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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M25P32-VMW6GBA | - |  | 8429 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | M25p3 2 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 75 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
 | MT48LC8M16A2P-75 IT：G TR | - | | 8979 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | EDF8132A3PF-GD-FD | - | | 4893 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDF8132 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
| M29F040B70N6E | - | | 4990 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29F040 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 32-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 70ns | |||
 | MT46H32M32LFMA-6それ：B Tr | - | | 4187 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-wfbga | MT46H32M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT48LC4M16A2TG-75 L：G TR | - | | 7913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT46V32M8TG-75：g | - | | 9050 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V32M8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 750 PS | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | mt29c4g48mazbaaks-5 wt tr | - | | 5923 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 137-VFBGA | MT29C4G48 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 137-VFBGA（13x10.5） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT46V32M4TG-5B：D Tr | - | | 1462 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V32M4 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| MT41K512M8DA-107 V：P Tr | 7.4400 | | 8442 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
| EDFP112A3PF-JDTJ-FD | - | | 1612 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | - | - | EDFP112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 933 MHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 192m x 128 | 平行 | - | ||||
 | MT25QU512ABB8ESF-0SIT | - | | 3017 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25QU512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | mt48h8m32lff5-8 it | - | | 4642 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 256mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||
 | MT58L1MY18DT-10 | 18.9400 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 18mbit | 5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
| MT29F2T08EELCHL4-QA：C Tr | 41.9550 | | 8860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EELCHL4-QA：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT53E512M32D2NP-046 WT：F TR | - | | 5868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 557-MT53E512M32D2NP-046WT：FTR | 廃止 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||||
| MT55V512V36FT-10 | 17.3600 | | 620 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | MT55V512V | sram- zbt | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
| MT40A1G16KH-062EAAT：E TR | 17.1750 | | 2371 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （9x13） | ダウンロード | 557-MT40A1G16KH-062EAAT：ETR | 3,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 16 | ポッド | 15ns | |||||||
| EDB2432B4MA-1DIT-FD | - | | 2672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 134-VFBGA | EDB2432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-VFBGA （10x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,100 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | 平行 | - | |||
| MT41K512M16TNA-125 IT：E TR | - | | 5519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 13.5 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | ||
| mtfc128gapalbh-ait | - | | 5037 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜85°C（タタ | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC128GAPALBH-AIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | ||||||
| MT29F512G08EBLEEJ4-QA：e | 13.2450 | | 2426 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QA：e | 1 | |||||||||||||||||||||
| mt53e4d1bsq-dc tr | 22.5000 | | 7747 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt53e4 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E4D1BSQ-DCTR | 2,000 | |||||||||||||||||||
 | MT47H32M16CC-5E IT：B TR | - | | 8151 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA（12x12.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 600 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F4G16ABAEAH4：e | - | | 9942 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
| mt53b4dbdt-dc | - | | 9040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | mt53b4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | 廃止 | 1,360 | 揮発性 | ドラム | |||||||||||||||||
| MT62F1536M64D8EK-026AAT：B TR | 94.8300 | | 2637 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1536M64D8EK-026AAT：BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5GX 64 | - | - | ||||||||
 | JS28F256M29EWHD | - | | 5766 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F256M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 110ns | |||
| EDFB164A1MA-JD-FD | - | | 7879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜85°C（TA） | EDFB164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | 933 MHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | 平行 | - | |||||||
| MT29F4G08ABBDAH4-IT：d | - | | 4981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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