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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E4D1CDE-DC | 22.5000 |  | 6888 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | mt53e4 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E4D1CDE-DC | 1,360 | |||||||||||||||||||
 | MT47H128M8SH-187E：M Tr | - | | 7565 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | 350 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |||
| MT62F1536M64D8CL-031 WT：b | 71.9300 | | 8894 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 557-MT62F1536M64D8CL-031WT：b | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT41K64M16TW-107 IT：J TR | 3.6664 | | 2253 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||
 | MT53D512M32DS-046 AUT：d | 27.2200 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 前回購入します | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||
 | MT53B256M32D1NP-062AAT：C Tr | - | | 6672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||
 | MT47H64M16HR-25：h | - | | 7564 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F8T08GULCEM4-QM：c | 156.3000 | | 8640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F8T08GULCEM4-QM：c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | M25P32-VMF6PBA | - | | 3726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | M25p3 2 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
| M29F400BB90M1 | - | | 1139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 16 | 不揮発性 | 4mbit | 90 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 90ns | |||
 | M25PE40-VMW6TG TR | - | | 7387 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | M25PE40 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、3ms | |||
 | MT53D512M64D4NW-053 WT：d | - | | 7757 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||
| MT62F768M64D4EK-023 AIT：b | 43.5300 | | 3414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F768M64D4EK-023AIT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | 平行 | - | |||||||
 | M29W640GB70NA6E | - | | 4266 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT28HL32GQBB3ERK-0GCT | 73.5000 | | 3353 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | MT28HL32 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 960 | |||||||||||||||||
 | MT40A2G8SA-062E IT：F | 14.9550 | | 9033 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT40A2G8SA-062EIT：f | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 8 | 平行 | 15ns | |
 | MT29F16G08ABACAWP：c | - | | 9239 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | |||||
| M58LT128KST8ZA6E | - | | 2815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | |||
 | mtfc16gakaeef-o1 ait | - | | 2231 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-TFBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | - | 169-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT29F8G01ADAFD12-AATES：F | - | | 9404 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | - | MT29F8G01 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 8g x 1 | spi | - | ||||
| mtfc32gazaotd-aat tr | 27.3450 | | 8792 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC32GAZAOTD-AATTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT46H32M32LFCG-6それ：a | - | | 4308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 152-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 152-VFBGA（14x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| EDFA112A2PF-JD-FD | - | | 9346 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDFA112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 128m x 128 | 平行 | - | ||||
| mt53e4d1ade-dc tr | 22.5000 | | 7857 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt53e4 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E4D1ADE-DCTR | 2,000 | |||||||||||||||||||
 | MT49H8M36FM-25：B TR | - | | 3165 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H8M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 8m x 36 | 平行 | - | ||
 | MT46V128M4FN-6：F Tr | - | | 1863年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V128M4 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 128m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| mtfc16gjtec-it tr | - | | 1805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | mtfc16g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
| MT29F8G0808ADAFAWP-AIT：F TR | 8.4150 | | 1181 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F8G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT29F8G0808ADAFAWP-AIT：FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | |||
| MT29VZZZBD81SLSL-046 W.22D TR | 33.7950 | | 1054 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29VZZZBD81SLSL-046W.22DTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT48LC16M16A2B4-7E IT：G TR | 6.0918 | | 2717 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 14ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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