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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT40A4G4DVN-068H:E TR Micron Technology Inc. MT40A4G4DVN-068H：E Tr -
RFQ
 ECAD 2043 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MT40A4G4DVN-068H：ETR 廃止 2,000 1.467 GHz 揮発性 16gbit 27 ns ドラム 4g x 4 平行 -
M58BW32FT4D150 Micron Technology Inc. M58BW32FT4D150 -
RFQ
 ECAD 6077 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - - - M58BW32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 32mbit 45 ns フラッシュ 4m x 8 平行 45ns
MT40A2G8SA-062E IT:F TR Micron Technology Inc. MT40A2G8SA-062E IT：F Tr 14.9550
RFQ
 ECAD 4562 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A2G8SA-062EIT：FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 2g x 8 平行 15ns
MT40A256M16GE-062E:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-062E：B TR -
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT40A256M16GE-062E：BTR 廃止 0000.00.0000 2,000 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
MT58L256L32FS-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L32FS-7.5 12.8400
RFQ
 ECAD 426 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz 揮発性 8mbit 7.5 ns sram 256k x 32 平行 -
MT53D512M64D4BP-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4BP-046 WT：e -
RFQ
 ECAD 9654 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
TE28F256P30T95A Micron Technology Inc. TE28F256P30T95A -
RFQ
 ECAD 6629 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） 28F256P30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 40 MHz 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 16m x 16 平行 95ns
MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M16VRN-107 AAT：P Tr 21.0750
RFQ
 ECAD 9846 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT41K512M16VRN-107AAT：PTR ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MT29F2T08EELCHD4-QA:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHD4-QA：c 41.9550
RFQ
 ECAD 3601 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F2T08EELCHD4-QA：c 1
MTFC128GAJAECE-IT Micron Technology Inc. mtfc128gajaece-it -
RFQ
 ECAD 1814年年 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-lfbga MTFC128 フラッシュ -ナンド - 169-lfbga - 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
M58BW32FB5T3F TR Micron Technology Inc. M58BW32FB5T3F TR -
RFQ
 ECAD 8525 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 80-BQFP M58BW32 フラッシュ - 2.5V〜3.3V 80-PQFP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 500 不揮発性 32mbit 55 ns フラッシュ 1M x 32 平行 55ns
MT53D384M64D4KA-046 XT:E Micron Technology Inc. MT53D384M64D4KA-046 XT：e 36.7950
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜105°C（TC） - - MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,140 2.133 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MTFC32GAKAEJP-4M IT Micron Technology Inc. mtfc32gakaejp-4m it -
RFQ
 ECAD 1627 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド - 153-VFBGA （11.5x13 - 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT53D2048M32D8QD-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-053 WT ES：D -
RFQ
 ECAD 8437 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53D2048 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
M29W160ET70N6E Micron Technology Inc. M29W160ET70N6E -
RFQ
 ECAD 1831年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M29W160ET70N6E ear99 8542.32.0071 576 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
M29W640GT70ZS6E Micron Technology Inc. M29W640GT70ZS6E -
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 160 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT25QL512ABB8ESF-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESF-0SIT -
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
N25Q064A13ESEH0E Micron Technology Inc. N25Q064A13ESEH0E -
RFQ
 ECAD 2705 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO w - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT40A512M8HX-083E:A Micron Technology Inc. MT40A512M8HX-083E：a -
RFQ
 ECAD 2718 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
MTFC32GJWDQ-4M AIT Z Micron Technology Inc. MTFC32GJWDQ-4M AIT Z -
RFQ
 ECAD 9289 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 980 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT40A256M16LY-062E AAT:F TR Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062EAAT：F TR 16.3600
RFQ
 ECAD 478 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
MTFC64GAZAQHD-IT Micron Technology Inc. mtfc64gazaqhd-it 29.3250
RFQ
 ECAD 2142 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc64 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC64GAZAQHD-IT 1,520 200 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC -
MT29F1T08EELEEJ4-R:E Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEEJ4-R：e 21.4500
RFQ
 ECAD 1840 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ 0°C〜70°C 表面マウント 132-VBGA フラッシュ-Nand （TLC） 2.6V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 557-MT29F1T08EELEEJ4-R：e 1 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
PC28F256P33BFR Micron Technology Inc. PC28F256P33BFR -
RFQ
 ECAD 8441 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 16m x 16 平行 95ns
MTFC256GBAOANAM-WT ES TR Micron Technology Inc. mtfc256gbaoanam-wt es tr -
RFQ
 ECAD 9937 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - MTFC256 フラッシュ -ナンド - - - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 MMC -
MT58L512L18FF-10 Micron Technology Inc. MT58L512L18FF-10 16.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-標準 3.135V〜3.6V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 18 平行 -
MT25QL512ABB8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESF-0AAT 8.1150
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -791-MT25QL512ABB8ESF-0AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT42L128M32D1U80MWC2 Micron Technology Inc. MT42L128M32D1U80MWC2 -
RFQ
 ECAD 4915 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C（TC） - - MT42L128M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AITX：e 5.1300
RFQ
 ECAD 880 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT48LC8M16A2P-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A：g -
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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