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メモリ（364）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | nlq83pfs-6nit tr | 26.3300 |  | 5885 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||
| NSEC53T032-AT | 28.1250 | | 3064 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC53T032-AT | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
| NSEC53T008-ITJ | 17.3574 | | 2268 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （PSLC） | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC53T008-ITJ | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
| nlq43pfs-6nat tr | 18.3000 | | 3268 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||
| nlq26pfs-6net tr | 10.3100 | | 8205 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | ||||||
| NLQ46PFS-8NAT | 12.7287 | | 4792 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ46PFS-8NAT | 136 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
| NLQ43PFS-6NET TR | 14.7500 | | 4564 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||
| nlq26pfs-8nit tr | 10.7100 | | 3426 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | ||||||
| NSEC00K064-IT | 75.0000 | | 4998 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-nand （mlc） | 3.3V | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC00K064-IT | 98 | 200 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC_5 | - | ||||||
| NDB26PFC-5EET TR | 10.1300 | | 6289 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDB2 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,500 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | SSTL_18 | - | |||||||
| NLQ46PFS-6NET TR | 14.3200 | | 4909 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | 18ns | ||||||
| NLQ26PFS-8NET | 7.1215 | | 9135 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ26PFS-8NET | 136 | 1.2 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
| NLQ43PFS-8NAT | 13.1670 | | 8306 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ43PFS-8NAT | 136 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
 | NDL86PFG-8KIT TR | 19.7505 | | 2747 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDL86P | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDL86PFG-8KITTR | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
 | ndq86pfi-7net tr | 10.6400 | | 5987 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDQ86P | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDQ86PFI-7NETTR | 1,500 | 1.333 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 16 | ポッド | 15ns | |||||
| NSEC53T064-ITJ | 89.3750 | | 7423 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （PSLC） | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC53T064-ITJ | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
| NDL86PFE-8KIT TR | - | | 2377 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | - | - | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | - | - | 1982-NDL86PFE-8KITTR | 廃止 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | |||||||
| NSEC00K004-AT | 16.9716 | | 5788 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-nand （mlc） | 3.3V | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC00K004-AT | 98 | 200 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC_5 | - | ||||||
 | ndb16pfc-4dit tr | 5.6200 | | 373 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | NDB16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| ndl26pfi-9mit | 6.6000 | | 2029 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-VFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （7.5x13 | - | 1982-ndl26pfi-9mit | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||
| nds73pbe-16it tr | 3.7500 | | 7837 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-FBGA （8x13） | - | 1982-NDS73PBE-16ITTR | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | lvttl | - | |||||||
| NSEC53T032-ITJ | - | | 1330 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （PSLC） | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA （11.5x13 | - | 1982-NSEC53T032-ITJ | 廃止 | 1,520 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||
| NDS96PT4-16ET | 1.1709 | | 9819 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS96PT4-16ET | 117 | |||||||||||||||||||
| NDB26PFC-4DET | 6.9997 | | 2707 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDB2 | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDB26PFC-4DET | 209 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | SSTL_18 | - | ||||||
| NSEC53T128-AT | 139.6500 | | 3425 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC53T128-AT | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
| ndl28pfr-9mit tr | 6.7500 | | 8225 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-VFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （7.5x10.5 | - | 1982-NDL28PFR-9MITTR | 2,500 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |||||||
| ndq48pfq-8xit tr | 9.0000 | | 7386 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x10.6 | - | 1982-NDQ48PFQ-8XITTR | 2,500 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||||||||
| ndl46pfp-8ket tr | 8.1000 | | 8582 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （7.5x13.5） | - | 1982-NDL46PFP-8Kettr | 2,500 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||||||||
| NDQ46PFP-8XET TR | - | | 3809 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | - | - | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | - | - | 1982-NDQ46PFP-8XETTR | 廃止 | 2,500 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | ||||||
| NDS73PBE-16ET TR | 3.6017 | | 5918 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS73PBE-16ETTR | 2,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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