVAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACVAMD-5 IT -
RFQ
 ECAD 5175 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 64m x 16 平行 -
MT48LC16M16A2P-6A XIT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A XIT：G TR 6.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4SB-046 XT ES：E TR -
RFQ
 ECAD 7560 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜105°C（TC） - - MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT29F8G08ABACAWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G0808ABACAWP：C Tr -
RFQ
 ECAD 4847 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MTEDFBR8SCA-1P2IT Micron Technology Inc. MTEDFBR8SCA-1P2IT -
RFQ
 ECAD 1195 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ アクティブ MTEDFBR8 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 150
EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB5432BEPA-1DIT-FR TR -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 168-wfbga EDB5432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000 533 MHz 揮発性 512mbit ドラム 16m x 32 平行 -
MT46V64M8BN-6 L:F Micron Technology Inc. mt46v64m8bn-6 L：f -
RFQ
 ECAD 7982 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12ITZ：c -
RFQ
 ECAD 8779 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AKCDBJ5-6IT：D Tr -
RFQ
 ECAD 1713 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT40A1G4RH-075E:B Micron Technology Inc. MT40A1G4RH-075E：b -
RFQ
 ECAD 1551 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x10.5 - 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 1.33 GHz 揮発性 4gbit ドラム 1g x 4 平行 -
MTFC4GLGDM-AIT A TR Micron Technology Inc. mtfc4glgdm-ait a tr -
RFQ
 ECAD 6962 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない mtfc4glgdm-itatr 廃止 8542.32.0071 2,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT53E768M64D4HJ-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 WT：c 48.1050
RFQ
 ECAD 8999 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT53E768M64D4HJ-046WT：c 1
MT53E1536M64D8HJ-046 AIT:B Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 AIT：b 83.7750
RFQ
 ECAD 2834 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 556-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 - 556-WFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E1536M64D8HJ-046AIT：b 1 2.133 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5mx 64 - -
MT53D8DANZ-DC Micron Technology Inc. mt53d8danz-dc -
RFQ
 ECAD 4227 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました mt53d8 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190
M29W128GSL70ZS6E Micron Technology Inc. M29W128GSL70ZS6E -
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT62F768M32D2DS-023 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F768M32D2DS-023 AAT：b 25.6500
RFQ
 ECAD 4256 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F768M32D2DS-023AAT：b 1
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR Micron Technology Inc. mt29rz1cvczzhgtn-25 w.4m0 tr -
RFQ
 ECAD 4200 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 121-WFBGA 121-VFBGA （8x7.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
N25Q128A13BSFH0F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13BSFH0F TR -
RFQ
 ECAD 2483 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 Micron Technology Inc. mt29az2b2bhgtn-18it.110 -
RFQ
 ECAD 5534 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ mt29az2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 1,560
MT41K64M16TW-125:J Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-125：J -
RFQ
 ECAD 1548 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 800 MHz 揮発性 1gbit 13.75 ns ドラム 64m x 16 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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