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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G01AAADDHC-ITX：D TR -
RFQ
 ECAD 5521 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-IT：e 3.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
JS28F256J3D95B TR Micron Technology Inc. JS28F256J3D95B TR -
RFQ
 ECAD 2356 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F256J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 95ns
MT47H256M4CF-3:H TR Micron Technology Inc. MT47H256M4CF-3：H TR -
RFQ
 ECAD 9708 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H256M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 256m x 4 平行 15ns
NP8P128AE3T1760E Micron Technology Inc. NP8P128AE3T1760E -
RFQ
 ECAD 5927 0.00000000 Micron Technology Inc. OMN EO™ チューブ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 64-TBGA NP8P128A PCM （プラム） 2.7V〜3.6V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 不揮発性 128mbit 135 ns PCM （プラム） 16m x 8 平行、 spi 135ns
JS28F00AP30EFA Micron Technology Inc. JS28F00AP30EFA -
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F00AP30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 1gbit 110 ns フラッシュ 64m x 16 平行 110ns
N25Q064A13ESE40E Micron Technology Inc. N25Q064A13ESE40E -
RFQ
 ECAD 9138 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
PF38F4050M0Y3CFA Micron Technology Inc. PF38F4050M0Y3CFA -
RFQ
 ECAD 2645 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C（TA） 表面マウント 107-TFBGA 、CSPBGA 38F4050M0 フラッシュ - 1.7V〜2V 107フラッシュscsp - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 16m x 16 平行 96ns
MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K Micron Technology Inc. MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K -
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 mt29vzzzad9 - ROHS3準拠 557-MT29VZZZAD9FQFSM-046W.G9K 廃止 152
MT49H8M36FM-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-25 IT：b -
RFQ
 ECAD 5727 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
MT47H64M16B7-5E:A Micron Technology Inc. MT47H64M16B7-5E：a -
RFQ
 ECAD 9907 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 600 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
M28W320HSU70ZA6E Micron Technology Inc. M28W320HSU70ZA6E -
RFQ
 ECAD 2773 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TFBGA M28W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TFBGA（10.5x6.39） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M28W320HSU70ZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 816 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MT29F8T08ESLEEG4-QD:E Micron Technology Inc. MT29F8T08ESLEEG4-QD：e 211.8900
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F8T08ESLEEG4-QD：e 1
MT29VZZZAD9GUFSM-046 W.213 TR Micron Technology Inc. mt29vzzzad9gufsm-046 w.213 tr 17.0762
RFQ
 ECAD 8675 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29VZZZAD9GUFSM-046W.213TR 2,000
MT58L256V36PS-6TR Micron Technology Inc. MT58L256V36PS-6TR 5.9800
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 100 166 MHz 揮発性 8mbit 3.5 ns sram 256k x 36 平行 -
MTFC16GJGEF-AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc16gjgef-ait z tr -
RFQ
 ECAD 5925 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-TFBGA mtfc16g フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT48LC4M16A2P-6A:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-6A：J TR 3.9217
RFQ
 ECAD 2490 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 12ns
NAND512R3A2SN6F Micron Technology Inc. NAND512R3A2SN6F -
RFQ
 ECAD 1864年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND512 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFD12-AATE：F -
RFQ
 ECAD 8709 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 24-tbga MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046AAT：c 56.5050
RFQ
 ECAD 9598 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 556-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 556-WFBGA（12.4x12.4 ダウンロード 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT：c 1 2.133 GHz 揮発性 64gbit 3.5 ns ドラム 1g x 64 平行 18ns
MT41K512M8DA-107 IT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 IT：P Tr 5.7000
RFQ
 ECAD 9214 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT41K512M8DA-107IT：PTR ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
MTFC128GAOANAM-WT Micron Technology Inc. mtfc128gaoanam-wt -
RFQ
 ECAD 4466 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました MTFC128 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,520
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NK-062 XT ES：C -
RFQ
 ECAD 1515 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT41K1G4RH-125:E Micron Technology Inc. MT41K1G4RH-125：e -
RFQ
 ECAD 3649 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g4 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 1g x 4 平行 -
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CEHBBJ4-3R：b -
RFQ
 ECAD 5231 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
JS28F640J3D75D TR Micron Technology Inc. JS28F640J3D75D TR -
RFQ
 ECAD 8530 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F640J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 64mbit 75 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 75ns
MT29F16G08AJADAWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F16G08AJADAWP：D Tr -
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT55L256L32FT-12IT Micron Technology Inc. MT55L256L32FT-12IT 17.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 83 MHz 揮発性 8mbit 9 ns sram 256k x 32 平行 -
MT35XU256ABA1G12-0AUT TR Micron Technology Inc. mt35xu256aba1g12-0aut tr 7.3500
RFQ
 ECAD 9957 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 24-tbga mt35xu256 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT35XU256ABA1G12-0AUTTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 xccelaバス -
MTFC128GASAQJP-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc128gasaqjp-aat tr 57.1950
RFQ
 ECAD 8045 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - 557-MTFC128GASAQJP-AATTR 2,000 200 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 EMMC_5.1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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