- 中国語
- 英語
- フランス語
- ドイツ語
- ポルトガル語
- スペイン語
- ロシア
- 日本語
- 韓国語
- アラビア語
- アイルランド
- ギリシャ語
- トルコ語
- イタリア語
- デンマーク語
- ルーマニア人
- インドネシア語
- チェコ
- アフリカーンス
- スウェーデン語
- 研磨
- バスク
- カタロニア
- エスペラント
- ヒンディー語
- ラオス
- アルバニア語
- アムハラ語
- アルメニア人
- アゼルバイジャン
- ベラルーシ人
- ベンガル語
- ボスニア人
- ブルガリア
- セブアノ
- チチェワ
- コルシカ人
- クロアチア語
- オランダ語
- エストニアン
- フィリピン人
- フィンランド語
- フリジアン
- ガリシア語
- ジョージアン
- グジャラート語
- ハイチ人
- ハウサ
- ハワイアン
- ヘブライ語
- hmong
- ハンガリー
- アイスランド語
- イボ
- Javanese
- カンナダ
- カザフ
- クメール
- クルド
- キルギス
- ラテン
- ラトビアン
- リトアニアン
- ルクセンボウ..
- マケドニア語
- マラガシー
- マレー
- マラヤーラム語
- マルタ
- マオリ
- マラーティー
- モンゴル人
- ビルマ
- ネパール
- ノルウェー語
- パシュ
- ペルシャ語
- パンジャブ
- セルビア人
- セソト
- シンハラ
- スロバキア
- スロベニア人
- ソマリア
- サモアン
- スコットランドゲール語
- ショナ
- シンディ
- スンダネーゼ
- スワヒリ
- タジク
- タミル語
- テルグ語
- タイ
- ウクライナ人
- ウルドゥー語
- ウズベック
- ベトナム人
- ウェールズ
- xhosa
- イディッシュ語
- ヨルバ
- ズールー
- キニャルワンダ
- タタール
- オリヤ
- タークメン
- uyghur
メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F4G32D8DV-023 AUT：b | 145.4250 |  | 3151 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜125°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023AUT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 4g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MTFC8GACAENS-AAT | - | | 4850 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
 | mtfc128gapalns-it | - | | 4699 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 前回購入します | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | ||||
| MT42L128M64D2MC-18それ：TR | - | | 4028 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 240-WFBGA | MT42L128M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 240-FBGA（14x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | ||||
| MT29F512G08EBLEEJ4-R：E TR | 10.7250 | | 1826年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | 132-VBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.6V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-R：ETR | 2,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||||||||
 | M25P80-VMC6G | - | | 1124 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | M25P80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-UFDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
| mtfc4glwdm-4m aat z tr | - | | 7143 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mtfc4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | mtfc4glwdm-4maatztr | 廃止 | 1,000 | |||||||||||||||||
 | MT29F4G08ABAFAWP-AITES：f | - | | 5951 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | 1 （無制限） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||||
| MT46V32M16CY-5B XIT：J TR | - | | 4932 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA （8x12.5） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT46V32M16CY-5BXIT：JTR | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT53D512M32D2DS-053 AAT：D TR | 19.1100 | | 9882 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||
| MT52L256M64D2LZ-107 XT：B TR | - | | 6800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | 表面マウント | 216-WFBGA | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 216-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||
| MT53E256M32D2DS-053 WT：b | - | | 9091 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E256M32D2DS-053WT：b | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||
| MT29F8T08EULCHD5-M：C Tr | 167.8050 | | 8851 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F8T08EULCHD5-M：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| M29F400FB55M3T2 TR | - | | 6437 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 500 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
| MT62F1536M64D8EK-026 WT ES：b | 102.0600 | | 1696 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1536M64D8EK-026WTES：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5GX 64 | - | - | ||||||||
 | MT41K512M16HA-125 AIT：a | - | | 6111 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x14） | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 13.5 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT29F4G08AACHC：C Tr | - | | 3384 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT45W512KW16PEGA-70 WT TR | - | | 2698 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 48-VFBGA | MT45W512KW16 | psram（pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 8mbit | 70 ns | psram | 512K x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT53E128M32D2DS-046 AIT：A TR | - | | 8654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E128M32D2DS-046AIT：ATR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | |||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT：c | 31.9350 | | 2429 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AAT：c | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| mtfc4gacaaea-wt tr | - | | 9350 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C（タタ | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | |||||||
| MT29F4G08ABBDAHC-AIT：D TR | - | | 6665 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F256G08CMCABK3-10Z：a | - | | 6676 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | - | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
 | M25P16-VMP6TG TR | - | | 1911年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25P16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
| mtfc32gapalgt-s1 it | 25.8300 | | 6204 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | 箱 | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC32GAPALGT-S1IT | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
 | MT48H8M16LFB4-75：k | - | | 8209 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | M25P64-VMF6G | - | | 1660 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | M25P64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 50 | 50 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
| MT29F4T08EULEEM4-QC：e | 105.9150 | | 3388 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-QC：e | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT40A2G4PM-083E：a | - | | 3000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （9x13.2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 2g x 4 | 平行 | - | |||
| mtfc4glwdm-4m aat a tr | 11.0850 | | 8067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mtfc4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | mtfc4glwdm-4maatatr | 0000.00.0000 | 2,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
ウィッシュリスト（0アイテム）