SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCGBJ4-37R：g -
RFQ
 ECAD 7501 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
M29F800FT5AN6E2 Micron Technology Inc. M29F800FT5AN6E2 -
RFQ
 ECAD 4206 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
MT46V64M8BN-75 IT:D Micron Technology Inc. mt46v64m8bn-75 it：d -
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 AIT：B TR 14.7000
RFQ
 ECAD 8351 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E512M32D1ZW-046AIT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 512m x 32 平行 18ns
M25P05-AVMB6TP TR Micron Technology Inc. M25P05-AVMB6TP TR -
RFQ
 ECAD 3777 0.00000000 Micron Technology Inc. - カットテープ（CT） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド M25P05-A フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-ufdfpn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 50 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi 15ms、5ms
MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR Micron Technology Inc. mt29c8g96mazbadjv-5 wt tr -
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-VFBGA MT29C8G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 8gbit（nand フラッシュ、ラム 512M x 16 平行 -
MT48LC8M16LFF4-10 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-10 IT：G -
RFQ
 ECAD 1608 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48LC8M16 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 100 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT49H16M36SJ-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-18：B Tr 53.2200
RFQ
 ECAD 2627 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 533 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 16m x 36 平行 -
PC28F128P33B85D Micron Technology Inc. PC28F128P33B85D -
RFQ
 ECAD 3275 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F128 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
MT25TL512HAA1ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL512HAA1ESF-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 9631 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25TL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT49H8M36SJ-5:B Micron Technology Inc. MT49H8M36SJ-5：b -
RFQ
 ECAD 1310 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR Micron Technology Inc. MT29E2T08CUHBBM4-3：B TR -
RFQ
 ECAD 6737 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29E2T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
EDFA112A2PF-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA112A2PF-GD-FD -
RFQ
 ECAD 4861 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDFA112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,190 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 128m x 128 平行 -
MT53B512M64D4NW-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NW-062 WT：d -
RFQ
 ECAD 7440 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT29F4G08ABAEAH4-S:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4-S：e -
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
M25PE80-VMP6G Micron Technology Inc. M25PE80-VMP6G -
RFQ
 ECAD 8340 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PE80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VFQFPN （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 490 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、3ms
MT29F1T08CPCABH8-6:A Micron Technology Inc. MT29F1T08CPCABH8-6：a -
RFQ
 ECAD 6870 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B Micron Technology Inc. MT29F4T08CTHBBM5-3R：b -
RFQ
 ECAD 3227 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F4T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 平行 -
M29W160ET70ZA6E Micron Technology Inc. M29W160ET70ZA6E -
RFQ
 ECAD 1772 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 187 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBJ4-5M：g -
RFQ
 ECAD 5802 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 200 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-053 WT：e 49.0500
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 556-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 556-WFBGA（12.4x12.4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT29F64G08AMCBBH2-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AMCBBH2-12：B TR -
RFQ
 ECAD 2084 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-TBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
M36W0R6050T4ZAQF TR Micron Technology Inc. M36W0R6050T4ZAQF TR -
RFQ
 ECAD 2280 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 M36W0R6050 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500
MT58L64L18DT-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-7.5TR 7.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 500 133 MHz 揮発性 1mbit 4.2 ns sram 64k x 18 平行 -
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F384G08EBCBBJ4-37ES：B Tr -
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F384G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 384gbit フラッシュ 48g x 8 平行 -
EDFA164A2PK-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA164A2PK-GD-FD -
RFQ
 ECAD 3403 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント - EDFA164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 216-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,680 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT29F8G16ABACAWP-IT:C Micron Technology Inc. MT29F8G16ABACAWP-IT：c -
RFQ
 ECAD 6494 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 8gbit フラッシュ 512m x 16 平行 -
MT48V8M32LFF5-8 IT TR Micron Technology Inc. mt48v8m32lff5-8 it tr -
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA mt48v8m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA （8x13 - ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 125 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT29F128G08CECABH1-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CECABH1-10Z：TR -
RFQ
 ECAD 6156 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT41J256M8DA-125:K Micron Technology Inc. MT41J256M8DA-125：k -
RFQ
 ECAD 3654 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,440 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 256m x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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