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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53E4D1ADE-DC TR Micron Technology Inc. mt53e4d1ade-dc tr 22.5000
RFQ
 ECAD 7857 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ mt53e4 - 影響を受けていない 557-MT53E4D1ADE-DCTR 2,000
MT49H8M36FM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-25：B TR -
RFQ
 ECAD 3165 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
MT46V128M4FN-6:F TR Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-6：F Tr -
RFQ
 ECAD 1863年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 128m x 4 平行 15ns
MTFC16GJTEC-IT TR Micron Technology Inc. mtfc16gjtec-it tr -
RFQ
 ECAD 1805 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G0808ADAFAWP-AIT：F TR 8.4150
RFQ
 ECAD 1181 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F8G0808ADAFAWP-AIT：FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT29VZZZBD81SLSL-046 W.22D TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBD81SLSL-046 W.22D TR 33.7950
RFQ
 ECAD 1054 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29VZZZBD81SLSL-046W.22DTR 2,000
MT48LC16M16A2B4-7E IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-7E IT：G TR 6.0918
RFQ
 ECAD 2717 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 14ns
MT35XL02GCBA3G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XL02GCBA3G12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 7758 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 24-tbga mt35xl02 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 xccelaバス -
MT29F32G08CBECBL73A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F32G08CBECBL73A3WC1 -
RFQ
 ECAD 8599 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
M29F400BB55N6T TR Micron Technology Inc. M29F400BB55N6T TR -
RFQ
 ECAD 2293 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFDWB-IT：f -
RFQ
 ECAD 6253 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-updfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -MT29F4G01ABAFDWB-IT：FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
MT53E1G16D1FW-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046AAT：A TR 15.9600
RFQ
 ECAD 3441 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 557-MT53E1G16D1FW-046AAT：ATR 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 1g x 16 平行 18ns
NAND16GW3D2BN6E Micron Technology Inc. NAND16GW3D2BN6E -
RFQ
 ECAD 1217 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND16G フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND16GW3D2BN6E 3A991B1A 8542.32.0051 96 不揮発性 16gbit 25 ns フラッシュ 2g x 8 平行 25ns
MT46V32M16FN-75 IT:C Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-75 IT：c -
RFQ
 ECAD 8544 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MTFC32GASAQHD-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc32gasaqhd-ait tr 17.4000
RFQ
 ECAD 2096 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC32GASAQHD-AITTR 2,000 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 EMMC -
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 AIT：d 20.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 前回購入します -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT42L256M64D4LM-18 WT:A Micron Technology Inc. MT42L256M64D4LM-18 WT：a -
RFQ
 ECAD 5457 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 216-VFBGA MT42L256M64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 216-FBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,008 533 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT29F2T08ELLCEG7-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08ELLCEG7-R：C Tr 60.5400
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F2T08ELLCEG7-R：CTR 2,000
MT53E2G32D8QD-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D8QD-046 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 2290 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53E2G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-AITX：e 3.5100
RFQ
 ECAD 948 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
MT29F8G08ADBFAH4-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ADBFAH4-AAT：F Tr 8.2061
RFQ
 ECAD 5336 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F8G08ADBFAH4-AAT：FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT51K128M32HF-60 N:B TR Micron Technology Inc. MT51K128M32HF-60 N：B TR -
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 170-TFBGA MT51K128 sgram -gddr5 - 170-FBGA（12x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 8542.32.0071 2,000 1.5 GHz 揮発性 4gbit ラム 128m x 32 平行 -
MT29F16G08ADACAH4-IT:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ADACAH4-IT：c -
RFQ
 ECAD 6310 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -MT29F16G08ADACAH4-IT：c 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT29F1T08EELKEJ4-ITF:K Micron Technology Inc. MT29F1T08EELKEJ4-ITF：k 36.9000
RFQ
 ECAD 1779 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F1T08EELKEJ4-ITF：k 1
N25Q064A13ESE40G Micron Technology Inc. N25Q064A13ESE40G -
RFQ
 ECAD 9477 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAAAWP-ITZ：A TR -
RFQ
 ECAD 5743 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
N25Q256A83ESF40E Micron Technology Inc. N25Q256A83ESF40E -
RFQ
 ECAD 9815 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q256A83 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,440 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F64G08AJABAWP-IT:B Micron Technology Inc. MT29F64G08AJABAWP-IT：b -
RFQ
 ECAD 1892年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
M58LR256KT70ZQ5E Micron Technology Inc. M58LR256KT70ZQ5E -
RFQ
 ECAD 1774 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C（TA） 表面マウント 88-TFBGA M58LR256 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 253 66 MHz 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 16m x 16 平行 70ns
MT47H32M16HW-25E:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HW-25E：g -
RFQ
 ECAD 3579 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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