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メモリ（364）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
NDD36PT6-2AET TR	2.3914	RFQ	1830	Insignis Technology Corporation	ndd	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	-				1982-NDD36PT6-2AETTR			1,000	200 MHz	揮発性	256mbit		ドラム	16m x 16	SSTL_2	-
NDL26PFI-8KEK	6.4500	RFQ	2743	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDL26PFI-8KEK			1,500	800 MHz	揮発性	2Gbit		ドラム	128m x 16	平行	-
NLQ83PFS-8NIT	21.6750	RFQ	3894	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	-				1982-NLQ83PFS-8NIT			2,000	1.2 GHz	揮発性	8gbit		ドラム	256m x 32	LVSTL	-
ndl88pfo-9met tr	18.6200	RFQ	6333	Insignis Technology Corporation	NDL88P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （9x10.6	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL88PFO-9METTR			2,000	933 MHz	揮発性	8gbit		ドラム	1g x 8	平行	-
NSEC53T016-IT	18.0000	RFQ	6510	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	153-FBGA （11.5x13	-				1982-NSEC53T016-IT			1,520	200 MHz	不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	EMMC_5.1	-
NDD56PT6-2AET	2.5508	RFQ	1576	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	-				1982-NDD56PT6-2AET			1,000	200 MHz	揮発性	512mbit		ドラム	32m x 16	SSTL_2	-
NDS76PT5-16IT	2.2048	RFQ	2923	Insignis Technology Corporation	NDS76P	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS76PT5-16IT			108	166 MHz	揮発性	128mbit	5 ns	ドラム	8m x 16	lvttl	12ns
NDL26PFI-8KIT	6.7500	RFQ	4577	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDL26PFI-8KIT			1,500	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
ndb56pfc-4dit tr	2.4448	RFQ	5373	Insignis Technology Corporation	NDB5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	-				1982-NDB56PFC-4DITTR			2,500	400 MHz	揮発性	512mbit	400 PS	ドラム	32m x 16	SSTL_18	15ns
NDL28PFR-8KIT TR	6.2016	RFQ	7407	Insignis Technology Corporation	NDL28P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL28PFR-8KITTR			2,500	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	256m x 8	平行	15ns
NLQ83PFS-6NET	17.8885	RFQ	9122	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NLQ83PFS-6NET			136	1.6 GHz	揮発性	8gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 32	LVSTL	18ns
NSEC53T064-AT	73.1250	RFQ	6346	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	153-FBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NSEC53T064-AT			152	200 MHz	不揮発性	512gbit		フラッシュ	64g x 8	EMMC_5.1	-
ndl86pfg-9met	18.6200	RFQ	1270	Insignis Technology Corporation	NDL86P	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （9x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL86PFG-9MET			180	933 MHz	揮発性	8gbit		ドラム	512m x 16	平行	-
nds38pt5-16it tr	2.7110	RFQ	1907	Insignis Technology Corporation	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS38PT5-16ITTR			1,000
NDS73PBE-16AT	4.0505	RFQ	5907	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS73PBE-16AT			190
NDQ46PFP-8NIT TR	-	RFQ	3459	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	-	-				1982-NDQ46PFP-8NITTR	廃止		2,500	1.2 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
ndl48pfq-8ket tr	8.1000	RFQ	7960	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-NDL48PFQ-8Kettr			2,500	800 MHz	揮発性	4gbit		ドラム	512m x 8	平行	-
ndl46pfp-9mit	12.2500	RFQ	660	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	NDL46	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	1982-NDL46PFP-9RIT	ear99	8542.32.0036	209	933 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	256m x 16	平行	15ns
NDS76PBA-16AT	2.5039	RFQ	5919	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS76PBA-16AT			348
NLQ83PFS-8NET	17.8885	RFQ	5861	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NLQ83PFS-8NET			136	1.2 GHz	揮発性	8gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 32	LVSTL	18ns
NSEC00K016-AT	25.5360	RFQ	4250	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	100-lbga		フラッシュ-nand （mlc）	3.3V	100-BGA（14x18）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NSEC00K016-AT			98	200 MHz	不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	EMMC_5	-
NDD36PT6-2AIT	2.5561	RFQ	2497	Insignis Technology Corporation	NDD36P	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDD36PT6-2AIT			108	200 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	SSTL_2	15ns
NDS66PT5-16IT	1.5749	RFQ	1203	Insignis Technology Corporation	NDS66P	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS66PT5-16IT			108	166 MHz	揮発性	64mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 16	lvttl	-
NDQ48PFQ-8XET	8.2500	RFQ	3202	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-NDQ48PFQ-8XET			2,500	1.2 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	512m x 8	ポッド	15ns
NDQ86PFI-7NET	10.6400	RFQ	3602	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDQ86PFI-7NET			198	1.333 GHz	揮発性	8gbit	18 ns	ドラム	512m x 16	ポッド	15ns
NDL18PFH-8KEK	3.7066	RFQ	5188	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （8x10.5	-				1982-NDL18PFH-8KEK			2,500	800 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	128m x 8	平行	-
NDS73PT9-16AT	3.9768	RFQ	7331	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS73PT9-16AT			108
NDS36PT5-16IT	2.7110	RFQ	4083	Insignis Technology Corporation	NDS36P	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS36PT5-16IT			108	166 MHz	揮発性	256mbit	5 ns	ドラム	16m x 16	lvttl	12ns
ndq86pfi-7nit tr	11.9700	RFQ	3291	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDQ86PFI-7NITTR			1,500	1.333 GHz	揮発性	8gbit	18 ns	ドラム	512m x 16	ポッド	15ns
NSEC53T016-AT	19.1520	RFQ	3994	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	153-FBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NSEC53T016-AT			152	200 MHz	不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	EMMC_5.1	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（364）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²