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ICS ）（10403）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NM4081H0HA15J68E | - |  | 8644 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | ||||||||||||||||||
 | MT53B128M32D1NP-062AAT：a | - | | 9644 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | |||
| MT53D256M64D4KA-046 XT：b | - | | 4706 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | - | - | MT53D256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||
 | MT29F8G080808ABACAH4-S：C TR | - | | 2800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F8G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F8T08EWLEEM5-QJ：e | 211.8900 | | 2417 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-QJ：e | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53B512M32D2DS-062 XT：C TR | - | | 9161 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||
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 | MT46H4M32LFB5-6 at：k | - | | 8218 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H4M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F1G01ABAFD12-AATES：F | - | | 1819年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | MT29F1G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 1g x 1 | spi | - | ||||
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| mt47h512m4thn-25e：m | - | | 1672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 63-TFBGA | MT47H512M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 63-fbga （8x10） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,518 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 512m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR | - | | 2737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MT25QL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wpdfn | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | mtfc32gved-4m it tr | - | | 2313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-VFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-VFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | |||||
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| MT52L256M32D1V01MWC2 | 18.3600 | | 4830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | バルク | アクティブ | MT52L256 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
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 | MT29F128G08CBCABH6-6：a | - | | 4066 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-VBGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||
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| MT29F512G08CKCABK7-6：TR | - | | 8439 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT53B256M32D1NP-062 AIT：c | - | | 9116 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||||
| MT53B384M32D2NP-062AAT：b | - | | 9672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | ||||
| MT41J256M4JP-15E：g | - | | 5585 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41J256M4 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA （8x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 256m x 4 | 平行 | - | |||
| MT52L256M64D2QA-125 XT ES：b | - | | 3592 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | - | - | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||
| MT62F1G64D8EK-031 WT：b | 46.6200 | | 7497 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D8EK-031WT：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | ||||||||
 | MT48LC8M16LFB4-8 IT：G TR | - | | 8094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC8M16 | SDRAM- lPSDR | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 128mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT40A1G16WBU-075E：B TR | - | | 1509 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 1g x 16 | 平行 | - | |||
 | M25P128-VME6TG TR | - | | 1844年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Forté™ | カットテープ（CT） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25P128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 15ms、7ms | |||
 | MT29F4G08ABADAWP-AATX：D TR | 5.4563 | | 4924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | N25Q064A13EF640FN02 TR | - | | 6782 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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