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メモリ（364）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
ndl26pfj-9met tr	-	RFQ	8205	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDL26PFJ-9METTR	廃止		2,000	933 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
NDL86PFG-8KEK	18.6200	RFQ	2116	Insignis Technology Corporation	NDL86P	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （9x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL86PFG-8KEK			180	800 MHz	揮発性	8gbit		ドラム	512m x 16	平行	-
ndq86pfi-6net tr	10.6400	RFQ	3076	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDQ86PFI-6NETTR			1,500	1.6 GHz	揮発性	8gbit	18 ns	ドラム	512m x 16	ポッド	15ns
NDB26PFC-5EIT	7.5747	RFQ	9341	Insignis Technology Corporation	NDB2	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDB26PFC-5EIT			209	533 MHz	揮発性	2Gbit	400 PS	ドラム	128m x 16	SSTL_18	15ns
nds73pbe-16it tr	3.7500	RFQ	7837	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA		SDRAM	3V〜3.6V	90-FBGA （8x13）	-				1982-NDS73PBE-16ITTR			2,000	166 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	lvttl	-
nlq26pfs-8nit tr	10.7100	RFQ	3426	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,000	1.2 GHz	揮発性	2Gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 16	LVSTL	18ns
NDQ46PFI-6NET TR	8.2500	RFQ	2890	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDQ46PFI-6NETTR			1,500	1.6 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
NLQ46PFS-6NET TR	14.3200	RFQ	4909	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,000	1.6 GHz	揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 16	LVSTL	18ns
ndl48pfq-9mit	9.0000	RFQ	4637	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-NDL48PFQ-9RIT			2,500	933 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
NLQ43PFS-8NAT	13.1670	RFQ	8306	Insignis Technology Corporation	aec-q100	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NLQ43PFS-8NAT			136	1.2 GHz	揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 32	LVSTL	18ns
NDL48PFQ-8KIT TR	9.0000	RFQ	6147	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-NDL48PFQ-8KITTR			2,500	800 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
NSEC00K032-ITJ	76.8750	RFQ	2850	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	100-lbga		フラッシュ-Nand （PSLC）	3.3V	100-BGA（14x18）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NSEC00K032-ITJ			98	200 MHz	不揮発性	256gbit		フラッシュ	32g x 8	EMMC_5	-
ndl48pfq-9met tr	8.1000	RFQ	4977	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-NDL48PFQ-9METTR			2,500	933 MHz	揮発性	4gbit		ドラム	512m x 8	平行	-
NDS76PBA-20ET	1.9158	RFQ	2671	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS76PBA-20ET			348
NSEC53T016-ITJ	-	RFQ	7621	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （PSLC）	2.7V〜3.6V	153-FBGA （11.5x13	-				1982-NSEC53T016-ITJ	廃止		1,520	200 MHz	不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	EMMC_5.1	-
ndq48pfq-8nit tr	7.9800	RFQ	8882	Insignis Technology Corporation	NDQ48P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	78-FBGA （7.5x10.6	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDQ48PFQ-8NITTR			2,500	1.2 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	512m x 8	ポッド	15ns
NDS76PT5-20IT	2.2048	RFQ	5692	Insignis Technology Corporation	NDS76P	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS76PT5-20IT			108	200 MHz	揮発性	128mbit	4.5 ns	ドラム	8m x 16	lvttl	10ns
NSEC53T128-IT	105.0000	RFQ	5720	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	153-FBGA （11.5x13	-				1982-NSEC53T128-IT			1,520	200 MHz	不揮発性	1tbit		フラッシュ	128g x 8	EMMC_5.1	-
NSEC53K008-IT	24.1600	RFQ	1	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA	NSEC53	フラッシュ-nand （mlc）	3.3V	153-FBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	1982-1029	3A991B1A	8542.32.0071	152	200 MHz	不揮発性	8gbit		フラッシュ	1g x 8	EMMC	-
ndl46pfp-8ket tr	8.1000	RFQ	8582	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13.5）	-				1982-NDL46PFP-8Kettr			2,500	800 MHz	揮発性	4gbit		ドラム	256m x 16	平行	-
ndl16pfj-9met	3.7465	RFQ	2207	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （8x13）	-				1982-NDL16PFJ-9MET			1,500	933 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	64m x 16	平行	-
NDQ46PFP-7XET TR	-	RFQ	3418	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	-	-		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	-	-				1982-NDQ46PFP-7XETTR	廃止		2,500	1.333 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
ndb16pfc-4det tr	3.7066	RFQ	4966	Insignis Technology Corporation	ndb1l	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	84-TFBGA	NDB16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	-				1982-NDB16PFC-4DETTR			2,500	400 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	64m x 16	SSTL_18	-
NDL26PFJ-8KIT TR	-	RFQ	8050	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDL26PFJ-8KITTR	廃止		2,000	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
NDS73PBE-20ET	3.3306	RFQ	5866	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS73PBE-20ET			190
ndq48pfq-8xit tr	9.0000	RFQ	7386	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-NDQ48PFQ-8XITTR			2,500	1.2 GHz	揮発性	4gbit		ドラム	512m x 8	平行	-
nds73pt9-20at tr	3.9768	RFQ	2979	Insignis Technology Corporation	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS73PT9-20ATTR			1,000
NDL86PFG-8KIT TR	19.7505	RFQ	2747	Insignis Technology Corporation	NDL86P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （9x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL86PFG-8KITTR			2,000	800 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns
NDL18PFH-8KIT	3.9750	RFQ	7320	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （8x10.5	-				1982-NDL18PFH-8KIT			2,500	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	128m x 8	平行	15ns
NLQ26PFS-8NIT	8.3250	RFQ	3542	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	-				1982-NLQ26PFS-8NIT			2,000	1.2 GHz	揮発性	2Gbit		ドラム	128m x 16	LVSTL	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（364）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²