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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT29F64G08CBABAWP-IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABAWP-IT：B TR -
RFQ
 ECAD 4659 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-7 IT：G -
RFQ
 ECAD 8520 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 4m x 32 平行 14ns
MT48LC128M4A2P-75:C TR Micron Technology Inc. MT48LC128M4A2P-75：C Tr -
RFQ
 ECAD 5026 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC128M4A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT46H32M32LFB5-5 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-5 AIT：B TR -
RFQ
 ECAD 8452 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H32M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 32m x 32 平行 15ns
MT25QL256ABA8E12-1SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8E12-1SIT 6.2400
RFQ
 ECAD 4353 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D Micron Technology Inc. MT29F8G08ADBDAH4-AAT：d -
RFQ
 ECAD 8459 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT47H512M4THN-3:E TR Micron Technology Inc. mt47h512m4thn-3：e tr -
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 63-TFBGA MT47H512M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 63-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0036 2,000 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 512m x 4 平行 15ns
MT29C4G96MAYBACJG-5 WT TR Micron Technology Inc. mt29c4g96maybacjg-5 wt tr -
RFQ
 ECAD 3551 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-VFBGA MT29C4G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 512M x 8 平行 -
MT46V64M8TG-6T L:F Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-6T L：F -
RFQ
 ECAD 3777 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MTFC32GAKAECN-5M AIT Micron Technology Inc. MTFC32GAKAECN-5M AIT -
RFQ
 ECAD 7042 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド - 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT45W4MW16PFA-70 IT Micron Technology Inc. MT45W4MW16PFA-70 IT -
RFQ
 ECAD 6995 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 48-VFBGA MT45W4MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
MT40A1G8SA-075:H Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-075：h -
RFQ
 ECAD 9533 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 1.33 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
PC28F00AP33EF0 Micron Technology Inc. PC28F00AP33EF0 -
RFQ
 ECAD 9285 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F00A フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 184 52 MHz 不揮発性 1gbit 95 ns フラッシュ 64m x 16 平行 95ns
MT28F128J3BS-12 MET TR Micron Technology Inc. MT28F128J3BS-12 Met Tr -
RFQ
 ECAD 4215 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F128J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128mbit 120 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 -
MT46H64M16LFCK-6:A TR Micron Technology Inc. MT46H64M16LFCK-6：TR -
RFQ
 ECAD 6233 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-VFBGA MT46H64M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT47H32M16HR-25E L:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E L：g -
RFQ
 ECAD 7897 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
M29W160EB7AN6F TR Micron Technology Inc. M29W160EB7AN6F TR -
RFQ
 ECAD 1526 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
MT28F004B5VG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F004B5VG-8 TET -
RFQ
 ECAD 6053 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F004B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512k x 8 平行 80ns
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29E128G08CECABJ1-10Z：a -
RFQ
 ECAD 7535 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29E128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-5 AIT：b -
RFQ
 ECAD 9273 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga （10x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
MT29F4G08BABWP TR Micron Technology Inc. mt29f4g08babwp tr -
RFQ
 ECAD 7955 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
EDBA164B2PF-1D-F-D Micron Technology Inc. EDBA164B2PF-1D-FD -
RFQ
 ECAD 6282 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント - EDBA164 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 533 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT48LC4M16A2P-6 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-6 IT：G TR -
RFQ
 ECAD 6056 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 4m x 16 平行 12ns
MT29F2G08ABBEAH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAH4：E TR -
RFQ
 ECAD 9549 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT48LC8M32B2B5-6 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2B5-6 TR -
RFQ
 ECAD 9459 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 12ns
MT47H512M4EB-25E:C TR Micron Technology Inc. MT47H512M4EB-25E：C Tr -
RFQ
 ECAD 1574 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H512M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 512m x 4 平行 15ns
MT53D512M64D4SB-046 XT:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4SB-046 XT：e 49.0500
RFQ
 ECAD 2594 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜105°C（TC） - - MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT28F640J3BS-115 ET Micron Technology Inc. MT28F640J3BS-115 ET -
RFQ
 ECAD 2537 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F640J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64mbit 115 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 -
EDFA164A2MA-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFA164A2MA-JD-FD -
RFQ
 ECAD 6448 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDFA164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,980 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 - 確認されていません
MT58L128V18PT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L128V18PT-7.5 2.7800
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 2mbit 4 ns sram 128k x 18 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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