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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
N25Q064A13ESFH0E Micron Technology Inc. N25Q064A13ESFH0E -
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 240 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCDBJ5-6R：D TR -
RFQ
 ECAD 2991 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT53D256M64D4KA-046 XT:B Micron Technology Inc. MT53D256M64D4KA-046 XT：b -
RFQ
 ECAD 4706 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53D256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT29F8G08ABACAH4-S:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G080808ABACAH4-S：C TR -
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
PC28F256P30B85F Micron Technology Inc. PC28F256P30B85F -
RFQ
 ECAD 8229 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 52 MHz 不揮発性 256mbit 85 ns フラッシュ 16m x 16 平行 85ns
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR Micron Technology Inc. mt29f4g01abafdwb-it：f tr -
RFQ
 ECAD 1109 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-updfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
MT46V16M16BG-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16BG-5B：F Tr -
RFQ
 ECAD 5511 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-fbga （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-AATX：e 3.7300
RFQ
 ECAD 906 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
MTFC8GLVEA-1M WT TR Micron Technology Inc. mtfc8glvea-1m wt tr -
RFQ
 ECAD 3563 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D Micron Technology Inc. MT29E512G08CUCDBJ6-6：d -
RFQ
 ECAD 7314 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29E512G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 167 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT53E1536M64D8HJ-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 WT：B TR 69.2400
RFQ
 ECAD 6178 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 556-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 - 556-WFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5mx 64 - -
MT44K16M36RB-107E IT:B TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107E IT：B TR -
RFQ
 ECAD 1182 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 168-TBGA MT44K16M36 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000 933 MHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 16m x 36 平行 -
MT47H64M8B6-25:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-25：D TR -
RFQ
 ECAD 8921 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
EDFA232A2PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA232A2PF-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 4452 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント - EDFA232 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 168-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
MT29F128G08CBCCBH6-6R:C Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCCBH6-6R：c -
RFQ
 ECAD 2322 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT53D512M64D4HR-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4HR-053 WT：d -
RFQ
 ECAD 1916年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 366-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA（12x12.7） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
PF58F0121M0Y0BEA Micron Technology Inc. PF58F0121M0Y0BEA -
RFQ
 ECAD 5483 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 PF58F0121M0 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 290
MT47H128M8CF-3:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3：H TR -
RFQ
 ECAD 9737 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12ITZ：c -
RFQ
 ECAD 8779 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT62F1G32D2DS-023 AAT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 AAT ES：b 31.9350
RFQ
 ECAD 9571 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D2DS-023AATE：b 1 4.266 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
MT53E1G32D2FW-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 WT：a 22.0050
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E1G32D2FW-046WT：a 1 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 18ns
MT47H64M16HR-25:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25：H TR -
RFQ
 ECAD 2591 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MTFC64GAZAQHD-IT TR Micron Technology Inc. mtfc64gazaqhd-it tr 29.3250
RFQ
 ECAD 4075 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc64 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC64GAZAQHD-ITTR 2,000 200 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC -
MT29F16G16ADBCAH4-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G16ADBCAH4-IT：C Tr -
RFQ
 ECAD 2141 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F16G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 1g x 16 平行 -
MTFC128GAJAEDN-IT TR Micron Technology Inc. mtfc128gajaedn-it tr 114.0000
RFQ
 ECAD 2608 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-lfbga MTFC128 フラッシュ -ナンド - 169-lfbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12ITZ：C TR -
RFQ
 ECAD 1782 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT46V32M8P-6T:GTR Micron Technology Inc. MT46V32M8P-6T：GTR -
RFQ
 ECAD 7161 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT29F128G08AMCABH2-10IT:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABH2-10IT：a -
RFQ
 ECAD 9330 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-tbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29F128G08AMCABH2-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABH2-10Z：a -
RFQ
 ECAD 1542 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-TBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-tbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT28EW512ABA1HPC-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1HPC-0SIT TR 9.3300
RFQ
 ECAD 4363 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 512mbit 95 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 60ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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