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メモリ（364）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
ndl88pfo-9met	18.6200	RFQ	2930	Insignis Technology Corporation	NDL88P	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （9x10.6	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL88PFO-9MET			180	933 MHz	揮発性	8gbit		ドラム	1g x 8	平行	-
ndl86pfg-9mit	19.7505	RFQ	4360	Insignis Technology Corporation	NDL86P	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （9x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-ndl86pfg-9mit			180	933 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns
NDL86PFG-8KIT	19.7505	RFQ	7979	Insignis Technology Corporation	NDL86P	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （9x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL86PFG-8KIT			180	800 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns
NDS73PT9-16ET	3.3306	RFQ	9805	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS73PT9-16ET			108	166 MHz	揮発性	128mbit		ドラム	4m x 32	lvttl	-
NDS66PT5-16ET	1.5891	RFQ	2094	Insignis Technology Corporation	NDS66P	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS66PT5-16ET			108	166 MHz	揮発性	64mbit		ドラム	4m x 16	lvttl	-
NDS63PT9-16IT	2.4011	RFQ	8299	Insignis Technology Corporation	NDS63P	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS63PT9-16IT			108	166 MHz	揮発性	64mbit	5.4 ns	ドラム	2m x 32	lvttl	-
ndl86pfg-9met tr	18.6200	RFQ	8407	Insignis Technology Corporation	NDL86P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （9x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL86PFG-9METTR			2,000	933 MHz	揮発性	8gbit		ドラム	512m x 16	平行	-
NDS36PBA-16AT	3.7210	RFQ	1173	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS36PBA-16AT			348
NDS76PT5-20IT TR	3.3300	RFQ	6	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	NDS76PT5	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,000	200 MHz	揮発性	128mbit	4.5 ns	ドラム	8m x 16	平行	10ns
NDQ46PFI-7NIT	9.0000	RFQ	7072	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDQ46PFI-7NIT			1,500	1.333 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
ndl26pfg-9met tr	-	RFQ	2971	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （9x13）	-				1982-NDL26PFG-9METTR	廃止		2,000	933 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
NDL28PFR-9MET	6.6000	RFQ	3224	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	78-VFBGA	NDL28	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.5	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	1982-NDL28PFR-9MET	ear99	8542.32.0036	210	933 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	256m x 8	平行	15ns
ndl26pfj-9mit tr	-	RFQ	3178	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-ndl26pfj-9mittr	廃止		2,000	933 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
ndl26pfj-8ket tr	-	RFQ	3635	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDL26PFJ-8Kettr	廃止		2,000	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
NSEC00K032-IT	37.5000	RFQ	3490	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ		表面マウント	100-lbga	NSEC00			100-BGA（14x18）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	98									確認されていません
NDB26PFC-5EET	6.7978	RFQ	2003年	Insignis Technology Corporation	NDB2	トレイ	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDB26PFC-5EET			209	533 MHz	揮発性	2Gbit		ドラム	128m x 16	SSTL_18	-
NLQ46PFS-6NET	9.9644	RFQ	4893	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NLQ46PFS-6NET			136	1.6 GHz	揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 16	LVSTL	18ns
NLQ46PFS-8NET TR	14.7500	RFQ	5052	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,000	1.2 GHz	揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 16	LVSTL	18ns
NSEC53K004-AT	16.9716	RFQ	6255	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-nand （mlc）	3.3V	153-FBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NSEC53K004-AT			152	200 MHz	不揮発性	32gbit		フラッシュ	4g x 8	EMMC_5	-
nlq83pfs-8nat tr	31.1400	RFQ	7377	Insignis Technology Corporation	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,000	1.2 GHz	揮発性	8gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 32	LVSTL	18ns
NLQ83PFS-8NET TR	25.2300	RFQ	9517	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,000	1.2 GHz	揮発性	8gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 32	LVSTL	18ns
NLQ43PFS-6NET	9.9644	RFQ	6248	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NLQ43PFS-6NET			136	1.6 GHz	揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 32	LVSTL	18ns
NSEC53K016-AT	25.5360	RFQ	8162	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-nand （mlc）	3.3V	153-FBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NSEC53K016-AT			152	200 MHz	不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	EMMC_5	-
nlq46pfs-6nat tr	18.8400	RFQ	5478	Insignis Technology Corporation	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,000	1.6 GHz	揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 16	LVSTL	18ns
NLQ43PFS-6NAT	12.7287	RFQ	7276	Insignis Technology Corporation	aec-q100	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NLQ43PFS-6NAT			136	1.6 GHz	揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 32	LVSTL	18ns
nlq26pfs-6nat tr	12.4700	RFQ	7620	Insignis Technology Corporation	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,000	1.6 GHz	揮発性	2Gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 16	LVSTL	18ns
nlq83pfs-6nat tr	32.0600	RFQ	3286	Insignis Technology Corporation	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,000	1.6 GHz	揮発性	8gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 32	LVSTL	18ns
NLQ43PFS-8NET	10.3075	RFQ	6872	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NLQ43PFS-8NET			136	1.2 GHz	揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 32	LVSTL	18ns
NLQ46PFS-8NET	9.9644	RFQ	9097	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NLQ46PFS-8NET			136	1.2 GHz	揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 16	LVSTL	18ns
NLQ46PFS-8NAT TR	18.3000	RFQ	1294	Insignis Technology Corporation	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,000	1.2 GHz	揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 16	LVSTL	18ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（364）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²