SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
RC28F256J3F95A Micron Technology Inc. RC28F256J3F95A -
RFQ
ECAD 8760 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga (10x13) ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 864 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 95ns
NAND32GW3F2DDI6P Micron Technology Inc. NAND32GW3F2DDI6P -
RFQ
ECAD 3547 0.00000000 Micron Technology Inc. - 廃止 NAND32G - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 960
PC48F4400P0TB00D Micron Technology Inc. PC48F4400P0TB00D -
RFQ
ECAD 1430 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 64-lbga PC48F4400 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga (10x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 52 MHz 不揮発性 512mbit 85 ns フラッシュ 32m x 16 平行 85ns
MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR -
RFQ
ECAD 7632 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 253-VFBGA MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V 253-VFBGA (11x11.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1067 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAFAWP-AAT:f 2.9984
RFQ
ECAD 8103 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F1G08 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 557-MT29F1G08ABAFAWP-AAT:f 8542.32.0071 96 不揮発性 1gbit 20 ns フラッシュ 128m x 8 平行 20ns
MT41K128M16JT-125 AUT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 AUT:k 6.1693
RFQ
ECAD 6722 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT29F2T08EELCHD4-QC:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHD4-QC:c 41.9550
RFQ
ECAD 2267 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ - 557-MT29F2T08EELCHD4-QC:c 1
MT4A2G8NRE-83E:B Micron Technology Inc. MT4A2G8NRE-83E:b -
RFQ
ECAD 7505 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ MT4A2 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 0000.00.0000 1,020
MT46V64M8CV-5B IT:J Micron Technology Inc. MT46V64M8CV-5B IT:J -
RFQ
ECAD 7775 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA (8x12.5) ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT53E1536M32D4DT-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DT-046 AIT:a -
RFQ
ECAD 4395 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) MT53E1536 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない MT53E1536M32D4DT-046AIT:a 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 1.5GX 32 - -
MT29F256G08CEEABH6-12IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CEEABH6-12IT:TR -
RFQ
ECAD 1802 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 152-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand (mlc) 2.5V〜3.6V 152-VBGA(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT45V256KW16PEGA-55 WT TR Micron Technology Inc. mt45v256kw16pega-55 wt tr -
RFQ
ECAD 1543 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 48-VFBGA MT45V256KW16 psram(pseudo sram 2.7V〜3.6V 48-VFBGA (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 55 ns psram 256k x 16 平行 55ns
MT47H64M8CB-25:B Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-25:b -
RFQ
ECAD 8606 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT40A1G8WE-083E AUT:B Micron Technology Inc. mt40a1g8we-083e aut:b -
RFQ
ECAD 3739 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (8x12) ダウンロード 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,900 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
MT40A256M16GE-062E IT:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-062E IT:b -
RFQ
ECAD 4753 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA (9x14) - 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
MT40A2G8NEA-062E:J TR Micron Technology Inc. MT40A2G8NEA-062E:J TR -
RFQ
ECAD 1208 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (7.5x11) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 557-MT40A2G8NEA-062E:JTR 廃止 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 2g x 8 平行 15ns
MT62F4G32D8DV-023 IT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 IT:B TR 99.5250
RFQ
ECAD 6240 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023IT:BTR 2,000 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 4g x 32 平行 -
MT48LC32M8A2BB-75:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2BB-75:d -
RFQ
ECAD 5802 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-FBGA MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 60-FBGA (8x16) ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT53B4DABNK-DC Micron Technology Inc. mt53b4dabnk-dc -
RFQ
ECAD 2600 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 表面マウント 366-WFBGA mt53b4 SDRAM-モバイルLPDDR4 366-WFBGA (15x15) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,190 揮発性 ドラム
MT48LC32M4A2P-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC32M4A2P-7E:g -
RFQ
ECAD 4856 0.00000000 Micron Technology Inc. - sicで中止されました 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC32M4A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 32m x 4 平行 14ns
TE28F256P33TFA Micron Technology Inc. TE28F256P33TFA -
RFQ
ECAD 1406 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) 28F256p33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2(1 年) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 576 40 MHz 不揮発性 256mbit 105 ns フラッシュ 16m x 16 平行 105ns
MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F Micron Technology Inc. MT29F8G0808ADAFAWP-AIT:f 11.6600
RFQ
ECAD 999 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F8G08 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT40A512M8SA-075:F Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-075:F 8.3250
RFQ
ECAD 5562 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (7.5x11) ダウンロード 557-MT40A512M8SA-075:F 1 1.333 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 512m x 8 ポッド 15ns
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR -
RFQ
ECAD 6113 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ mt29rz4 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
MT28F400B5SG-8 T TR Micron Technology Inc. mt28f400b5sg-8 t tr -
RFQ
ECAD 3459 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) MT28F400B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J TR Micron Technology Inc. mt29vzzzbdafqkwl-046 w.g0j tr 83.2350
RFQ
ECAD 3193 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 254-BGA フラッシュnand、dram -lpddr4x - 254-MCP - 557-MT29VZZZBDAFQKWL-046W.G0JTR 2,000 2.133 GHz 不揮発性、揮発性 2tbit (nand )、48gbit (lpddr4x) フラッシュ、ラム 256g x 8 UFS2.1 -
MT29C4G96MAYAPCMJ-5 IT Micron Technology Inc. MT29C4G96MAYAPCMJ-5 IT -
RFQ
ECAD 6255 0.00000000 Micron Technology Inc. - 廃止 -40°C〜85°C(タタ - - MT29C4G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V - ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit(nand フラッシュ、ラム 512M x 8 平行 -
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10ITZ:TR 73.5900
RFQ
ECAD 6310 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MTFC32GAKAEJP-5M AIT TR Micron Technology Inc. mtfc32gakaejp-5m ait tr -
RFQ
ECAD 5747 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド - 153-VFBGA (11.5x13 - 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G Micron Technology Inc. MT29F2G088888ABAGAWP-IT:g 2.8500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫