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メモリ（364）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	その他の名前	ECCN	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
NDD56PT6-2AET TR	2.5508	RFQ	8531	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	1982-NDD56PT6-2AETTR		1,000	200 MHz	揮発性	512mbit		ドラム	32m x 16	SSTL_2	-
NDD58PFD-2AET	3.5489	RFQ	5014	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-FBGA （8x13）	1982-NDD58PFD-2AET		2,500	200 MHz	揮発性	512mbit		ドラム	64m x 8	SSTL_2	-
NDD36PT6-2AAT TR	3.7895	RFQ	7737	Insignis Technology Corporation	ndd	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	1982-NDD36PT6-2AATTR		1,000	200 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	SSTL_2	15ns
NDS36PBA-16ET	3.3912	RFQ	1066	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TFBGA		SDRAM	3V〜3.6V	54-FBGA	1982-NDS36PBA-16ET		2,500	166 MHz	揮発性	256mbit		ドラム	16m x 16	lvttl	-
ndb16pfc-5eit tr	3.8250	RFQ	5382	Insignis Technology Corporation	ndb1l	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	84-TFBGA	NDB16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	1982-NDB16PFC-5EITTR		2,500	533 MHz	揮発性	1gbit	350 PS	ドラム	64m x 16	SSTL_18	15ns
NDS76PT5-20ET	2.0259	RFQ	6824	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	1982-NDS76PT5-20ET		1,000	200 MHz	揮発性	128mbit		ドラム	8m x 16	lvttl	-
NDL18PFH-8KIT	3.9750	RFQ	7320	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （8x10.5	1982-NDL18PFH-8KIT		2,500	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	128m x 8	平行	15ns
NDB56PFC-4DET TR	2.3117	RFQ	2006年年	Insignis Technology Corporation	NDB5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	1982-NDB56PFC-4DETTR		2,500	400 MHz	揮発性	512mbit	400 PS	ドラム	32m x 16	SSTL_18	15ns
NDS36PT5-20IT TR	2.7899	RFQ	2612	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	1982-NDS36PT5-20ITTR		1,000	200 MHz	揮発性	256mbit	4.5 ns	ドラム	16m x 16	lvttl	10ns
ndl48pfq-9mit tr	9.0000	RFQ	2726	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.6	1982-ndl48pfq-9mittr		2,500	933 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
ndl86pfe-8ket tr	-	RFQ	3860	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	-	-		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	-	1982-NDL86PFE-8Kettr	廃止	2,000	800 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns
ndb18pfb-4det tr	3.7066	RFQ	4506	Insignis Technology Corporation	ndb1l	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	60-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga （8x10）	1982-NDB18PFB-4DETTR		2,000	400 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	128m x 8	SSTL_18	-
NLQ26PFS-8NIT	8.3250	RFQ	3542	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	1982-NLQ26PFS-8NIT		2,000	1.2 GHz	揮発性	2Gbit		ドラム	128m x 16	LVSTL	-
NSEC53T128-IT	105.0000	RFQ	5720	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	153-FBGA （11.5x13	1982-NSEC53T128-IT		1,520	200 MHz	不揮発性	1tbit		フラッシュ	128g x 8	EMMC_5.1	-
ndq46pfi-7nit tr	9.0000	RFQ	7286	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	1982-NDQ46PFI-7NITTR		1,500	1.333 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
NDQ46PFP-8XET	-	RFQ	5973	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13.5）	1982-NDQ46PFP-8XET	廃止	2,500	1.2 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
ndq46pfi-6nit	9.0000	RFQ	8725	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	1982-NDQ46PFI-6NIT		1,500	1.6 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
NDQ46PFP-8NIT	-	RFQ	2170	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	-	1982-NDQ46PFP-8NIT	廃止	2,500	1.2 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
NSEC53T016-ITJ	-	RFQ	7621	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （PSLC）	2.7V〜3.6V	153-FBGA （11.5x13	1982-NSEC53T016-ITJ	廃止	1,520	200 MHz	不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	EMMC_5.1	-
ndl46pfp-9met tr	8.1000	RFQ	7850	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13.5）	1982-NDL46PFP-9METTR		2,500	933 MHz	揮発性	4gbit		ドラム	256m x 16	平行	-
NDS73PT9-20ET	3.4276	RFQ	7786	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	1982-NDS73PT9-20ET		1,000	200 MHz	揮発性	128mbit		ドラム	4m x 32	lvttl	-
NDQ46PFP-7XET TR	-	RFQ	3418	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	-	-		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	-	1982-NDQ46PFP-7XETTR	廃止	2,500	1.333 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
NDL48PFQ-8KIT TR	9.0000	RFQ	6147	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.6	1982-NDL48PFQ-8KITTR		2,500	800 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
NDB56PFC-4DIT	2.4448	RFQ	6083	Insignis Technology Corporation	NDB5	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	1982-NDB56PFC-4DIT		2,500	400 MHz	揮発性	512mbit	400 PS	ドラム	32m x 16	SSTL_18	15ns
NDL86PFE-8KEK	-	RFQ	6125	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC	-	-		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	-	1982-NDL86PFE-8KEK	廃止	2,000	800 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns
ndl18pfh-8ket tr	3.7066	RFQ	4715	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （8x10.5	1982-NDL18PFH-8Kettr		2,500	800 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	128m x 8	平行	-
ndb16pfc-4det tr	3.7066	RFQ	4966	Insignis Technology Corporation	ndb1l	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	84-TFBGA	NDB16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	1982-NDB16PFC-4DETTR		2,500	400 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	64m x 16	SSTL_18	-
ndl16pfj-9mit tr	4.0169	RFQ	4561	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （8x13）	1982-ndl16pfj-9mittr		1,500	933 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
NDS36PBA-16IT	3.5489	RFQ	3180	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA		SDRAM	3V〜3.6V	54-FBGA	1982-NDS36PBA-16IT		2,500	166 MHz	揮発性	256mbit	5 ns	ドラム	16m x 16	lvttl	12ns
NDL48PFQ-8KEK	8.1000	RFQ	4912	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.6	1982-NDL48PFQ-8KEK		2,500	800 MHz	揮発性	4gbit		ドラム	512m x 8	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（364）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²