画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RC28F256J3F95A | - | ![]() | 8760 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-easybga (10x13) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 864 | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 95ns | |||
![]() | NAND32GW3F2DDI6P | - | ![]() | 3547 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | NAND32G | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 960 | |||||||||||||||||
![]() | PC48F4400P0TB00D | - | ![]() | 1430 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 64-lbga | PC48F4400 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga (10x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 52 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 85 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 85ns | ||
![]() | MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR | - | ![]() | 7632 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 253-VFBGA | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 253-VFBGA (11x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1067 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||
MT29F1G08ABAFAWP-AAT:f | 2.9984 | ![]() | 8103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F1G08 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MT29F1G08ABAFAWP-AAT:f | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 1gbit | 20 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 20ns | ||||
MT41K128M16JT-125 AUT:k | 6.1693 | ![]() | 6722 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | MT29F2T08EELCHD4-QC:c | 41.9550 | ![]() | 2267 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-QC:c | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT4A2G8NRE-83E:b | - | ![]() | 7505 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | MT4A2 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,020 | |||||||||||||||||
MT46V64M8CV-5B IT:J | - | ![]() | 7775 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | MT53E1536M32D4DT-046 AIT:a | - | ![]() | 4395 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | MT53E1536 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT53E1536M32D4DT-046AIT:a | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 1.5GX 32 | - | - | |||||
![]() | MT29F256G08CEEABH6-12IT:TR | - | ![]() | 1802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 152-VBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.5V〜3.6V | 152-VBGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | mt45v256kw16pega-55 wt tr | - | ![]() | 1543 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 48-VFBGA | MT45V256KW16 | psram(pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | psram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | MT47H64M8CB-25:b | - | ![]() | 8606 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
mt40a1g8we-083e aut:b | - | ![]() | 3739 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (8x12) | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,900 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | MT40A256M16GE-062E IT:b | - | ![]() | 4753 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA (9x14) | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
MT40A2G8NEA-062E:J TR | - | ![]() | 1208 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 557-MT40A2G8NEA-062E:JTR | 廃止 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | MT62F4G32D8DV-023 IT:B TR | 99.5250 | ![]() | 6240 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023IT:BTR | 2,000 | 4.266 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 4g x 32 | 平行 | - | ||||||||
![]() | MT48LC32M8A2BB-75:d | - | ![]() | 5802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-FBGA | MT48LC32M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-FBGA (8x16) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | mt53b4dabnk-dc | - | ![]() | 2600 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 表面マウント | 366-WFBGA | mt53b4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 366-WFBGA (15x15) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 揮発性 | ドラム | ||||||||||
![]() | MT48LC32M4A2P-7E:g | - | ![]() | 4856 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC32M4A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 4 | 平行 | 14ns | ||
![]() | TE28F256P33TFA | - | ![]() | 1406 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | 28F256p33 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 105 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 105ns | ||
MT29F8G0808ADAFAWP-AIT:f | 11.6600 | ![]() | 999 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F8G08 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | MT40A512M8SA-075:F | 8.3250 | ![]() | 5562 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | ダウンロード | 557-MT40A512M8SA-075:F | 1 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 512m x 8 | ポッド | 15ns | |||||||
![]() | MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR | - | ![]() | 6113 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | mt29rz4 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
![]() | mt28f400b5sg-8 t tr | - | ![]() | 3459 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) | MT28F400B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | |||
![]() | mt29vzzzbdafqkwl-046 w.g0j tr | 83.2350 | ![]() | 3193 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 254-BGA | フラッシュnand、dram -lpddr4x | - | 254-MCP | - | 557-MT29VZZZBDAFQKWL-046W.G0JTR | 2,000 | 2.133 GHz | 不揮発性、揮発性 | 2tbit (nand )、48gbit (lpddr4x) | フラッシュ、ラム | 256g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | MT29C4G96MAYAPCMJ-5 IT | - | ![]() | 6255 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | - | - | MT29C4G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit(nand | フラッシュ、ラム | 512M x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT29F64G08AECABH1-10ITZ:TR | 73.5900 | ![]() | 6310 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | mtfc32gakaejp-5m ait tr | - | ![]() | 5747 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 153-VFBGA (11.5x13 | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | |||||
MT29F2G088888ABAGAWP-IT:g | 2.8500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - |
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