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メモリ（364）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
NDS73PT9-20ET	3.4276	RFQ	7786	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	-				1982-NDS73PT9-20ET			1,000	200 MHz	揮発性	128mbit		ドラム	4m x 32	lvttl	-
NDL48PFQ-8KEK	8.1000	RFQ	4912	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-NDL48PFQ-8KEK			2,500	800 MHz	揮発性	4gbit		ドラム	512m x 8	平行	-
NDS36PT5-16ET TR	3.6600	RFQ	3	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	NDS36PT5	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	揮発性	256mbit		ドラム	16m x 16	平行	12ns
nds96pt4-16it tr	1.8100	RFQ	2567	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）	NDS96PT4	SDRAM	3V〜3.6V	50-TSOP II	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	揮発性	16mbit		ドラム	1m x 16	平行	-
ndl46pfp-5get tr	7.1820	RFQ	5138	Insignis Technology Corporation	NDL46P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL46PFP-5GETTR			2,500	1.066 GHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	256m x 16	平行	15ns
ndl86pfe-9mit tr	-	RFQ	3179	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	-	-				1982-ndl86pfe-9mittr	廃止		2,000	933 MHz	揮発性	8gbit		ドラム	512m x 16	平行	-
ndl16pfj-9met	3.7465	RFQ	2207	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （8x13）	-				1982-NDL16PFJ-9MET			1,500	933 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	64m x 16	平行	-
NDS36PBA-16IT	3.5489	RFQ	3180	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA		SDRAM	3V〜3.6V	54-FBGA	-				1982-NDS36PBA-16IT			2,500	166 MHz	揮発性	256mbit	5 ns	ドラム	16m x 16	lvttl	12ns
nds36pt5-20et tr	3.6600	RFQ	5	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	NDS36PT5	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	揮発性	256mbit	4.5 ns	ドラム	16m x 16	平行	10ns
ndl48pfq-9met tr	8.1000	RFQ	4977	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-NDL48PFQ-9METTR			2,500	933 MHz	揮発性	4gbit		ドラム	512m x 8	平行	-
NDQ46PFI-7NET TR	8.2500	RFQ	2352	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDQ46PFI-7NETTR			1,500	1.333 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
NDS38PT5-20ET	2.4786	RFQ	4731	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS38PT5-20ET			108
NDS36PT5-20IT TR	2.7899	RFQ	2612	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	-				1982-NDS36PT5-20ITTR			1,000	200 MHz	揮発性	256mbit	4.5 ns	ドラム	16m x 16	lvttl	10ns
nlq26pfs-8nit tr	10.7100	RFQ	3426	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,000	1.2 GHz	揮発性	2Gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 16	LVSTL	18ns
NLQ43PFS-8NAT	13.1670	RFQ	8306	Insignis Technology Corporation	aec-q100	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NLQ43PFS-8NAT			136	1.2 GHz	揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 32	LVSTL	18ns
ndl86pfe-8ket tr	-	RFQ	3860	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	-	-		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	-	-				1982-NDL86PFE-8Kettr	廃止		2,000	800 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns
NDL48PFQ-8KIT TR	9.0000	RFQ	6147	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-NDL48PFQ-8KITTR			2,500	800 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
NSEC53T064-ITJ	89.3750	RFQ	7423	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （PSLC）	2.7V〜3.6V	153-FBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NSEC53T064-ITJ			152	200 MHz	不揮発性	512gbit		フラッシュ	64g x 8	EMMC_5.1	-
NSEC00K004-AT	16.9716	RFQ	5788	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	100-lbga		フラッシュ-nand （mlc）	3.3V	100-BGA（14x18）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NSEC00K004-AT			98	200 MHz	不揮発性	32gbit		フラッシュ	4g x 8	EMMC_5	-
ndl88pfo-9mit	19.7505	RFQ	8066	Insignis Technology Corporation	NDL88P	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （9x10.6	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL88PFO-9RIT			180	933 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	1g x 8	平行	15ns
ndl28pfr-8ket tr	6.0638	RFQ	8972	Insignis Technology Corporation	NDL28P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL28PFR-8Kettr			2,500	800 MHz	揮発性	2Gbit		ドラム	256m x 8	平行	-
nds73pbe-20it tr	3.7064	RFQ	8094	Insignis Technology Corporation	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS73PBE-20ITTR			2,000
ndb18pfb-4det tr	3.7066	RFQ	4506	Insignis Technology Corporation	ndb1l	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	60-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga （8x10）	-				1982-NDB18PFB-4DETTR			2,000	400 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	128m x 8	SSTL_18	-
ndq86pfi-7net tr	10.6400	RFQ	5987	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDQ86PFI-7NETTR			1,500	1.333 GHz	揮発性	8gbit	18 ns	ドラム	512m x 16	ポッド	15ns
ndl26pfg-8ket tr	-	RFQ	3047	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （9x13）	-				1982-NDL26PFG-8Kettr	廃止		2,000	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
NDL26PFJ-8KIT TR	-	RFQ	8050	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDL26PFJ-8KITTR	廃止		2,000	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
NDS66PT5-20IT TR	1.6207	RFQ	3575	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	-				1982-NDS66PT5-20ITTR			1,000	200 MHz	揮発性	64mbit	4.5 ns	ドラム	4m x 16	lvttl	-
NDD36PT6-2AAT TR	3.7895	RFQ	7737	Insignis Technology Corporation	ndd	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	-				1982-NDD36PT6-2AATTR			1,000	200 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	SSTL_2	15ns
ndl16pfj-9mit tr	4.0169	RFQ	4561	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （8x13）	-				1982-ndl16pfj-9mittr			1,500	933 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
ndd36pt6-2ait tr	3.7800	RFQ	5244	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	NDD36PT6	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（364）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²