SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR -
RFQ
 ECAD 7975 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - MT29RZ4C8 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr2） フラッシュ、ラム 256M x 16 平行 -
EDF8132A3PB-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8132A3PB-GD-FD -
RFQ
 ECAD 9321 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント - EDF8132 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 216-WFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,680 800 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PU-107 WT ES：b -
RFQ
 ECAD 5864 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,008 933 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT29F256G08CEEABH6-12IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CEEABH6-12IT：TR -
RFQ
 ECAD 1802 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 152-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.5V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 1749 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25TL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F16G08AJADAWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F16G08AJADAWP：D Tr -
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53B1G32D4NQ-062 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 7602 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53B1G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 2,000 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
M39L0R8090U3ZE6F TR Micron Technology Inc. M39L0R8090U3ZE6F TR -
RFQ
 ECAD 4213 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 133-VFBGA M39L0R8090 フラッシュ -モバイルLPDDRSDRAM 1.7V〜1.95V 133-VFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性、揮発性 256mbit 、512mbit 70 ns フラッシュ、ラム 16m x 16、32m x 16 平行 -
MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCBBH1-10：B TR -
RFQ
 ECAD 1687 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
M50FW080NB5TG TR Micron Technology Inc. M50FW080NB5TG TR -
RFQ
 ECAD 9626 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -20°C〜85°C（Ta） 表面マウント 32-TFSOP （0.488 "、幅 12.40mm） M50FW080 フラッシュ - 3V〜3.6V 32-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 33 MHz 不揮発性 8mbit 250 ns フラッシュ 1m x 8 平行 -
MT46V32M16P-5B:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B：C Tr -
RFQ
 ECAD 7362 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop - ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT46V16M16TG-75 IT:F Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-75 IT：F -
RFQ
 ECAD 6503 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 750 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
M29W400FT55N3E Micron Technology Inc. M29W400FT55N3E -
RFQ
 ECAD 1283 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MTFC32GAPALGT-AIT Micron Technology Inc. mtfc32gapalgt-ait -
RFQ
 ECAD 3412 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 前回購入します -40°C〜85°C（タタ mtfc32g フラッシュ -ナンド - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC32GAPALGT-AIT 8542.32.0071 1,520 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT53B4DAPV-DC TR Micron Technology Inc. mt53b4dapv-dc tr -
RFQ
 ECAD 8620 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - - mt53b4 SDRAM-モバイルLPDDR4 - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 揮発性 ドラム
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Micron Technology Inc. EDB1316BDBH-1DAUT-FD -
RFQ
 ECAD 3529 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 134-VFBGA EDB1316 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,100 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWP-12IT：b -
RFQ
 ECAD 9923 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT53E1536M64D8HJ-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 WT：c 67.8450
RFQ
 ECAD 5012 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 556-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 - 556-WFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT：c 1 2.133 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5mx 64 - -
MT28F800B3WP-9 T TR Micron Technology Inc. mt28f800b3wp-9 t tr -
RFQ
 ECAD 2896 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F800B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 90ns
MT25TU256HBA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TU256HBA8ESF-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 1938年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT53E128M32D2FW-046 AUT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AUT：A TR 8.7450
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E128M32D2FW-046AUT：ATR 2,000 2.133 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 平行 18ns
MT53D1G32D4NQ-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1G32D4NQ-062 WT ES：d -
RFQ
 ECAD 5694 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D1G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
PC28F512M29EWHG Micron Technology Inc. PC28F512M29EWHG -
RFQ
 ECAD 3297 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 184 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 100ns
MT45W1MW16BDGB-708 AT Micron Technology Inc. MT45W1MW16BDGB-708 at -
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 54-VFBGA MT45W1MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x8） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 16mbit 70 ns psram 1m x 16 平行 70ns
M29W640GL70ZA6E Micron Technology Inc. M29W640GL70ZA6E -
RFQ
 ECAD 7784 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT46V64M4FG-75:G Micron Technology Inc. MT46V64M4FG-75：g -
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA mt46v64m4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-fbga （8x14） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 750 PS ドラム 64m x 4 平行 15ns
MT44K64M18RB-107E:A TR Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-107E：TR 64.4550
RFQ
 ECAD 5837 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 1.125Gbit 8 ns ドラム 64m x 18 平行 -
N25Q128A13TSF40G Micron Technology Inc. N25Q128A13TSF40G -
RFQ
 ECAD 6519 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-AAT：f 5.3900
RFQ
 ECAD 564 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F4G08ABAFAWP-AAT：f 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT41K1G16DGA-125:A TR Micron Technology Inc. MT41K1G16DGA-125：TR -
RFQ
 ECAD 3590 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K1G16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9.5x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 16gbit 13.75 ns ドラム 1g x 16 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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