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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT58L128V36P1F-5 | 7.7500 |  | 103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 4mbit | 2.8 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
 | MT29F128G08AMCDBL1-6：D TR | - | | 7343 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT29F4T08GMLBEJ4：b | - | | 4393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F4T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 557-MT29F4T08GMLBEJ4：b | 廃止 | 1,120 | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | 平行 | - | |||||||
| mt53e2d1bfw-dc | 22.5000 | | 7324 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | mt53e2 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E2D1BFW-DC | 1,360 | |||||||||||||||||||
 | MT29F2G01ABAGD12-IT：G TR | - | | 5973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT29F2G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | |||
| MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR | - | | 7975 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | - | - | MT29RZ4C8 | フラッシュ-nand、dram -lpddr2 | 1.8V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 533 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr2） | フラッシュ、ラム | 256M x 16 | 平行 | - | |||
 | MT29F128G08AMEDBJ5-12：d | - | | 6537 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | - | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 83 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||
| MT29C1G12MAACAEAKC-6 IT | - | | 7553 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 107-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 107-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit（nand | フラッシュ、ラム | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F64G08CECDBJ4-10：D TR | - | | 3615 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT47H32M16NF-25E AUT：H TR | - | | 6979 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| PN28F256M29EWHA | - | | 3492 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | - | - | PN28F256M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,560 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 100ns | |||
 | MT41K512M8DA-107 AAT：P Tr | 9.6400 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
| MT29F768G08EECBBJ4-37：B TR | - | | 7421 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F768G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 不揮発性 | 768GBIT | フラッシュ | 96g x 8 | 平行 | - | |||
| MT42L256M32D2LG-25 WT：a | - | | 1880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 168-wfbga | MT42L256M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 168-FBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 400 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | |||
 | mtfc32gakaejp-ait tr | - | | 4995 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | |||||
| mt52l1dapf-dc tr | - | | 5064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | MT52L1 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
 | MT29F256G08AUAAAC5-IT：a | - | | 2654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 52-VLGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 52-VLGA（18x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
 | M29W256GH70ZA6F TR | - | | 6856 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT60B2G8HS-48B AAT：A TR | 31.3050 | | 2139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | - | - | SDRAM -DDR5 | - | - | - | 557-MT60B2G8HS-48BAAT：ATR | 3,000 | 2.4 GHz | 揮発性 | 16gbit | 16 ns | ドラム | 2g x 8 | ポッド | - | |||||||
 | MT29F256G08AUEDBJ6-12：d | - | | 9738 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-lbga | MT29F256G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.5V〜3.6V | 132-lbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,120 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
 | mtfc128gajaece-5m ait tr | - | | 1158 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-lfbga | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | 169-lfbga | - | 1 （無制限） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | ||||||
| MT25QL256ABA1EW9-0AAT | - | | 8904 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MT25QL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wpdfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | MT53E1536M32D4DE-046 AIT：C TR | 36.5850 | | 3428 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT：CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 1.5GX 32 | 平行 | 18ns | ||||||
 | MT48LC4M32LFB5-8 XT：g | - | | 5305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | -20°C〜75°C（TA） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48LC4M32 | SDRAM- lPSDR | 3V〜3.6V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 128mbit | 7 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT46H64M32LFCX-5 IT：b | - | | 3402 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
 | MT41J64M16JT-125E：g | - | | 9709 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR | - | | 9982 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu02 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | xccelaバス | - | |||
| MT29GZ5A5BPGGA-53ITE.87J | - | | 4663 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 149-WFBGA | MT29GZ5A5 | フラッシュ-Nand dram -lpddr4 | 1.8V | 149-WFBGA （8x9.5） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 1866 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr4） | フラッシュ、ラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-R：E TR | 42.9300 | | 4484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | 132-VBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.6V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-R：ETR | 2,000 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||||||||
| MT29F2G16ABAFAWP：F | - | | 8708 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | MT29F2G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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