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ICS ）（10403）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E512M32D2NP-046 WT：E TR | - |  | 6816 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||||||
 | N25Q064A13E5340F TR | - | | 8742 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-xfbga | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-XFSCSP（2.93x3.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| mtfc16gjdec-h1 wt | - | | 6348 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | mtfc16g | フラッシュ -ナンド | 1.65v〜3.6V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||||||
 | MT25TL256BBA8ESF-0AAT | 12.1200 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25TL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| M29W256GL7AZA6E | - | | 8919 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
| EDFA164A2MA-GD-FD | - | | 4585 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDFA164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,980 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | ||||
| MT52L256M64D2PD-107 WT ES：B TR | - | | 5348 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 216-WFBGA | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 216-FBGA （15x15） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | ||||
| MT47H512M8WTR-25E：C Tr | - | | 8640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 63-TFBGA | MT47H512M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 63-FBGA （9x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | 400 PS | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| M29F400FT5AM62 | - | | 7474 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 240 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
| MT46H32M32LFB5-48 IT：B TR | - | | 7936 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 208 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 14.4ns | |||
 | RC48F4400P0VB0E4 | - | | 8802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | RC48F4400 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 52 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 100ns | ||
| M50FLW080AK5G | - | | 6957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -20°C〜85°C（Ta） | 表面マウント | 32-lcc | M50FLW080 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 32-PLCC（11.35x13.89） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 33 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 250 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | - | ||
| MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7 | - | | 4759 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | mt29vzzz7 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||||
 | MT40A256M16GE-062E：b | - | | 1604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT29F1T08CUCBBH8-6R：b | - | | 9836 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-lbga | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT53E1G32D4NQ-046 WT：E TR | - | | 6086 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53E1G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||||||||
| mt53e4dcdt-dc | 22.5000 | | 8023 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | mt53e4 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E4DCDT-DC | 1,360 | |||||||||||||||||||
 | MT58L128L36P1T-7.5IT | 2.7800 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 4mbit | 4 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
| MT61M512M32KPA-14 N：c | 42.1050 | | 8256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT61M512M32KPA-14N：c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT61K256M32JE-14：a | - | | 2113 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 180-tfbga | MT61K256 | sgram -gddr6 | 1.31V〜1.39V | 180-FBGA（12x14） | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.75 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||||
 | MT29F32G088888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888」 | - | | 2684 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||
| EMF8132A3PF-DV-FD | - | | 9861 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | EMF8132 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,680 | |||||||||||||||||
 | MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT | - | | 7994 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA （8x9） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit（nand | フラッシュ、ラム | 128m x 8 | 平行 | - | |||
| MT53D512M64D8HR-053 WT ES：B TR | - | | 4285 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA（12x12.7） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
 | MT29F4G08ABBDAH4：d | 4.0428 | | 2512 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT53B128M32D1NP-062 AIT：A TR | - | | 7645 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | |||
| M58LT128KST8ZA6E | - | | 2815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | |||
| MT29F1T08EBLCEJ4-ES：c | - | | 6774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES：c | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F1G16ABBDAHC：D Tr | - | | 8439 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | |||||
 | MT58L64L18CT-10 | 7.0500 | | 22 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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