画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | M58LT128KST8ZA6F TR | - | ![]() | 9711 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | |||
![]() | mt49h8m36sj-ti:b tr | - | ![]() | 6719 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H8M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA(18.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 揮発性 | 288mbit | ドラム | 8m x 36 | 平行 | - | ||||
MT40A512M16JY-062E:b | - | ![]() | 5536 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,368 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | MT53D512M32D2DS-046 AIT:d | 20.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 前回購入します | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||
![]() | mt45w4mw16bcgb-701 it tr | - | ![]() | 3622 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT25QL256ABA1EW9-0SIT | 5.9500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MT25QL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wpdfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
![]() | MT47H64M16NF-187E:m | - | ![]() | 9635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,368 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | 350 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | M29W400DT55N6F TR | - | ![]() | 8566 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | N25Q00AA13G1241E | - | ![]() | 6210 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-lbga | N25Q00AA13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-lpbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 256m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
![]() | MT29F2G16ABBEAHC:E Tr | - | ![]() | 9183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA(10.5x13) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | MT53D512M32D2DS-053 AIT:d | 23.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 前回購入します | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||
![]() | mt53d8danz-dc | - | ![]() | 4227 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | mt53d8 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,190 | |||||||||||||||||||
![]() | MT58L256L36FS-7.5 | 5.2800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 113 MHz | 揮発性 | 8mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | MT29VZZZBD9GQFPR-046 W.9Q9 | - | ![]() | 2488 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT53B256M32D1NP-062AAT:c | - | ![]() | 9689 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||||
![]() | MT29C4G96MAYBACKD-5 WT | - | ![]() | 8443 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 137-TFBGA | MT29C4G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 137-TFBGA(10.5x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit(nand | フラッシュ、ラム | 512M x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT58L512Y32DT-6 | 18.9400 | ![]() | 122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | MT58L512Y32 | sram | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.5 ns | sram | 512K x 32 | 平行 | - | ||
![]() | MT44K64M18RB-107E:a | 64.4550 | ![]() | 3877 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K64M18 | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-BGA(13.5x13.5) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 933 MHz | 揮発性 | 1.125Gbit | 8 ns | ドラム | 64m x 18 | 平行 | - | ||
MT29F4G01ABBFD12-ITS:F | - | ![]() | 6045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT29F4G01 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 4g x 1 | spi | - | |||||
![]() | MT44K16M36RB-107E:TR | - | ![]() | 4212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K16M36 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-BGA(13.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | MT62F1G64D8EK-031 AUT:B TR | 71.3850 | ![]() | 9640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AUT:BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | ||||||||
![]() | MT53E768M32D2FW-046AAT:C TR | 32.0250 | ![]() | 3941 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AAT:CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | EDFB164A1PB-JD-FD | - | ![]() | 6746 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C(TA) | - | - | EDFB164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 933 MHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | 平行 | - | |||||
![]() | MT29C2G24MAAAAHAKC-5 E IT | - | ![]() | 2422 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | MT29C2G24M | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | mt53b1dbds-dc | - | ![]() | 2413 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 揮発性 | ドラム | |||||||||||
MT53E768M64D4HJ-046AAT:C Tr | 64.0350 | ![]() | 3574 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA(12.4x12.4 | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT:CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 768m x 64 | 平行 | 18ns | |||||||
![]() | PC28F128P30B85E | - | ![]() | 3842 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga (10x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | ||
![]() | MT53B256M64D2NL-062 XT ES:c | - | ![]() | 8683 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 960 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | ||||
![]() | MT53B192M64D2SG-062 WT ES:a | - | ![]() | 8305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | MT53B192 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 192m x 64 | - | - | |||||
![]() | MT53D512M32D2NP-046 AUT:d | - | ![]() | 9156 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - |
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