SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MTFC32GAPALHT-AAT Micron Technology Inc. mtfc32gapalht-aat -
RFQ
 ECAD 5316 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 前回購入します -40°C〜105°C（Ta） mtfc32g フラッシュ -ナンド - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC32GAPALHT-AAT 8542.32.0071 980 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT53B256M64D2TP-062 L XT:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2TP-062 L XT：C -
RFQ
 ECAD 4087 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,120 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB5432BEBH-1DAAT-FR TR -
RFQ
 ECAD 3839 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 134-VFBGA EDB5432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 533 MHz 揮発性 512mbit ドラム 16m x 32 平行 -
MT48H16M16LFBF-75 AT:G TR Micron Technology Inc. MT48H16M16LFBF-75 AT：G TR -
RFQ
 ECAD 7852 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48H16M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-5 IT：C Tr 5.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H32M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT47H32M16HR-25E AIT:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E AIT：G TR -
RFQ
 ECAD 9621 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT41K128M16JT-125 AUT:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 AUT：K Tr 5.9700
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G16666ABBEAHC-IT：E TR -
RFQ
 ECAD 6751 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D768M64D8NZ-046 WT：e 179.4900
RFQ
 ECAD 8185 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G01ABBFDWB-IT：F Tr 3.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn MT29F1G01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 8-updfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 1g x 1 spi -
MT25TL512BAA1ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL512BAA1ESF-0AAT -
RFQ
 ECAD 9864 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25TL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 18.3750
RFQ
 ECAD 8592 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 149-VFBGA フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 1.06V〜1.17V 149-VFBGA （8x9.5） - 557-MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 1 不揮発性、揮発性 8gbit 25 ns フラッシュ、ラム 1g x 8 onfi 30ns
MT29F4T08GMLCEJ4:C Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLCEJ4：c 78.1500
RFQ
 ECAD 4679 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F4T08GMLCEJ4：c 1
MT46V64M8BN-75:D Micron Technology Inc. mt46v64m8bn-75：d -
RFQ
 ECAD 5363 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y Micron Technology Inc. MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y -
RFQ
 ECAD 2589 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 mt29vzzz7 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,520
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMCBBJ4-37：b -
RFQ
 ECAD 9498 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1HT08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 1.5tbit フラッシュ 192g x 8 平行 -
MT53D2G32D8QD-053 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D2G32D8QD-053 WT ES：e -
RFQ
 ECAD 5666 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D2G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
N25Q032A13ESEA0F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13ESEA0F TR -
RFQ
 ECAD 7534 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 8ms、5ms
M25PX16-VMW6G Micron Technology Inc. M25PX16-VMW6G -
RFQ
 ECAD 9803 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） M25PX16 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,800 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
MT53D1024M64D8NW-046 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8NW-046 WT ES：D -
RFQ
 ECAD 7492 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 432-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 432-VFBGA - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT29F2T08EMLEEJ4-QC:E TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QC：E TR 52.9800
RFQ
 ECAD 6135 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QC：ETR 2,000
MT52L256M64D2QB-125 XT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QB-125 XT：B TR -
RFQ
 ECAD 5570 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT52L256M64D2QB-125XT：BTR 廃止 0000.00.0000 2,000 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT29F4G08AACWC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08AACWC：C Tr -
RFQ
 ECAD 5966 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
N25Q064A13ESFH0E Micron Technology Inc. N25Q064A13ESFH0E -
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 240 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCDBJ5-6R：D TR -
RFQ
 ECAD 2991 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT53D256M64D4KA-046 XT:B Micron Technology Inc. MT53D256M64D4KA-046 XT：b -
RFQ
 ECAD 4706 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53D256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT29F8G08ABACAH4-S:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G080808ABACAH4-S：C TR -
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
PC28F256P30B85F Micron Technology Inc. PC28F256P30B85F -
RFQ
 ECAD 8229 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 52 MHz 不揮発性 256mbit 85 ns フラッシュ 16m x 16 平行 85ns
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR Micron Technology Inc. mt29f4g01abafdwb-it：f tr -
RFQ
 ECAD 1109 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-updfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
MT46V16M16BG-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16BG-5B：F Tr -
RFQ
 ECAD 5511 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-fbga （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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