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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 WT：B TR 17.9550
RFQ
 ECAD 6735 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA MT53E1G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E1G32D2FW-046WT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit 3.5 ns ドラム 1g x 32 平行 18ns
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAEAH4-IT：e -
RFQ
 ECAD 2176 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT47H256M4CF-3 IT:H Micron Technology Inc. MT47H256M4CF-3 IT：h -
RFQ
 ECAD 1788 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H256M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 256m x 4 平行 15ns
M29W640GT70NA6F TR Micron Technology Inc. M29W640GT70NA6F TR -
RFQ
 ECAD 4233 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT29TZZZ8D5BKFAH-125 W.95K Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5BKFAH-125 W.95K -
RFQ
 ECAD 4100 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C - - mt29tzzz8 フラッシュnand、dram -lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,520 800 MHz 不揮発性、揮発性 64GBIT （NAND ）、8GBIT「LPDDR3） フラッシュ、ラム 68g x 8 MMC 、LPDRAM -
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CECDBJ4-6R：D TR -
RFQ
 ECAD 5317 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT48V8M32LFF5-8 Micron Technology Inc. MT48V8M32LFF5-8 -
RFQ
 ECAD 5270 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA mt48v8m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA （8x13 - ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 125 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT29F1G08ABAEAH4:E TR Micron Technology Inc. mt29f1g08abaeah4：e tr 3.0700
RFQ
 ECAD 705 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NY-046 XT ES：E TR -
RFQ
 ECAD 7241 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MTFC32GLXDI-WT Micron Technology Inc. mtfc32glxdi-wt -
RFQ
 ECAD 4358 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント - mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MTFC128GAPALNS-AIT Micron Technology Inc. mtfc128gapalns-it -
RFQ
 ECAD 4699 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA MTFC128 フラッシュ -ナンド - 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
M29W160ET90N6 Micron Technology Inc. M29W160ET90N6 -
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 90 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 90ns
M29W256GH70ZS6E Micron Technology Inc. M29W256GH70ZS6E -
RFQ
 ECAD 3490 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
NAND512R3A2CZA6E Micron Technology Inc. NAND512R3A2CZA6E -
RFQ
 ECAD 9739 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA NAND512 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND512R3A2CZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 210 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B1G64D8NW-062 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 3232 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53B1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT29F256G08AKCBBK7-6:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AKCBBK7-6：B TR -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F256G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 167 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NW-062 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 6060 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
EDFB164A1PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFB164A1PB-JD-FD -
RFQ
 ECAD 6746 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C（TA） - - EDFB164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 933 MHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 平行 -
MT41K256M16TW-107 V:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 V：p -
RFQ
 ECAD 4914 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT29F256G08AMEBBK7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMEBBK7-12：B TR -
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F256G08 フラッシュ-nand（slc） 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT58L512L18FT-10 Micron Technology Inc. MT58L512L18FT-10 14.8300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 18 平行 -
MT62F1536M32D4DS-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 WT：b 34.2750
RFQ
 ECAD 7167 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 - 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1536M32D4DS-026WT：b 1 3.2 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBAAAWP-ITZ：TR -
RFQ
 ECAD 7988 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT29F4G08ABADAWP:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP：d 5.6000
RFQ
 ECAD 593 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR -
RFQ
 ECAD 5642 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-sop2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT25QU128ABA1ESE-MSITTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MTFC4GACAJCN-1M WT TR Micron Technology Inc. MTFC4GACAJCN-1M WT TR -
RFQ
 ECAD 7470 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC - 確認されていません
MT29F4T08EULCEM4-R:C Micron Technology Inc. MT29F4T08EULCEM4-R：c -
RFQ
 ECAD 6844 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F4T08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V - - 557-MT29F4T08EULCEM4-R：c 廃止 8542.32.0071 1,120 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 平行 -
EDFP264A2PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFP264A2PB-JD-FD -
RFQ
 ECAD 5451 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C（TA） - - EDFP264 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,190 933 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 平行 -
MT41K2G4TRF-125:E TR Micron Technology Inc. MT41K2G4TRF-125：E TR -
RFQ
 ECAD 8379 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K2G4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9.5x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 2g x 4 平行 -
MT29F512G08EBLGEJ4-ITF:G TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLGEJ4-ITF：G TR 17.6850
RFQ
 ECAD 9523 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F512G08EBLGEJ4-ITF：GTR 2,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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