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メモリ（364）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
NLQ83PFS-8NIT	21.6750	RFQ	3894	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	-				1982-NLQ83PFS-8NIT			2,000	1.2 GHz	揮発性	8gbit		ドラム	256m x 32	LVSTL	-
NDD36PT6-2AET TR	2.3914	RFQ	1830	Insignis Technology Corporation	ndd	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	-				1982-NDD36PT6-2AETTR			1,000	200 MHz	揮発性	256mbit		ドラム	16m x 16	SSTL_2	-
ndl48pfq-8ket tr	8.1000	RFQ	7960	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-NDL48PFQ-8Kettr			2,500	800 MHz	揮発性	4gbit		ドラム	512m x 8	平行	-
ndl46pfp-9mit tr	9.0000	RFQ	3354	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13.5）	-				1982-NDL46PFP-9MITTR			2,500	933 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	256m x 16	平行	15ns
NLQ83PFS-6NAT	21.6750	RFQ	6939	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	-				1982-NLQ83PFS-6NAT			2,000	1.6 GHz	揮発性	8gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 32	LVSTL	18ns
ndq46pfi-6nit tr	9.0000	RFQ	4572	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDQ46PFI-6NITTR			1,500	1.6 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
ndq48pfq-8net tr	8.2500	RFQ	7318	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-NDQ48PFQ-8NETTR			2,500	1.2 GHz	揮発性	4gbit		ドラム	512m x 8	平行	-
NDS66PT5-20ET	1.6354	RFQ	4279	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	-				1982-NDS66PT5-20ET			1,000	200 MHz	揮発性	64mbit		ドラム	4m x 16	lvttl	-
ndl56pfj-8ket tr	2.7602	RFQ	6729	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （8x13）	-				1982-NDL56PFJ-8Kettr			2,500	800 MHz	揮発性	512mbit		ドラム	32m x 16	平行	-
ndl86pfe-9mit	-	RFQ	5306	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	-	-				1982-ndl86pfe-9mit	廃止		2,000	933 MHz	揮発性	8gbit		ドラム	512m x 16	平行	-
NDL18PFH-8KEK	3.7066	RFQ	5188	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （8x10.5	-				1982-NDL18PFH-8KEK			2,500	800 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	128m x 8	平行	-
NDL26PFI-8KIT	6.7500	RFQ	4577	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDL26PFI-8KIT			1,500	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
NDB16PFC-5EIT	3.8250	RFQ	8738	Insignis Technology Corporation	ndb1l	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	84-TFBGA	NDB16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	-				1982-NDB16PFC-5EIT			2,500	533 MHz	揮発性	1gbit	350 PS	ドラム	64m x 16	SSTL_18	15ns
NDS66PT5-20ET TR	1.6354	RFQ	8079	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	-				1982-NDS66PT5-20ETTR			1,000	200 MHz	揮発性	64mbit		ドラム	4m x 16	lvttl	-
NDQ46PFP-7NET	-	RFQ	2479	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13.5）	-				1982-NDQ46PFP-7NET	廃止		2,500	1.333 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
NDD56PT6-2AET	2.5508	RFQ	1576	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	-				1982-NDD56PT6-2AET			1,000	200 MHz	揮発性	512mbit		ドラム	32m x 16	SSTL_2	-
ndl88pfo-9met tr	18.6200	RFQ	6333	Insignis Technology Corporation	NDL88P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （9x10.6	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL88PFO-9METTR			2,000	933 MHz	揮発性	8gbit		ドラム	1g x 8	平行	-
nds63pt9-16et tr	3.0982	RFQ	2482	Insignis Technology Corporation	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS63PT9-16ETTR			1,000
NDS36PBA-20IT TR	3.4484	RFQ	2903	Insignis Technology Corporation	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS36PBA-20ITTR			2,500
nlq26pfs-8nat tr	12.4700	RFQ	5179	Insignis Technology Corporation	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,000	1.2 GHz	揮発性	2Gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 16	LVSTL	18ns
NDS76PBA-16AT	2.5039	RFQ	5919	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS76PBA-16AT			348
NDS76PT5-16IT	2.2048	RFQ	2923	Insignis Technology Corporation	NDS76P	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS76PT5-16IT			108	166 MHz	揮発性	128mbit	5 ns	ドラム	8m x 16	lvttl	12ns
NDL28PFR-8KIT TR	6.2016	RFQ	7407	Insignis Technology Corporation	NDL28P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL28PFR-8KITTR			2,500	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	256m x 8	平行	15ns
NSEC53T016-IT	18.0000	RFQ	6510	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	153-FBGA （11.5x13	-				1982-NSEC53T016-IT			1,520	200 MHz	不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	EMMC_5.1	-
NSEC53T064-AT	73.1250	RFQ	6346	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	153-FBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NSEC53T064-AT			152	200 MHz	不揮発性	512gbit		フラッシュ	64g x 8	EMMC_5.1	-
NDQ86PFI-7NET	10.6400	RFQ	3602	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDQ86PFI-7NET			198	1.333 GHz	揮発性	8gbit	18 ns	ドラム	512m x 16	ポッド	15ns
NDS66PBA-20IT	2.5776	RFQ	1621	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS66PBA-20IT			348
ndq48pfq-7nit tr	7.9800	RFQ	2200	Insignis Technology Corporation	NDQ48P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	78-FBGA （7.5x10.6	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDQ48PFQ-7NITTR			2,500	1.333 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	512m x 8	ポッド	15ns
NLQ26PFS-8NAT	8.8663	RFQ	7230	Insignis Technology Corporation	aec-q100	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NLQ26PFS-8NAT			136	1.2 GHz	揮発性	2Gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 16	LVSTL	18ns
NSEC53K008-IT	24.1600	RFQ	1	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA	NSEC53	フラッシュ-nand （mlc）	3.3V	153-FBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	1982-1029	3A991B1A	8542.32.0071	152	200 MHz	不揮発性	8gbit		フラッシュ	1g x 8	EMMC	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（364）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²