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ICS ）（10403）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT25QL128ABA1EW7-MSIT TR | - |  | 3511 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MT25QL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wpdfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | MT29F4G16ABAEAH4：e | - | | 9942 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT41J512M8THU-15E：a | - | | 9862 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 82-FBGA | MT41J512M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.5 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
 | M29W640FT70N6E | - | | 9882 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| mtfc128gaoanam-wt es | - | | 4761 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | MTFC128 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||||
 | MT53E256M32D1KS-046 AUT：L TR | 14.5800 | | 6828 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 200-VFBGA | 200-VFBGA （10x14.5 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E256M32D1KS-046AUT：LTR | 1 | |||||||||||||||||
 | MT29F1T08EEHAFJ4-3R：a | - | | 9800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | ||||
 | RC28F256J3D95A | - | | 4600 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 95ns | |||
| mtfc128gapalph-aat | 114.6700 | | 356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜105°C（Ta） | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC128GAPALPH-AAT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT29F128G08CFABAWP：b | - | | 9973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT40A4G4NRE-083E：B TR | - | | 7097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （8x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 4g x 4 | 平行 | - | |||
| MT46H32M32LFCG-5それ：a | - | | 9409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 152-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 152-VFBGA（14x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F2T08ELLEEG7-QD：E TR | 52.9800 | | 1704 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F2T08ELLEEG7-QD：ETR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT57W1MH18BF-7.5 | 23.0000 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 500 PS | sram | 1m x 18 | HSTL | - | |||
| MT44K32M36RCT-125：TR | - | | 3218 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-lbga | MT44K32M36 | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA（13.5x13.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1.125Gbit | 12 ns | ドラム | 32m x 36 | 平行 | - | |||
| MT49H32M18CFM-25：B TR | - | | 2531 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H32M18 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
 | mtfc8glvea-1f wt tr | - | | 4410 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
| MT29F2G08ABBEAHC-IT：E TR | 4.2400 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT52L8DBQC-DC | - | | 8387 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | バルク | アクティブ | MT52L8 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| mt40a512m16ly-062e at：e tr | - | | 8981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | - | 96-FBGA （7.5x13.5） | - | 557-MT40A512M16LY-062EAT：ETR | 廃止 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.6 GHz | 不揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | - | - | |||||
 | MT40A512M16TD-062E AIT：R Tr | - | | 4133 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 96-TFBGA | 96-FBGA （7.5x13 | - | 影響を受けていない | 557-MT40A512M16TD-062EAIT：RTR | 1 | |||||||||||||||||
| MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 TR | - | | 5705 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mt29vzzz7 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
| MT53B768M32D4DT-062 AIT：B TR | - | | 7203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53B768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | |||
| MT29F1G08ABBFAH4-AAT：F | 2.9984 | | 3752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G08 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F1G08ABBFAH4-AAT：f | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 1gbit | 25 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | |||
 | MT29F256G08CECABH6-10：a | - | | 6230 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT29F256G08CECABH6-10：a | 廃止 | 1,000 | ||||||||||||||||||
 | MT58L256L32PS-7.5 | 8.9300 | | 9 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | MT58L256L32 | sram-同期 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 8mbit | 4 ns | sram | 256k x 32 | 平行 | - | ||
 | MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT | - | | 9581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29C1G56 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA （8x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit（nand | フラッシュ、ラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT29F4T08EULCEM4-QJ：C Tr | 121.0800 | | 8818 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EULCEM4-QJ：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | JS28F320J3F75A | - | | 8112 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F320J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 32mbit | 75 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 75ns | |||
 | MT41K64M16TW-107 AUT：J | 4.9009 | | 2414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,368 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
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