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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT28F004B5VP-8 T TR Micron Technology Inc. MT28F004B5VP-8 T TR -
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F004B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 40-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512k x 8 平行 80ns
MT46V32M16CV-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CV-5B：J TR -
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0024 2,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MTFC128GAPALNS-AIT ES TR Micron Technology Inc. mtfc128gapalns-ait es tr -
RFQ
 ECAD 9038 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA MTFC128 フラッシュ -ナンド - 153-TFBGA （11.5x13 - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-5M：b -
RFQ
 ECAD 8202 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT48LC16M16A2TG-7E L:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2TG-7E L：d -
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 14ns
MT58L512Y36PF-10 Micron Technology Inc. MT58L512Y36PF-10 18.3500
RFQ
 ECAD 177 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA MT58L512Y36 sram 3.135V〜3.465V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 18mbit 5 ns sram 512K x 36 平行 -
MT44K32M36RB-083F:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-083F：TR -
RFQ
 ECAD 8787 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M36 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.2 GHz 揮発性 1.125Gbit 6.67 ns ドラム 32m x 36 平行 -
MT47H128M8B7-37E:A TR Micron Technology Inc. MT47H128M8B7-37E：TR -
RFQ
 ECAD 4920 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 267 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D Micron Technology Inc. MT29F256G08CKEDBJ5-12：d -
RFQ
 ECAD 6096 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT29F4G08ABAEAH4:E TR Micron Technology Inc. mt29f4g08abaeah4：e tr 4.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
PC28F256P30BFR Micron Technology Inc. PC28F256P30BFR -
RFQ
 ECAD 6794 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 100ns
MT28F128J3FS-12 MET TR Micron Technology Inc. MT28F128J3FS-12 MET TR -
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F128J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128mbit 120 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 -
MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C -
RFQ
 ECAD 4428 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 mt29vzzzad8 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,520
MT48LC16M4A2P-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC16M4A2P-7E：g -
RFQ
 ECAD 4312 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M4A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 16m x 4 平行 14ns
MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFJ4-3T：TR -
RFQ
 ECAD 7205 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT29F512G08EBHAFJ4-3T：ATR 廃止 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
M25P16-VMW6G Micron Technology Inc. M25P16-VMW6G -
RFQ
 ECAD 1061 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） M25P16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,800 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
MT47H64M16NF-25E AAT:M Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E AAT：M 4.3884
RFQ
 ECAD 5654 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,368 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT53B256M32D1DS-062 XT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1DS-062 XT：c -
RFQ
 ECAD 1196 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT -
RFQ
 ECAD 4983 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-VFBGA MT29C4G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA（13x10.5） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 208 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 512m x 8 平行 -
MT29F3T08EQHBBG2-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EQHBBG2-3R：B TR -
RFQ
 ECAD 7547 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F3T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 272-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 3tbit フラッシュ 384g x 8 平行 -
NAND01GR3B2CZA6E Micron Technology Inc. NAND01GR3B2CZA6E -
RFQ
 ECAD 6641 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA NAND01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9.5x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND01GR3B2CZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 1gbit 25 ns フラッシュ 128m x 8 平行 25ns
MT29F64G08AEAAAC5-Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AEAAAC5-Z：TR -
RFQ
 ECAD 1709 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-VLGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 52-VLGA（18x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT29F16G08ABACAWP-IT:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-IT：c -
RFQ
 ECAD 9904 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT29F4G16ABCHC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABCHC：C Tr -
RFQ
 ECAD 4267 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT25QL256ABA8ESF-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8ESF-0SIT 5.9500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT41K1G4DA-107:P Micron Technology Inc. MT41K1G4DA-107：p -
RFQ
 ECAD 2474 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 1g x 4 平行 -
MTFC4GACAANA-4M IT Micron Technology Inc. mtfc4gacaana-4m it -
RFQ
 ECAD 5250 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - ROHS3準拠 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MTFC128GAOANEA-WT ES Micron Technology Inc. mtfc128gaoanea-wt es -
RFQ
 ECAD 8133 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ 箱 廃止 -25°C〜85°C（タタ MTFC128 フラッシュ -ナンド - - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MT42L128M32D1GU-25 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1GU-25 WT：A TR -
RFQ
 ECAD 2093 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 134-wfbga MT42L128M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-FBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMHBBJ4-3R：b -
RFQ
 ECAD 5211 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1HT08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 1.5tbit フラッシュ 192g x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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