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ICS ）（10403）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29W400DT55N6F TR | - |  | 8566 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | |||
 | N25Q00AA13G1241E | - | | 6210 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-lbga | N25Q00AA13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-lpbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 256m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
 | MT29F2G16ABBEAHC：E Tr | - | | 9183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT53D512M32D2DS-053 AIT：d | 23.6700 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 前回購入します | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||
| mt53d8danz-dc | - | | 4227 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | mt53d8 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,190 | |||||||||||||||||||
 | MT58L256L36FS-7.5 | 5.2800 | | 15 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 113 MHz | 揮発性 | 8mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
| MT29VZZZBD9GQFPR-046 W.9Q9 | - | | 2488 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MT53B256M32D1NP-062AAT：c | - | | 9689 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||||
| MT29C4G96MAYBACKD-5 WT | - | | 8443 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 137-TFBGA | MT29C4G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 137-TFBGA（10.5x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 512M x 8 | 平行 | - | ||||
| MT58L512Y32DT-6 | 18.9400 | | 122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | MT58L512Y32 | sram | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.5 ns | sram | 512K x 32 | 平行 | - | ||
| MT44K64M18RB-107E：a | 64.4550 | | 3877 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K64M18 | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-BGA（13.5x13.5） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 933 MHz | 揮発性 | 1.125Gbit | 8 ns | ドラム | 64m x 18 | 平行 | - | ||
 | MT29F4G01ABBFD12-ITS：F | - | | 6045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT29F4G01 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 4g x 1 | spi | - | ||||
 | MT44K16M36RB-107E：TR | - | | 4212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K16M36 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-BGA（13.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
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| MT53E768M32D2FW-046AAT：C TR | 32.0250 | | 3941 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AAT：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT29E2T08CUHBBM4-3ES：B Tr | - | | 7552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29E2T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||
| EDFB164A1PB-JD-FD | - | | 6746 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C（TA） | - | - | EDFB164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 933 MHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | 平行 | - | |||||
| MT29C2G24MAAAAHAKC-5 E IT | - | | 2422 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | MT29C2G24M | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
| mt53b1dbds-dc | - | | 2413 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 揮発性 | ドラム | |||||||||||
 | MT53E768M64D4HJ-046AAT：C Tr | 64.0350 | | 3574 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT：CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 768m x 64 | 平行 | 18ns | ||||||
 | PC28F128P30B85E | - | | 3842 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | ||
| MT53B256M64D2NL-062 XT ES：c | - | | 8683 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | - | - | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 960 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | ||||
| MT52L256M32D1V01MWC2 | 18.3600 | | 4830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | バルク | アクティブ | MT52L256 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| MT53B192M64D2SG-062 WT ES：a | - | | 8305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B192 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 192m x 64 | - | - | |||||
| MT53D512M32D2NP-046 AUT：d | - | | 9156 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||||
 | MT40A512M16TB-062E IT：R | - | | 5681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13 | ダウンロード | 影響を受けていない | 557-MT40A512M16TB-062EIT：R | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 19 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||
| MT53B512M64D4EZ-062 WT：c | - | | 5519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,120 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||||
 | mtfc64gjvdn-3f wt | - | | 3268 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-lfbga | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | |||||
| MT29F1T08CQCCBG2-6C：c | - | | 7846 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 272-LFBGA | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 272-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES：c | - | | 4188 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53B1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - |
2000+
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標準製品ユニット
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