SIC
close

ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT25QU256ABA8E55-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E55-0SIT TR 6.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 23-XFBGA 、WLBGA MT25QU256 フラッシュ - 1.7V〜2V 23-xfwlbga ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08 CUREDBJ4-12IT：D TR -
RFQ
 ECAD 3137 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 83 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKEABH7-12IT：TR -
RFQ
 ECAD 9080 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 152-TBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 152-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 83 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR -
RFQ
 ECAD 8496 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-TFBGA MT29C4G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA（10.5x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 512M x 8 平行 -
MT41K64M16TW-107:J TR Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107：J TR 5.0100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
MTFC16GAKAEEF-AIT Micron Technology Inc. mtfc16gakaeef-ait -
RFQ
 ECAD 5962 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-TFBGA MTFC16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.9V 169-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT46H32M32LFT68MWC2 Micron Technology Inc. MT46H32M32LFT68MWC2 -
RFQ
 ECAD 7901 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - MT46H32M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V - 廃止 0000.00.0000 1 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53B1024M32D4NQ-053 WT：c -
RFQ
 ECAD 6005 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53B1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT47H256M8THN-3 IT:H Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-3 IT：h -
RFQ
 ECAD 1591 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 63-TFBGA MT47H256M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 63-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
MT29F2G16ABBGAH4-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBGAH4-AAT：G TR 2.7665
RFQ
 ECAD 9629 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G16 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2G16ABBGAH4-AAT：GTR 2,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
M45PE20-VMN6P Micron Technology Inc. M45PE20-VMN6P -
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M45PE20 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M45PE20-VMN6P ear99 8542.32.0071 100 75 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 15ms、3ms
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-75 IT：A TR -
RFQ
 ECAD 1784 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H8M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
NAND02GAH0LZC5E Micron Technology Inc. NAND02GAH0LZC5E -
RFQ
 ECAD 8884 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-LFBGA NAND02G フラッシュ -ナンド 3.135V〜3.465V 153-lfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -nand02gah0lzc5e 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 MMC -
MT28F004B5VP-8 T Micron Technology Inc. MT28F004B5VP-8T -
RFQ
 ECAD 3245 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F004B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 40-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512k x 8 平行 80ns
MT29F8T08GULCEM4-QB:C Micron Technology Inc. MT29F8T08GULCEM4-QB：c 156.3000
RFQ
 ECAD 4479 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F8T08GULCEM4-QB：c 1
MT29F16G08AFABAWP:B Micron Technology Inc. MT29F16G0888888888888888：b -
RFQ
 ECAD 5812 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT28F004B5VG-8 B Micron Technology Inc. MT28F004B5VG-8 b -
RFQ
 ECAD 6146 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F004B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512k x 8 平行 80ns
MT38Q50DEB10DBDXAU.Y74 TR Micron Technology Inc. mt38q50deb10dbdxau.y74 tr 21.4200
RFQ
 ECAD 6157 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ mt38q50 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない mt38q50deb10dbdxau.y74tr 0000.00.0000 2,000
MT47H64M16NF-25E IT:M TR Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E IT：M TR 3.7664
RFQ
 ECAD 1126 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT47H64M16NF-25EIT：MTR ear99 8542.32.0032 2,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
M29W640GH7ANB6E Micron Technology Inc. M29W640GH7ANB6E -
RFQ
 ECAD 7441 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT41K512M16HA-125 IT:A Micron Technology Inc. MT41K512M16HA-125 IT：a -
RFQ
 ECAD 1377 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 800 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 512m x 16 平行 -
MT53E128M32D2DS-053 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 AAT：a 12.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
EDF8132A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8132A3PB-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 9538 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント - EDF8132 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 216-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 933 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
MT58V512V36DF-7.5 Micron Technology Inc. MT58V512V36DF-7.5 18.7900
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-標準 2.375V〜2.625V 165-FBGA ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 18mbit 4.2 ns sram 512K x 36 平行 -
MT29F32G08CBADAL83A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADAL83A3WC1 -
RFQ
 ECAD 8866 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT53E512M16D1FW-046 AIT:D Micron Technology Inc. MT53E512M16D1FW-046AIT：d 9.3750
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E512M16D1FW-046AIT：d 1 2.133 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 512m x 16 平行 18ns
MT58L512V18PT-6 Micron Technology Inc. MT58L512V18PT-6 8.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 8mbit 3.5 ns sram 512K x 18 平行 -
M29F400FT55M3F2 TR Micron Technology Inc. M29F400FT55M3F2 TR -
RFQ
 ECAD 4962 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR 8.4750
RFQ
 ECAD 6072 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28EW512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 512mbit 95 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 60ns
MT57V1MH18EF-6 Micron Technology Inc. MT57V1MH18EF-6 23.0000
RFQ
 ECAD 448 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-同期 2.4V〜2.6V 165-FBGA ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 揮発性 18mbit 3 ns sram 1m x 18 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます