画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | メモリタイプ | メモリサイズ | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SM671PXD-AD | - | ![]() | 3964 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM671 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM661GE4-AC | - | ![]() | 1392 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM661 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM671PEA-AD | - | ![]() | 6252 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM671 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM671PAELBFSS | 78.6200 | ![]() | 7759 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM671PAELBFSS | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SM671PEC-ADST | - | ![]() | 5352 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM671 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | |||||||||||||||
![]() | SM662GAB-BEST | 19.4700 | ![]() | 2114 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GAB-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM671PADLBFSS | 47.2800 | ![]() | 7742 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM671PADLBFSS | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SM671PXCLBFST | 28.8500 | ![]() | 8588 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM671PXCLBFST | 1 | ||||||||||||||||||
SM671PBC-BFSS | 30.3300 | ![]() | 7384 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PBC-BFSS | 1 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | SM662GEE BFST | 90.3700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662GEEBFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM662PAC-BDSS | - | ![]() | 6816 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662PAC-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM662GXE BESS | 91.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GXEBESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
![]() | SM671PAC-AFST | - | ![]() | 3278 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM671PAC-AFST | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.1 | - | |||
![]() | SM662PBDベス | 55.6800 | ![]() | 2113 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662PBDベス | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM671PEA-ADSS | - | ![]() | 3011 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM671PEA-ADSS | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | UFS2.1 | - | |||
![]() | SM662GE8-ACS | - | ![]() | 1455 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM662GXF BFST | 173.8200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662GXFBFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
![]() | SM662GXEベス | 99.2300 | ![]() | 6617 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GXE-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | EMMC | - | |
SM671PBF-BFST | 131.2045 | ![]() | 4108 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM671PBF-BFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | UFS2.1 | - | |||||
![]() | SM662PE8-AC | - | ![]() | 5211 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM671PXC-ADSS | - | ![]() | 6968 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM671PXC-ADSS | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | UFS2.1 | - | |||
![]() | SM662PXB-AC | - | ![]() | 9134 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM662PXD-BD | - | ![]() | 5587 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM662PXAベス | - | ![]() | 3965 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662PXA-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM671PXDLBFST | 46.1000 | ![]() | 7735 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM671PXDLBFST | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | sm662ped bfst | 46.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662PEDBFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM662GAAベスト | - | ![]() | 9625 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GAA-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM671PEELBFST | 78.3800 | ![]() | 1352 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM671PEELBFST | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SM662PXB-BDSS | - | ![]() | 3238 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662PXB-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 80gbit | フラッシュ | 10g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM662PEBベス | 18.2000 | ![]() | 2032 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662PEB-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 80gbit | フラッシュ | 10g x 8 | EMMC | - |
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