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メモリ（364）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NSEC53T032-AT | 28.1250 |  | 3064 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC53T032-AT | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
| NDQ46PFI-7NET TR | 8.2500 | | 2352 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13 | - | 1982-NDQ46PFI-7NETTR | 1,500 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | |||||||
| NLQ46PFS-6NIT | 12.3750 | | 9927 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | - | 1982-NLQ46PFS-6NIT | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||||
 | NDS36PT5-16ET TR | 3.6600 | | 3 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | NDS36PT5 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 12ns | |||
| nds73pbe-16at tr | 3.9202 | | 7375 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS73PBE-16ATTR | 2,000 | |||||||||||||||||||
| nlq26pfs-6net tr | 10.3100 | | 8205 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | ||||||
| NDS76PT5-16IT TR | 3.3300 | | 4 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | NDS76PT5 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 12ns | |||
| NDS73PBE-16ET TR | 3.6017 | | 5918 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS73PBE-16ETTR | 2,000 | |||||||||||||||||||
| NDS73PBE-20AT | 4.4187 | | 6734 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS73PBE-20AT | 190 | |||||||||||||||||||
| NDS96PT4-16ET | 1.1709 | | 9819 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS96PT4-16ET | 117 | |||||||||||||||||||
| NDS76PT5-20ET | 2.0259 | | 6824 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | - | 1982-NDS76PT5-20ET | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | ドラム | 8m x 16 | lvttl | - | ||||||||
| nds73pbe-20it tr | 3.7064 | | 8094 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS73PBE-20ITTR | 2,000 | |||||||||||||||||||
| NDB56PFC-4DET TR | 2.3117 | | 2006年年 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDB5 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | - | 1982-NDB56PFC-4DETTR | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | SSTL_18 | 15ns | |||||||
| NDD58PT6-2AET | 2.7102 | | 2079 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | - | 1982-NDD58PT6-2AET | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 64m x 8 | SSTL_2 | - | ||||||||
| NDB26PFC-4DET | 6.9997 | | 2707 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDB2 | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDB26PFC-4DET | 209 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | SSTL_18 | - | ||||||
| NDD58PFD-2AET | 3.5489 | | 5014 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （8x13） | - | 1982-NDD58PFD-2AET | 2,500 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 64m x 8 | SSTL_2 | - | ||||||||
| ndq46pfi-6nit | 9.0000 | | 8725 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13 | - | 1982-NDQ46PFI-6NIT | 1,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | |||||||
| ndl16pfj-9mit tr | 4.0169 | | 4561 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-VFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x13） | - | 1982-ndl16pfj-9mittr | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||
| NDQ48PFQ-7NET | 8.2500 | | 5871 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x10.6 | - | 1982-NDQ48PFQ-7NET | 2,500 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 8 | ポッド | 15ns | |||||||
| NDD56PT6-2AET TR | 2.5508 | | 8531 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | - | 1982-NDD56PT6-2AETTR | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 32m x 16 | SSTL_2 | - | ||||||||
| NSEC53T128-AT | 139.6500 | | 3425 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC53T128-AT | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
| NLQ43PFS-6NET TR | 14.7500 | | 4564 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||
| ndl26pfi-8ket tr | 6.5463 | | 8177 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-VFBGA | NDL26 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1982-NDL26PFI-8Kettr | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| NLQ46PFS-8NAT | 12.7287 | | 4792 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ46PFS-8NAT | 136 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
| NDS66PT5-20AT TR | 1.8898 | | 8842 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS66PT5-20ATTR | 1,000 | |||||||||||||||||||
| NDQ46PFP-8XET | - | | 5973 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13.5） | - | 1982-NDQ46PFP-8XET | 廃止 | 2,500 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | ||||||
| NDQ46PFP-8XET TR | - | | 3809 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | - | - | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | - | - | 1982-NDQ46PFP-8XETTR | 廃止 | 2,500 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | ||||||
| ndl48pfq-9mit tr | 9.0000 | | 2726 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （7.5x10.6 | - | 1982-ndl48pfq-9mittr | 2,500 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |||||||
| ndl18pfh-8ket tr | 3.7066 | | 4715 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-VFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | - | 1982-NDL18PFH-8Kettr | 2,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 128m x 8 | 平行 | - | ||||||||
 | NDL16PFJ-8KIT TR | 5.8400 | | 2816 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-VFBGA | NDL16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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