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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT29C8G96MAZBADKD-5 WT Micron Technology Inc. mt29c8g96mazbadkd-5 wt -
RFQ
 ECAD 5806 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-VFBGA MT29C8G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 8gbit（nand フラッシュ、ラム 512M x 16 平行 -
MTFC8GLWDQ-3L AAT Z TR Micron Technology Inc. mtfc8glwdq-3l aat z tr -
RFQ
 ECAD 2429 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 100-lbga mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT41K256M4JP-15E:G TR Micron Technology Inc. MT41K256M4JP-15E：G TR -
RFQ
 ECAD 1648 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M4 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 1gbit 13.5 ns ドラム 256m x 4 平行 -
PC28F256G18AF TR Micron Technology Inc. PC28F256G18AF TR -
RFQ
 ECAD 8944 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 16m x 16 平行 96ns
MT29F1G01AAADDH4-ITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G01AAADDH4-ITX：D TR -
RFQ
 ECAD 7275 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 1g x 1 spi -
M25P80-VMP6T TR Micron Technology Inc. M25P80-VMP6T TR -
RFQ
 ECAD 5400 0.00000000 Micron Technology Inc. - カットテープ（CT） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25P80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT48LC8M16A2P-7E IT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-7E IT：L TR -
RFQ
 ECAD 8885 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 14ns
MT41J64M16JT-15E AAT:G TR Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-15E AAT：G TR -
RFQ
 ECAD 8800 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
MT53B384M32D2NP-062 AAT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062AAT：b -
RFQ
 ECAD 9672 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT41K256M8DA-107 IT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-107 IT：K Tr -
RFQ
 ECAD 7395 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT49H8M36FM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-33：B TR -
RFQ
 ECAD 3960 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 300 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8PM-053 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 4876 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MTFC32GAKAEDQ-AAT Micron Technology Inc. mtfc32gakaedq-aat -
RFQ
 ECAD 1074 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 100-lbga mtfc32g フラッシュ -ナンド - 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
JS28F512M29EWLB TR Micron Technology Inc. JS28F512M29EWLB TR -
RFQ
 ECAD 7766 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F512M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 110ns
MT41K256M8HX-15E:D Micron Technology Inc. MT41K256M8HX-15E：d -
RFQ
 ECAD 8835 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 13.5 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR -
RFQ
 ECAD 5490 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mt29vzzzad8 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,000
MT29F32G08CBACAL73A3WC1PV Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAL73A3WC1PV -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT40A1G16KNR-075 IT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G16KNR-075 IT：E TR 23.9400
RFQ
 ECAD 3355 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） - 557-MT40A1G16KNR-075IT：ETR 2,000 1.333 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT ES：e -
RFQ
 ECAD 5519 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT53D384M32D2DS-053 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT：E TR -
RFQ
 ECAD 4235 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT29F4G01AAADDHC:D Micron Technology Inc. mt29f4g01aaaddhc：d -
RFQ
 ECAD 6920 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
MTFC16GLWDQ-4M AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc16glwdq-4m ait z tr -
RFQ
 ECAD 4227 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CKCCBH7-6：C TR -
RFQ
 ECAD 5665 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-TBGA MT29E512G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT42L32M16D1AB-25 IT:A TR Micron Technology Inc. MT42L32M16D1AB-25 IT：A TR 5.5914
RFQ
 ECAD 5602 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 121-WFBGA MT42L32M16 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 121-FBGA （6.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit ドラム 32m x 16 平行 - 確認されていません
MT48LC16M16A2P-6A AIT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A AIT：G TR -
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 ECAD 2895 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
MT49H32M18CFM-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18CFM-25E：B Tr -
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 32m x 18 平行 -
M29W256GSH70ZS6E Micron Technology Inc. M29W256GSH70ZS6E -
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 ECAD 7075 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M29W256GSH70ZS6E 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
MT29F1T08EELEEJ4-R:E TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEEJ4-R：E Tr 21.4500
RFQ
 ECAD 7294 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C 表面マウント 132-VBGA フラッシュ-Nand （TLC） 2.6V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 557-MT29F1T08EELEEJ4-R：ETR 2,000 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT49H8M36BM-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-25E：B Tr -
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 ECAD 6654 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 15 ns ドラム 8m x 36 平行 -
MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-062 WT：D TR -
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 ECAD 2828 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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