SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR 4.2442
RFQ
 ECAD 4077 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT25QU128ABB1ESE-0AUTTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 166 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 1.8ms
M58LT128KSB8ZA6E Micron Technology Inc. M58LT128KSB8ZA6E -
RFQ
 ECAD 8359 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
MT48LC8M16A2F4-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2FF4-75：G TR -
RFQ
 ECAD 2016年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT29F2T08EELCHD4-QC:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHD4-QC：c 41.9550
RFQ
 ECAD 2267 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F2T08EELCHD4-QC：c 1
M36L0R7050T4ZSPE Micron Technology Inc. M36L0R7050T4ZSPE -
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 M36L0R7050 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,560
MT29F8T08EWLKEM5-ITF:K TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLKEM5-ITF：K Tr 257.4000
RFQ
 ECAD 4452 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F8T08EWLKEM5-ITF：KTR 2,000
MT41K256M16HA-125:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125：E Tr -
RFQ
 ECAD 7256 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT29F16G08ABABAWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F16G08888ABABAWP：B TR -
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208EGHBBG1-3RES：B TR -
RFQ
 ECAD 9922 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 272-VFBGA MT29F1T208 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 272-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 1.125tbit フラッシュ 144g x 8 平行 -
MT40A2G8NEA-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A2G8NEA-062E：R Tr 21.7650
RFQ
 ECAD 4628 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A2G8NEA-062E：RTR 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 13.75 ns ドラム 2g x 8 平行 15ns
MT44K32M18RB-107:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107：TR -
RFQ
 ECAD 9681 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M18 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0024 1,000 933 MHz 揮発性 576mbit 10 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT48LC8M32B2P-7 IT TR Micron Technology Inc. mt48lc8m32b2p-7 it tr -
RFQ
 ECAD 1046 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 143 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 8m x 32 平行 14ns
M29W800DT70N1 Micron Technology Inc. M29W800DT70N1 -
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
M29DW323DB70N3E Micron Technology Inc. M29DW323DB70N3E -
RFQ
 ECAD 4759 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29DW323 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
MT40A1G16KH-062E AUT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G16KH-062E AUT：E TR 24.0300
RFQ
 ECAD 8754 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x13） ダウンロード 557-MT40A1G16KH-062EAUT：ETR 3,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 ポッド 15ns
MT47H256M4CF-3 IT:H Micron Technology Inc. MT47H256M4CF-3 IT：h -
RFQ
 ECAD 1788 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H256M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 256m x 4 平行 15ns
M25P20-VMN6PBA Micron Technology Inc. M25P20-VMN6PBA -
RFQ
 ECAD 7898 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P20 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,000 75 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 15ms、5ms
MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR -
RFQ
 ECAD 4252 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-VFBGA MT29C4G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA（13x10.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 512m x 8 平行 -
MT53B256M16D1Z00MWC1S Micron Technology Inc. MT53B256M16D1Z00MWC1S 10.4800
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT53B256M16D1Z00MWC1S 1
MT62F1G64D4EK-026 WT:C Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-026 WT：c 68.0400
RFQ
 ECAD 1652 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F1G64D4EK-026WT：c 1
MT29C1G12MAAJVAKC-5 IT TR Micron Technology Inc. mt29c1g12maajvakc-5 it tr -
RFQ
 ECAD 6070 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 MT29C1G12M - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBSX-37B：g -
RFQ
 ECAD 5742 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 267 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT62F512M128D8TE-031 XT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M128D8TE-031 XT：B TR 68.0400
RFQ
 ECAD 3667 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT62F512M128D8TE-031XT：BTR 2,000
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29E128G08CECABJ1-10Z：a -
RFQ
 ECAD 7535 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29E128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT58L32L32FT-10 Micron Technology Inc. MT58L32L32FT-10 6.4500
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L32L32 sram-同期 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 1 66 MHz 揮発性 1mbit 10 ns sram 32K x 32 平行 -
MT41K2G4RKB-107:N TR Micron Technology Inc. MT41K2G4RKB-107：N TR -
RFQ
 ECAD 4898 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K2G4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 2g x 4 平行 -
MT29F32G08CBACAL73A3WC1PV Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAL73A3WC1PV -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MTFC128GBCAVTC-AAT ES Micron Technology Inc. mtfc128gbcavtc-aat es 60.4800
RFQ
 ECAD 1573 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC128GBCAVTC-AATES 1
M25PX80-VMP6TGY0 TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TGY0 TR -
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PX80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VFQFPN （6x5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 4,000 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
NAND512W3A2DZA6E Micron Technology Inc. NAND512W3A2DZA6E -
RFQ
 ECAD 2127 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA NAND512 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND512W3A2DZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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