SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー sicプログラム可能 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT41K512M16TNA-125:E TR Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-125：E Tr -
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 512m x 16 平行 -
MTFC64GAJAECE-AAT Micron Technology Inc. mtfc64gajaece-aat -
RFQ
 ECAD 9054 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 169-lfbga mtfc64 フラッシュ -ナンド - 169-lfbga - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
MT46H64M32LFKQ-5 IT:C Micron Technology Inc. MT46H64M32LFKQ-5 IT：c -
RFQ
 ECAD 5935 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,008 167 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
MT40A1G8WE-083E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083EAAT：b -
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （8x12） ダウンロード 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,900 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
MT46V32M16CY-5B AIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CY-5B AIT：J TR -
RFQ
 ECAD 4567 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
EDF8164A3MD-GD-F-D TR Micron Technology Inc. EDF8164A3MD-GD-FD TR -
RFQ
 ECAD 6450 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDF8164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,400 800 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
MT48LC8M16LFTG-75:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFTG-75：g -
RFQ
 ECAD 5037 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT49H8M36BM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-33：B TR -
RFQ
 ECAD 9649 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 300 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
M58WR032KU70ZA6U TR Micron Technology Inc. M58WR032KU70ZA6U TR -
RFQ
 ECAD 2655 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-VFBGA M58WR032 フラッシュ - 1.7V〜2V 44-VFBGA （7.5x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MT29F16G08ABECBM72A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F16G08ABECBM72A3WC1P -
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AIT：d 23.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 前回購入します -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT47H64M16HR-25E AAT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E AAT：H TR -
RFQ
 ECAD 8925 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT29F256G08AMEBBH7-12:B Micron Technology Inc. MT29F256G08AMEBBH7-12：b -
RFQ
 ECAD 7116 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-TBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand（slc） 2.5V〜3.6V 152-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT41K256M16TW-093:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-093：P Tr 5.2703
RFQ
 ECAD 5905 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
M25P32-VMW6TGBA TR Micron Technology Inc. M25P32-VMW6TGBA TR -
RFQ
 ECAD 1542 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） M25p3​​ 2 フラッシュ - 確認されていません 2.7V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 75 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi 15ms、5ms
EMF8132A3PF-DV-F-D Micron Technology Inc. EMF8132A3PF-DV-FD -
RFQ
 ECAD 9861 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ EMF8132 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,680
MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR -
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-6 AT：C TR -
RFQ
 ECAD 7626 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT46H256M32L4JV-5 WT:B Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-5 WT：b -
RFQ
 ECAD 5551 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 8gbit 5 ns ドラム 256m x 32 平行 15ns
N25Q256A11E1240E Micron Technology Inc. N25Q256A11E1240E -
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q256A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 187 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT53E4G32D8CY-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E4G32D8CY-046 WT：c 90.4650
RFQ
 ECAD 9649 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C - - SDRAM-モバイルLPDDR4 - - - 557-MT53E4G32D8CY-046WT：c 1 2.133 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 4g x 32 平行 -
M25P32-VMW6GBA Micron Technology Inc. M25P32-VMW6GBA -
RFQ
 ECAD 8429 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） M25p3​​ 2 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 75 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi 15ms、5ms
MT48LC8M16A2P-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-75 IT：G TR -
RFQ
 ECAD 8979 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
EDF8132A3PF-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8132A3PF-GD-FD -
RFQ
 ECAD 4893 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDF8132 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,680 800 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
M29F040B70N6E Micron Technology Inc. M29F040B70N6E -
RFQ
 ECAD 4990 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F040 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 32-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 156 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 512k x 8 平行 70ns
MT46H32M32LFMA-6 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFMA-6それ：B Tr -
RFQ
 ECAD 4187 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-wfbga MT46H32M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 32m x 32 平行 15ns
MT48LC4M16A2TG-75 L:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-75 L：G TR -
RFQ
 ECAD 7913 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MT46V32M8TG-75:G Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-75：g -
RFQ
 ECAD 9050 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 750 PS ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT29C4G48MAZBAAKS-5 WT TR Micron Technology Inc. mt29c4g48mazbaaks-5 wt tr -
RFQ
 ECAD 5923 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-VFBGA MT29C4G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA（13x10.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
MT46V32M4TG-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V32M4TG-5B：D Tr -
RFQ
 ECAD 1462 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 200 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 32m x 4 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます