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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT41K256M16TW-107 AIT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AIT：p 8.1700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1GZ-062 WT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 4397 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （11x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT46V32M8P-5B:GTR Micron Technology Inc. MT46V32M8P-5B：GTR -
RFQ
 ECAD 6971 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT40A512M16HA-083E:A TR Micron Technology Inc. MT40A512M16HA-083E：TR -
RFQ
 ECAD 1989年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
M25PX80-VMP6G Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6G -
RFQ
 ECAD 7561 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PX80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VFQFPN （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 490 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT41K1G4DA-107:P TR Micron Technology Inc. MT41K1G4DA-107：P Tr -
RFQ
 ECAD 6532 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT41K1G4DA-107：PTR ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 1g x 4 平行 -
MT48LC2M32B2P-55:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-55：g -
RFQ
 ECAD 7349 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 183 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
MT29F8G16ABBCAH4-IT:C Micron Technology Inc. MT29F8G16ABBCAH4-IT：c -
RFQ
 ECAD 2733 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 8gbit フラッシュ 512m x 16 平行 -
MT48H4M16LFB4-10 Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-10 -
RFQ
 ECAD 7031 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H4M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 揮発性 64mbit 7 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
RC28F256J3C125SL7HE Micron Technology Inc. RC28F256J3C125SL7HE -
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 ECAD 1509 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 860798 3A991B1A 8542.32.0071 2 不揮発性 256mbit 125 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 125ns
N25Q128A13B1241F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13B1241F TR -
RFQ
 ECAD 5344 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、5ms
MT28F640J3BS-115 ET Micron Technology Inc. MT28F640J3BS-115 ET -
RFQ
 ECAD 2537 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F640J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64mbit 115 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 -
N25Q128A11TSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11TSF40F TR -
RFQ
 ECAD 8608 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q128A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、5ms
PF38F4050M0Y3CFA Micron Technology Inc. PF38F4050M0Y3CFA -
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 ECAD 2645 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C（TA） 表面マウント 107-TFBGA 、CSPBGA 38F4050M0 フラッシュ - 1.7V〜2V 107フラッシュscsp - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 16m x 16 平行 96ns
MT29F16G08CBACBWP-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACBWP-12：C Tr -
RFQ
 ECAD 5421 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT52L1DAPF-DC TR Micron Technology Inc. mt52l1dapf-dc tr -
RFQ
 ECAD 5064 0.00000000 Micron Technology Inc. * テープ＆リール（ tr） アクティブ MT52L1 - 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
MT41K256M16TW-093 IT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-093 IT：P Tr -
RFQ
 ECAD 3170 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT53D1024M32D4NQ-046 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046AAT：D TR -
RFQ
 ECAD 3683 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT29F8G08ABACAH4-ITS:C Micron Technology Inc. MT29F8G080808ABACAH4-ITS：c -
RFQ
 ECAD 6788 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT49H8M36FM-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-25 IT：b -
RFQ
 ECAD 5727 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
MT47H64M16B7-5E:A Micron Technology Inc. MT47H64M16B7-5E：a -
RFQ
 ECAD 9907 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 600 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
M29W128GL60ZA6E Micron Technology Inc. M29W128GL60ZA6E -
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 ECAD 3961 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 136 不揮発性 128mbit 60 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 60ns
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-046 WT ES：E TR -
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT62F512M32D2DS-031 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F512M32D2DS-031 AAT：b 17.4150
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 - 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F512M32D2DS-031AAT：b 1 3.2 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCCBH1-AAT：C Tr 36.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F16G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 16gbit 20 ns フラッシュ 2g x 8 onfi 20ns
N25Q128A21BSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A21BSF40F TR -
RFQ
 ECAD 2032 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q128A21 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、5ms
MT28F320J3RP-11 MET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3RP-11 MET TR -
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 ECAD 9617 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
MT41J128M16HA-15E:D TR Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-15E：D Tr -
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 13.5 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MTFC32GJWEF-4M AIT Z Micron Technology Inc. MTFC32GJWEF-4M AIT Z -
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 ECAD 3086 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-TFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-TFBGA - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBFAH4-IT：F TR -
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 ECAD 9556 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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