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ICS ）（10403）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A2G8NEA-062E：R Tr | 21.7650 |  | 4628 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT40A2G8NEA-062E：RTR | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 13.75 ns | ドラム | 2g x 8 | 平行 | 15ns | |||
 | MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR | - | | 4252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 137-VFBGA | MT29C4G48 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 137-VFBGA（13x10.5） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 208 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 512m x 8 | 平行 | - | |||
| MT62F1G64D4EK-026 WT：c | 68.0400 | | 1652 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT62F1G64D4EK-026WT：c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT47H256M4CF-3 IT：h | - | | 1788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H256M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 256m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| MT40A1G16KH-062E AUT：E TR | 24.0300 | | 8754 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （9x13） | ダウンロード | 557-MT40A1G16KH-062EAUT：ETR | 3,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 16 | ポッド | 15ns | |||||||
 | M25P20-VMN6PBA | - | | 7898 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | M25P20 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
| MT62F512M128D8TE-031 XT：B TR | 68.0400 | | 3667 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT62F512M128D8TE-031XT：BTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | M25PX80-VMP6TGY0 TR | - | | 5101 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25PX80 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-VFQFPN （6x5） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 4,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
| mtfc128gbcavtc-aat es | 60.4800 | | 1573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTFC128GBCAVTC-AATES | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT58L32L32FT-10 | 6.4500 | | 49 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | MT58L32L32 | sram-同期 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 32K x 32 | 平行 | - | ||
| MT41K2G4RKB-107：N TR | - | | 4898 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K2G4 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 2g x 4 | 平行 | - | ||
| MT40A1G16RC-062E：b | - | | 8406 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 15ns | |||
 | NAND512W3A2DZA6E | - | | 2127 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-TFBGA | NAND512 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -NAND512W3A2DZA6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 512mbit | 50 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 50ns | ||
| M29DW256G7ANF6E | - | | 9211 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29DW256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT29F128G08EBCDBJ4-5M：D TR | - | | 9684 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||
| MT29F4T08EULCEM4-QJ：C Tr | 121.0800 | | 8818 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EULCEM4-QJ：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| mtfc256gavattc-ait tr | 82.2150 | | 2803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC256GAVATTC-AITTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT40A2G8NEA-062E：J TR | - | | 1208 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT40A2G8NEA-062E：JTR | 廃止 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 8 | 平行 | 15ns | |||
| 1787 tr | 59.8650 | | 8903 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-1787TR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT53B384M64D4NK-053 WT：b | - | | 5939 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA （15x15） | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | |||||
| MT66R7072A10AB5ZEW.ZCA | - | | 5424 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 121-WFBGA | MT66R7072 | PCM -LPDDR2、MCP -LPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 121-VFBGA （11x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 1GBIT （PCM | ラム | 128m x 8（PCM | 平行 | - | ||||
| MT53D1024M32D4BD-046 WT：D TR | - | | 9130 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53D1024M32D4BD-046WT：DTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | ||||
| MT53D1536M64D8EG-046 WT：a | - | | 6779 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT53D1536M64D8EG-046WT：a | 廃止 | 1,360 | ||||||||||||||||||
 | MT53E128M16D1DS-046 WT：a | - | | 3795 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E128M16D1DS-046WT：a | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | - | - | ||||||
| MT42L16M32D1HE-18 AUT：E TR | 7.6800 | | 6201 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT42L16M32D1HE-18AUT：ETR | 2,500 | |||||||||||||||||||||
| MT29F4T08EQLCEG8-R：c | 121.0800 | | 6867 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EQLCEG8-R：c | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F4G32D8DV-023 IT：B TR | 99.5250 | | 6240 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023IT：BTR | 2,000 | 4.266 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 4g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| M58LT256KSB8ZA6E | - | | 9302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 85 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 85ns | |||
| mt53e4dadt-dc tr | 22.5000 | | 4253 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt53e4 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 557-MT53E4DADT-DCTR | 2,000 | ||||||||||||||||||
| MT62F1G32D2DS-023 IT：C Tr | 25.1400 | | 2118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT62F1G32D2DS-023IT：CTR | 2,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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