SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
M58LT128KST8ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT128KST8ZA6F TR -
RFQ
ECAD 9711 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA (10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
MT49H8M36SJ-TI:B TR Micron Technology Inc. mt49h8m36sj-ti:b tr -
RFQ
ECAD 6719 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA(18.5x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 揮発性 288mbit ドラム 8m x 36 平行 -
MT40A512M16JY-062E:B Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-062E:b -
RFQ
ECAD 5536 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA (8x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 AIT:d 20.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 前回購入します -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT45W4MW16BCGB-701 IT TR Micron Technology Inc. mt45w4mw16bcgb-701 it tr -
RFQ
ECAD 3622 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 54-VFBGA MT45W4MW16 psram(pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
MT25QL256ABA1EW9-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA1EW9-0SIT 5.9500
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT47H64M16NF-187E:M Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-187E:m -
RFQ
ECAD 9635 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,368 533 MHz 揮発性 1gbit 350 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
M29W400DT55N6F TR Micron Technology Inc. M29W400DT55N6F TR -
RFQ
ECAD 8566 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
N25Q00AA13G1241E Micron Technology Inc. N25Q00AA13G1241E -
RFQ
ECAD 6210 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-lbga N25Q00AA13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-lpbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 187 108 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 256m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F2G16ABBEAHC:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAHC:E Tr -
RFQ
ECAD 9183 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA(10.5x13) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AIT:d 23.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 前回購入します -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT53D8DANZ-DC Micron Technology Inc. mt53d8danz-dc -
RFQ
ECAD 4227 0.00000000 Micron Technology Inc. - sicで中止されました mt53d8 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190
MT58L256L36FS-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L36FS-7.5 5.2800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP(14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz 揮発性 8mbit 7.5 ns sram 256k x 36 平行 -
MT29VZZZBD9GQFPR-046 W.9Q9 Micron Technology Inc. MT29VZZZBD9GQFPR-046 W.9Q9 -
RFQ
ECAD 2488 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - 1
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062AAT:c -
RFQ
ECAD 9689 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5 - 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT Micron Technology Inc. MT29C4G96MAYBACKD-5 WT -
RFQ
ECAD 8443 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 137-TFBGA MT29C4G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA(10.5x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit(nand フラッシュ、ラム 512M x 8 平行 -
MT58L512Y32DT-6 Micron Technology Inc. MT58L512Y32DT-6 18.9400
RFQ
ECAD 122 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp MT58L512Y32 sram 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 18mbit 3.5 ns sram 512K x 32 平行 -
MT44K64M18RB-107E:A Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-107E:a 64.4550
RFQ
ECAD 3877 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 933 MHz 揮発性 1.125Gbit 8 ns ドラム 64m x 18 平行 -
MT29F4G01ABBFD12-ITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFD12-ITS:F -
RFQ
ECAD 6045 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
MT44K16M36RB-107E:A TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107E:TR -
RFQ
ECAD 4212 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 168-TBGA MT44K16M36 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 933 MHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 16m x 36 平行 -
MT62F1G64D8EK-031 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 AUT:B TR 71.3850
RFQ
ECAD 9640 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F1G64D8EK-031AUT:BTR 1,500 3.2 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 平行 -
MT53E768M32D2FW-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D2FW-046AAT:C TR 32.0250
RFQ
ECAD 3941 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ - 557-MT53E768M32D2FW-046AAT:CTR 2,000
EDFB164A1PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFB164A1PB-JD-FD -
RFQ
ECAD 6746 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C(TA) - - EDFB164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 1,190 933 MHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 平行 -
MT29C2G24MAAAAHAKC-5 E IT Micron Technology Inc. MT29C2G24MAAAAHAKC-5 E IT -
RFQ
ECAD 2422 0.00000000 Micron Technology Inc. - 廃止 MT29C2G24M - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1
MT53B1DBDS-DC Micron Technology Inc. mt53b1dbds-dc -
RFQ
ECAD 2413 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 表面マウント 200-WFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 200-WFBGA (10x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,360 揮発性 ドラム
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046AAT:C Tr 64.0350
RFQ
ECAD 3574 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 556-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 556-WFBGA(12.4x12.4 - ROHS3準拠 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT:CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 768m x 64 平行 18ns
PC28F128P30B85E Micron Technology Inc. PC28F128P30B85E -
RFQ
ECAD 3842 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga (10x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
MT53B256M64D2NL-062 XT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NL-062 XT ES:c -
RFQ
ECAD 8683 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜105°C(TC) - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 960 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A Micron Technology Inc. MT53B192M64D2SG-062 WT ES:a -
RFQ
ECAD 8305 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C (TC) - - MT53B192 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 192m x 64 - -
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AUT:d -
RFQ
ECAD 9156 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫