SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
PC28F160C3BD70A Micron Technology Inc. PC28F160C3BD70A -
RFQ
 ECAD 2257 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F160 フラッシュ -ブートブロック 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 144 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 1m x 16 平行 70ns
MT40A4G4DVN-075H:E TR Micron Technology Inc. MT40A4G4DVN-075H：E TR -
RFQ
 ECAD 9664 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MT40A4G4DVN-075H：ETR 廃止 2,000 1.33 GHz 揮発性 16gbit 27 ns ドラム 4g x 4 平行 -
MT53D512M16D1DS-046 AAT:D Micron Technology Inc. MT53D512M16D1DS-046 AAT：d 13.1500
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53D512M16D1DS-046AAT：d ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 - -
JS28F320J3F75E Micron Technology Inc. JS28F320J3F75E -
RFQ
 ECAD 5830 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F320J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 32mbit 75 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 75ns
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 AIT：C TR -
RFQ
 ECAD 9645 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT29F2T08GELCEJ4-QB:C Micron Technology Inc. MT29F2T08GELCEJ4-QB：c 39.0600
RFQ
 ECAD 1867年 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F2T08GELCEJ4-QB：c 1
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-053 RS WT：H TR 8.4000
RFQ
 ECAD 5838 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT：HTR 2,000
MT25TU01GHBB8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TU01GHBB8E12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500
MT47H128M16PK-25E IT:C Micron Technology Inc. MT47H128M16PK-25E IT：c -
RFQ
 ECAD 1288 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H128M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （9x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
MT41J512M8THD-187E:D Micron Technology Inc. MT41J512M8THD-187E：d -
RFQ
 ECAD 1830 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41J512M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 4gbit 13.125 ns ドラム 512m x 8 平行 -
N25Q512A13GSFA0F TR Micron Technology Inc. N25Q512A13GSFA0F TR -
RFQ
 ECAD 8062 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q512A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 128m x 4 spi 8ms、5ms
MT53D256M64D4NY-046 XT:B Micron Technology Inc. MT53D256M64D4NY-046 XT：b -
RFQ
 ECAD 3850 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53D256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT60B2G8HB-52B IT:G TR Micron Technology Inc. MT60B2G8HB-52B IT：G TR 18.2400
RFQ
 ECAD 1278 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT60B2G8HB-52ビット：GTR 3,000
MT40A1G4HX-093E:A Micron Technology Inc. MT40A1G4HX-093E：a -
RFQ
 ECAD 9682 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 揮発性 4gbit ドラム 1g x 4 平行 -
NAND256W3A2BN6F TR Micron Technology Inc. NAND256W3A2BN6F TR -
RFQ
 ECAD 2930 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND256 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 256mbit 50 ns フラッシュ 32m x 8 平行 50ns
MT48H16M32L2F5-10 TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2FFF5-10 TR -
RFQ
 ECAD 1968年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 100 MHz 揮発性 512mbit 7.5 ns ドラム 16m x 32 平行 -
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAH4-IT：d -
RFQ
 ECAD 1736 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PH-107 WT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 8979 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHBFJ4-T：B TR -
RFQ
 ECAD 3359 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1T08 フラッシュ-Nand （TLC） 1.7V〜1.95V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F1T08EEHBFJ4-T：BTR 廃止 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT29F16G08ABACAWP-Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-Z：C TR -
RFQ
 ECAD 2293 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR Micron Technology Inc. mt29c1g12maadafamd-6 it tr -
RFQ
 ECAD 7859 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
MTFC64GJDDN-3M WT TR Micron Technology Inc. mtfc64gjddn-3m wt tr -
RFQ
 ECAD 1330 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-lfbga mtfc64 フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-lfbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 MMC -
NAND02GW3B2DN6E Micron Technology Inc. NAND02GW3B2DN6E -
RFQ
 ECAD 8875 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND02G フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND02GW3B2DN6E 3A991B1A 8542.32.0051 576 不揮発性 2Gbit 25 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Micron Technology Inc. MT29E4T08EYHBBG9-3ES：b -
RFQ
 ECAD 2954 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29E4T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 980 333 MHz 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 平行 -
MT29F256G08CECABH6-6:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CECABH6-6：TR -
RFQ
 ECAD 1857 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-053 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 5498 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 432-VFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 432-VFBGA - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
PC28F256P33BFF TR Micron Technology Inc. PC28F256P33BFF TR -
RFQ
 ECAD 8813 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 不揮発性 256mbit 85 ns フラッシュ 16m x 16 平行 85ns
MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8NW-053 WT ES：D -
RFQ
 ECAD 2239 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 432-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 432-VFBGA - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-R 8.1100
RFQ
 ECAD 1467 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-R 1
MT29KZZZ4D4AGFAK-5 W.6Z4 Micron Technology Inc. MT29KZZZ4D4AGFAK-5 W.6Z4 -
RFQ
 ECAD 2824 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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