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メモリ（364）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | nds38pt5-16et tr | 2.4786 |  | 9748 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS38PT5-16ETTR | 1,000 | |||||||||||||||||||
 | nds96pt4-16it tr | 1.8100 | | 2567 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） | NDS96PT4 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 16mbit | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | |||
| NLQ46PFS-6NAT | 12.7287 | | 7466 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ46PFS-6NAT | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
 | ndl88pfo-9mit tr | 19.7505 | | 8374 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDL88P | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9x10.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-ndl88pfo-9mittr | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | |||||
 | ndq86pfi-6nit tr | 11.9700 | | 8447 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDQ86P | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDQ86PFI-6NITTR | 1,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 16 | ポッド | 15ns | |||||
| NDS36PBA-16ET TR | 3.3912 | | 3235 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TFBGA | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-FBGA | - | 1982-NDS36PBA-16ettr | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | ドラム | 16m x 16 | lvttl | - | ||||||||
| NDD36PT6-2AET | 2.3914 | | 5308 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | ndd | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | - | 1982-NDD36PT6-2AET | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | ドラム | 16m x 16 | SSTL_2 | - | ||||||||
| NDS73PBE-16IT | 3.7500 | | 3074 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-FBGA （8x13） | - | 1982-NDS73PBE-16IT | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | lvttl | - | |||||||
| NDS76PBA-16ET TR | 1.9364 | | 2078 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS76PBA-16ettr | 2,500 | |||||||||||||||||||
| NLQ46PFS-8NET | 9.9644 | | 9097 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ46PFS-8NET | 136 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
| NSEC00K004-ITJ | 17.9550 | | 1262 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （PSLC） | 3.3V | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NSEC00K004-ITJ | 98 | 200 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC_5 | - | ||||||
| NLQ43PFS-8NET | 10.3075 | | 6872 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ43PFS-8NET | 136 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
| nds73pt9-20et tr | 3.4276 | | 2654 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | - | 1982-NDS73PT9-20ETTR | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | ドラム | 4m x 32 | lvttl | - | ||||||||
| NDB16PFC-4DET | 3.7066 | | 1383 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | ndb1l | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | NDB16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | - | 1982-NDB16PFC-4DET | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | SSTL_18 | - | |||||||
 | NSEC00K008-AT | - | | 1036 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | NSEC00 | フラッシュ-nand （mlc） | 3.3V | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1982-1031 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - | ||
| ndd36pfd-2ait tr | 3.7500 | | 9543 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | ndd | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （8x13） | - | 1982-NDD36PFD-2AITTR | 2,500 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | SSTL_2 | 15ns | |||||||
| NDS66PT5-20AT | 1.8898 | | 5619 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS66PT5-20AT | 108 | |||||||||||||||||||
| NSEC00K004-IT | 22.8200 | | 270 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | NSEC00 | フラッシュ-nand （mlc） | 3.3V | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1982-1025 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC | - | ||
| nlq26pfs-6nit tr | 10.4000 | | 1665 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | ||||||
| NDS73PT9-16AT TR | 3.9768 | | 9628 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDS73PT9-16ATTR | 1,000 | |||||||||||||||||||
 | ndl86pfg-8ket tr | 18.6200 | | 2606 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDL86P | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDL86PFG-8Kettr | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | ||||||
| NLQ43PFS-8NET TR | 14.7500 | | 1988年年 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||
| NDS66PT5-20IT | 1.6207 | | 9240 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | - | 1982-NDS66PT5-20IT | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 64mbit | 4.5 ns | ドラム | 4m x 16 | lvttl | - | |||||||
| ndq48pfq-7net tr | 8.2500 | | 3997 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x10.6 | - | 1982-NDQ48PFQ-7NETTR | 2,500 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||||||||
 | ndl86pfg-9mit | 19.7505 | | 4360 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDL86P | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-ndl86pfg-9mit | 180 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
| NLQ46PFS-6NET | 9.9644 | | 4893 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ46PFS-6NET | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
| ndq48pfq-8xit | 9.0000 | | 6349 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x10.6 | - | 1982-NDQ48PFQ-8XIT | 2,500 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 8 | ポッド | 15ns | |||||||
 | NDL88PFO-8KIT | 19.7505 | | 8172 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDL88P | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9x10.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NDL88PFO-8KIT | 180 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | |||||
| nlq83pfs-6nat tr | 32.0600 | | 3286 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||
| NLQ43PFS-6NAT | 12.7287 | | 7276 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1982-NLQ43PFS-6NAT | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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