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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
N25Q128A13EW7DFE Micron Technology Inc. N25Q128A13EW7DFE -
RFQ
 ECAD 1983年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT46H256M32R4JV-5 IT:B Micron Technology Inc. MT46H256M32R4JV-5それ：b -
RFQ
 ECAD 1512 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 8gbit 5 ns ドラム 256m x 32 平行 15ns
MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C Micron Technology Inc. MT29F2T08CTCCBJ7-6C：c -
RFQ
 ECAD 3344 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F2T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
MT41J128M16JT-125:K TR Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-125：K Tr 5.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT28F320J3BS-11 GMET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3BS-11 GMET TR -
RFQ
 ECAD 5410 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
MT40A2G8NEA-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A2G8NEA-062E：R Tr 21.7650
RFQ
 ECAD 4628 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A2G8NEA-062E：RTR 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 13.75 ns ドラム 2g x 8 平行 15ns
N25Q512A83G1241F TR Micron Technology Inc. N25Q512A83G1241F TR -
RFQ
 ECAD 4734 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q512A83 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 128m x 4 spi 8ms、5ms
MT62F2G32D4DS-023 FAAT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 FAAT：C TR 63.8550
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT62F2G32D4DS-023FAAT：CTR 2,000
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR -
RFQ
 ECAD 1758 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mt29rz4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT46V64M8TG-5B IT:J Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-5B IT：J -
RFQ
 ECAD 1835 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
EDB4064B3PB-8D-F-D Micron Technology Inc. EDB4064B3PB-8D-FD -
RFQ
 ECAD 5984 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 216-WFBGA EDB4064 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 216-WFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,680 400 MHz 揮発性 4gbit ドラム 64m x 64 平行 -
MT47H128M4SH-25E:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M4SH-25E：H TR -
RFQ
 ECAD 2388 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT47H128M4SH-25E：HTR ear99 8542.32.0028 2,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT40A512M8RH-083E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083EAAT：b -
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
MT47H128M16RT-25E AIT:C Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E AIT：c 13.3500
RFQ
 ECAD 7967 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H128M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （9x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
MT41K2G4TRF-125:E Micron Technology Inc. MT41K2G4TRF-125：e -
RFQ
 ECAD 5022 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K2G4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9.5x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 2g x 4 平行 -
MT40A512M16JY-083E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-083EIT：B TR -
RFQ
 ECAD 6440 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
MT44K16M36RB-107E IT:B Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107E IT：b -
RFQ
 ECAD 9522 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 168-TBGA MT44K16M36 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,190 933 MHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 16m x 36 平行 -
MT42L64M32D1TK-18 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT42L64M32D1TK-18 AAT：C Tr -
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 134-wfbga MT42L64M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-FBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 533 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 -
N25Q256A13E1241F TR Micron Technology Inc. N25Q256A13E1241F TR -
RFQ
 ECAD 2715 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q256A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT53E1G16D1FW-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046AAT：a 15.9600
RFQ
 ECAD 6318 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 557-MT53E1G16D1FW-046AAT：a 1 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 1g x 16 平行 18ns
EDF8132A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDF8132A3PB-JD-FD -
RFQ
 ECAD 3336 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント - EDF8132 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 216-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,680 933 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
MT48LC16M16A2P-7E IT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E IT：g -
RFQ
 ECAD 6730 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,080 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 14ns
N25Q256A13EF840E Micron Technology Inc. N25Q256A13EF840E -
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q256A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1565 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-JDTJ-FR TR -
RFQ
 ECAD 7866 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - EDFP112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 192m x 128 平行 -
MTFC128GAJAECE-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc128gajaece-aat tr -
RFQ
 ECAD 4091 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 169-lfbga MTFC128 フラッシュ -ナンド - 169-lfbga - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MT53E512M32D1NP-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1NP-046 WT：b 11.7600
RFQ
 ECAD 3507 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 表面マウント 200-WFBGA MT53E512 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E512M32D1NP-046WT：b 1,360
MT25QU512ABB8E56-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8E56-0SIT TR 7.0650
RFQ
 ECAD 8759 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ - - MT25QU512 フラッシュ - 1.7V〜2V - ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MTFC64GJVDN-3M WT Micron Technology Inc. mtfc64gjvdn-3m wt -
RFQ
 ECAD 6679 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-lfbga mtfc64 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-lfbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
MTFC32GAMALAM-WT Micron Technology Inc. mtfc32gamalam-wt -
RFQ
 ECAD 7120 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - mtfc32g フラッシュ -ナンド - - - 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,520 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT40A512M16TD-062E AIT:R TR Micron Technology Inc. MT40A512M16TD-062E AIT：R Tr -
RFQ
 ECAD 4133 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 96-TFBGA 96-FBGA （7.5x13 - 影響を受けていない 557-MT40A512M16TD-062EAIT：RTR 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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