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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT48H16M32L2F5-10 Micron Technology Inc. MT48H16M32L2F5-10 -
RFQ
 ECAD 3897 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 100 MHz 揮発性 512mbit 7.5 ns ドラム 16m x 32 平行 -
MT29F4G08AACWC-ET:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08AACWC-ET：C Tr -
RFQ
 ECAD 5868 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT48LC8M16A2F4-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2FF4-75：G TR -
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 ECAD 2016年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
JS28F320J3F75A Micron Technology Inc. JS28F320J3F75A -
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 ECAD 8112 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F320J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 32mbit 75 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 75ns
MT62F1G32D2DS-023 AIT:C Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 AIT：c 29.0250
RFQ
 ECAD 8414 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ - 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D2DS-023AIT：c 1 4.266 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
MT41K64M16TW-107 AIT:J Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 AIT：J 4.0764
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 ECAD 2169 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,224 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
M29DW323DT70N6F TR Micron Technology Inc. M29DW323DT70N6F TR -
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 ECAD 6401 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29DW323 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
MT28F400B5WP-8 B TR Micron Technology Inc. MT28F400B5WP-8 B TR -
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 ECAD 1798 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F400B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
MT40A4G4DVN-075H:E Micron Technology Inc. MT40A4G4DVN-075H：e -
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 ECAD 8926 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MT40A4G4DVN-075H：e 廃止 210 1.33 GHz 揮発性 16gbit 27 ns ドラム 4g x 4 平行 -
MT29F128G08CKCCBH2-12:C Micron Technology Inc. MT29F128G08CKCCBH2-12：c -
RFQ
 ECAD 3529 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-TBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT62F2G64D8EK-023 WT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT：C TR 90.4650
RFQ
 ECAD 4584 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F2G64D8EK-023WT：CTR 2,000 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 2g x 64 平行 -
M36L0R7050T4ZSPE Micron Technology Inc. M36L0R7050T4ZSPE -
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 M36L0R7050 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,560
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR Micron Technology Inc. mt29f4g01abafdwb-it：f tr -
RFQ
 ECAD 1109 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-updfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
MT29F1G08ABBEAM68M3WC1L Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAM68M3WC1L 2.8800
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 ECAD 8851 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F1G08 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F1G08ABBEAM68M3WC1L 1 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 - -
MT48LC32M8A2P-75 IT:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-75 IT：d -
RFQ
 ECAD 4244 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT47H512M4THN-3:E TR Micron Technology Inc. mt47h512m4thn-3：e tr -
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 63-TFBGA MT47H512M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 63-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0036 2,000 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 512m x 4 平行 15ns
MT29F512G08EBLCEJ4-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLCEJ4-R：C Tr -
RFQ
 ECAD 4651 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.6V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F512G08EBLCEJ4-R：CTR 廃止 8542.32.0071 2,000 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-E：E TR -
RFQ
 ECAD 4211 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
M29W256GH7AN6E Micron Technology Inc. M29W256GH7AN6E -
RFQ
 ECAD 8097 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AT：E TR -
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT29F64G08AECABJ1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABJ1-10Z：a -
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 ECAD 8239 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MTFC64GAJAEDN-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc64gajaedn-it tr -
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 ECAD 4000 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-lfbga mtfc64 フラッシュ -ナンド - 169-lfbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
EMBA232B2PB-DV-F-D Micron Technology Inc. EMBA232B2PB-DV-FD -
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,680
MT48LC8M32B2B5-6 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2B5-6 TR -
RFQ
 ECAD 9459 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 12ns
EMFA232A2PF-DV-F-R TR Micron Technology Inc. EMFA232A2PF-DV-FR TR -
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ EMFA232 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
JR28F032M29EWTB TR Micron Technology Inc. JR28F032M29EWTB TR -
RFQ
 ECAD 1709 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JR28F032M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
MT29F2G16AADWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F2G16AADWP：D Tr -
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT53D768M64D4SQ-053 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SQ-053 WT ES：A TR -
RFQ
 ECAD 8332 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.8C TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.8C TR -
RFQ
 ECAD 8774 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ mt29rz4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
MT48LC16M16A2B4-6A IT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-6A IT：g 6.0918
RFQ
 ECAD 1948年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,560 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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