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ICS ）（10403）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M25P05-AVMP6G | - |  | 8268 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25P05-A | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,940 | 50 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
 | MT29F2G01ABBGD12-AATE：g | 5.5736 | | 6737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | MT29F2G01 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 8542.32.0071 | 1,122 | 83 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | ||||
 | MT29E512G08CUCABJ3-10Z：TR | - | | 3090 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-lbga | MT29E512G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-lbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||
| MT29F8G01ADAFD12-AATES：F Tr | - | | 3299 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | - | MT29F8G01 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 8g x 1 | spi | - | ||||
| M50FW040NB5TG TR | - | | 5257 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -20°C〜85°C（Ta） | 表面マウント | 32-TFSOP （0.488 "、幅 12.40mm） | M50FW040 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 32-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 33 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 250 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | - | ||
 | MT29F1G08ABBEAHC-IT：E TR | - | | 7881 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
| mt53b4dcnk-dc tr | - | | 2188 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 366-WFBGA | mt53b4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 366-WFBGA （15x15） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | 揮発性 | ドラム | |||||||||||
 | PC28F256P33TFA | - | | 9473 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F256 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 95ns | ||
 | MT48LC8M16A2P-7E：g | - | | 5375 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT48LC8M16A2P7EG | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 14ns | |
| MT40A512M16Z01AWC1 | - | | 5489 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 表面マウント | 死ぬ | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | ウェーハ | - | 廃止 | 1 | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | ||||||||
| MT29F64G08ABEBBM84C3WC1 | - | | 4155 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||||||
| MT53B384M16D1Z0AQWC1 | - | | 8721 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 揮発性 | 6gbit | ドラム | 384m x 16 | - | - | ||||
 | MT49H8M36SJ-TI：b | - | | 1087 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H8M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,120 | 揮発性 | 288mbit | ドラム | 8m x 36 | 平行 | - | ||||
| MT29F256G08AMCBBK7-6：B TR | - | | 1721 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F256G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
 | mt48v8m32lff5-10 tr | - | | 3571 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | mt48v8m32 | SDRAM- lPSDR | 2.3V〜2.7V | 90-VFBGA （8x13 | - | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 256mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F4G08ABADAWP-ITX：D TR | 6.5300 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
| M50FLW040AK5TG TR | - | | 2326 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -20°C〜85°C（Ta） | 表面マウント | 32-lcc | M50FLW040 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 32-PLCC（11.35x13.89） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 750 | 33 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 250 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | - | ||
| mt53d8dbnz-dc | - | | 3026 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | 箱 | アクティブ | mt53d8 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,190 | |||||||||||||||||||
 | mtfc4gmvea-wt | - | | 9450 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | |||||
| EDB4432BBBJ-1DAUT-FD | - | | 4257 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 134-wfbga | EDB4432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-FBGA （10x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,100 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | |||
 | MT25QU256ABA8ESF-0AAT TR | - | | 8042 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25QU256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| N25Q064A13E14D0E | - | | 7211 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,122 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| MT29F1T08CQCBBG2-6R：B TR | - | | 7559 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 272-LFBGA | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 272-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53B768M64D8NK-053 WT：d | - | | 3498 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53B768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA （15x15） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | |||
| MT29TZZZ8D5JKETS-107 W.95Q TR | - | | 8207 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 168-VFBGA | mt29tzzz8 | フラッシュnand、dram -lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | 不揮発性、揮発性 | 64GBIT （NAND ）、8GBIT「LPDDR3） | フラッシュ、ラム | 68g x 8 | MMC 、LPDRAM | - | |||
 | MT29F64G08AMCBBH2-12IT：b | - | | 8818 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
| PF48F4000P0ZBQEF | - | | 8591 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 88-VFBGA 、CSPBGA | 48F4000P0 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 88-scsp（ 8x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,056 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 100ns | ||
| M29W400DB70ZE6F TR | - | | 6101 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,500 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 70ns | ||||
| mtfc16gapalgt-aat | 27.2300 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | sicで中止されました | -40°C〜105°C（Ta） | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC16GAPALGT-AAT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT29F64G08AEAAAC5-ITZ：a | - | | 2665 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 52-VLGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 52-VLGA（18x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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