SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT47H16M16BG-5E:B Micron Technology Inc. MT47H16M16BG-5E：b -
RFQ
 ECAD 8465 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-FBGA MT47H16M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 600 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT53B256M32D1NP-062 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 AUT：C TR -
RFQ
 ECAD 9407 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT53B256M32D1NP-062AUT：CTR 廃止 1,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT29F8G01ADBFD12-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F8G01ADBFD12-AATE：f -
RFQ
 ECAD 7195 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント MT29F8G01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 不揮発性 8gbit フラッシュ 8g x 1 spi -
MT29F32G08CBACAWP-ITZ:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAWP-ITZ：C Tr -
RFQ
 ECAD 2000 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT29F2T08CVCBBG6-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F2T08CVCBBG6-6R：B TR -
RFQ
 ECAD 6372 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 272-LFBGA MT29F2T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 272-lfbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 167 MHz 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAH4-IT：d -
RFQ
 ECAD 1736 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
NAND02GW3B2DN6E Micron Technology Inc. NAND02GW3B2DN6E -
RFQ
 ECAD 8875 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND02G フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND02GW3B2DN6E 3A991B1A 8542.32.0051 576 不揮発性 2Gbit 25 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
MT48H16M32L2F5-10 TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2FFF5-10 TR -
RFQ
 ECAD 1968年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 100 MHz 揮発性 512mbit 7.5 ns ドラム 16m x 32 平行 -
MT41J512M8THD-187E:D Micron Technology Inc. MT41J512M8THD-187E：d -
RFQ
 ECAD 1830 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41J512M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 4gbit 13.125 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT40A1G8AG-062E AIT:R TR Micron Technology Inc. MT40A1G8AG-062EAIT：R Tr -
RFQ
 ECAD 7899 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 影響を受けていない 557-MT40A1G8AG-062EAIT：RTR 1
MTFC64GJDDN-3M WT TR Micron Technology Inc. mtfc64gjddn-3m wt tr -
RFQ
 ECAD 1330 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-lfbga mtfc64 フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-lfbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 MMC -
MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PH-107 WT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 8979 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT53B256M64D2TG-062 XT:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2TG-062 XT：c -
RFQ
 ECAD 9197 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 960 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT29F16G08ABACAWP-Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-Z：C TR -
RFQ
 ECAD 2293 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Micron Technology Inc. MT29E4T08EYHBBG9-3ES：b -
RFQ
 ECAD 2954 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29E4T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 980 333 MHz 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 平行 -
MT53E128M32D2DS-053 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 WT：TR 6.5700
RFQ
 ECAD 6912 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E128M32D2DS-053WT：ATR ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 WT：E TR 23.6850
RFQ
 ECAD 3060 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53E768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E768M32D4DT-053WT：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT29F8T08GULBEM4:B TR Micron Technology Inc. MT29F8T08GULBEM4：B TR -
RFQ
 ECAD 5305 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - - MT29F8T08 - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F8T08GULBEM4：BTR 廃止 2,000
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR Micron Technology Inc. MT29E768G08EEHBBJ4-3：B TR -
RFQ
 ECAD 6002 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29E768G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 768GBIT フラッシュ 96g x 8 平行 -
M29F200BB70N6 Micron Technology Inc. M29F200BB70N6 -
RFQ
 ECAD 4810 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F200 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 2mbit 70 ns フラッシュ 256K x 8、128K x 16 平行 70ns
MT48LC4M16A2B4-7E:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2B4-7E：J TR -
RFQ
 ECAD 5244 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 14ns
M29W320EB70N6F TR Micron Technology Inc. M29W320EB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
N25Q256A13ESFH0F TR Micron Technology Inc. N25Q256A13ESFH0F TR -
RFQ
 ECAD 6594 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q256A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT53D1536M64D8EG-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53D1536M64D8EG-046 WT：A TR 55.8750
RFQ
 ECAD 7921 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT53D1536M64D8EG-046WT：ATR 2,000
EDB4432BBBJ-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB432BBBJ-1D-FD -
RFQ
 ECAD 5543 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 134-wfbga EDB4432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,100 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2GN-107 WT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 256-WFBGA MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V 256-FBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 933 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABH2-12ITZ：a -
RFQ
 ECAD 6198 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-TBGA（12x18） - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,120 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
M28W320HSB70ZA6E Micron Technology Inc. M28W320HSB70ZA6E -
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TFBGA M28W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TFBGA（10.5x6.39） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 816 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MT41K256M8HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41K256M8HX-187E：d -
RFQ
 ECAD 1566 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 2Gbit 13.125 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT46V64M8P-75Z:D Micron Technology Inc. mt46v64m8p-75z：d -
RFQ
 ECAD 9030 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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