SIC
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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MTFC64GAZAQHD-IT Micron Technology Inc. mtfc64gazaqhd-it 29.3250
RFQ
 ECAD 2142 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc64 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC64GAZAQHD-IT 1,520 200 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC -
MT29F1T08EELEEJ4-R:E Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEEJ4-R：e 21.4500
RFQ
 ECAD 1840 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ 0°C〜70°C 表面マウント 132-VBGA フラッシュ-Nand （TLC） 2.6V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 557-MT29F1T08EELEEJ4-R：e 1 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
PC28F256P33BFR Micron Technology Inc. PC28F256P33BFR -
RFQ
 ECAD 8441 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 16m x 16 平行 95ns
MTFC256GBAOANAM-WT ES TR Micron Technology Inc. mtfc256gbaoanam-wt es tr -
RFQ
 ECAD 9937 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - MTFC256 フラッシュ -ナンド - - - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 MMC -
MT58L512L18FF-10 Micron Technology Inc. MT58L512L18FF-10 16.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-標準 3.135V〜3.6V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 18 平行 -
MT25QL512ABB8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESF-0AAT 8.1150
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -791-MT25QL512ABB8ESF-0AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT42L128M32D1U80MWC2 Micron Technology Inc. MT42L128M32D1U80MWC2 -
RFQ
 ECAD 4915 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C（TC） - - MT42L128M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AITX：e 5.1300
RFQ
 ECAD 880 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT48LC8M16A2P-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A：g -
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
MT53E128M32D2DS-046 AUT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-046 AUT：a 12.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E128M32D2DS-046AUT：a ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
N25Q512A13GF840F TR Micron Technology Inc. N25Q512A13GF840F TR -
RFQ
 ECAD 4298 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q512A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 128m x 4 spi 8ms、5ms
MT46H16M16LFBF-6:H Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-6：h -
RFQ
 ECAD 5095 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-VFBGA MT46H16M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
MTFC64GAQAMEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc64gaqamea-wt tr -
RFQ
 ECAD 8668 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc64 フラッシュ -ナンド - 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
MTFC4GMXEA-WT Micron Technology Inc. mtfc4gmxea-wt -
RFQ
 ECAD 5384 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT47H1G4WTR-25E:C TR Micron Technology Inc. MT47H1G4WTR-25E：C Tr -
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 63-FBGA MT47H1G4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 63-FBGA （9x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 4gbit 400 PS ドラム 1g x 4 平行 15ns
MT53D512M32D2DS-046 IT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 IT：D TR -
RFQ
 ECAD 8916 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53D512M32D2DS-046IT：DTR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
M50FLW040AK5G Micron Technology Inc. M50FLW040AK5G -
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -20°C〜85°C（Ta） 表面マウント 32-lcc M50FLW040 フラッシュ - 3V〜3.6V 32-PLCC（11.35x13.89） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 33 MHz 不揮発性 4mbit 250 ns フラッシュ 512k x 8 平行 -
MT40A1G8WE-075E:D Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E：d -
RFQ
 ECAD 1954年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （8x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,140 1.33 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
N25Q128A13TF840E Micron Technology Inc. N25Q128A13TF840E -
RFQ
 ECAD 2648 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
M29W320DB80ZA3F TR Micron Technology Inc. M29W320DB80ZA3F TR -
RFQ
 ECAD 4938 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA M29W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 63-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 32mbit 80 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 80ns
MT28F800B3WG-9 T Micron Technology Inc. mt28f800b3wg-9 t -
RFQ
 ECAD 2046 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F800B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 90ns
MT46H16M32LFCX-6 IT:B Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCX-6 IT：b -
RFQ
 ECAD 6055 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
M25PX80-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMN6TPBA TR -
RFQ
 ECAD 5045 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25PX80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
M50FW040K5G Micron Technology Inc. M50FW040K5G -
RFQ
 ECAD 3337 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -20°C〜85°C（Ta） 表面マウント 32-lcc M50FW040 フラッシュ - 3V〜3.6V 32-PLCC（11.35x13.89） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 33 MHz 不揮発性 4mbit 250 ns フラッシュ 512k x 8 平行 -
MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR Micron Technology Inc. MT53D256M64D4KA-046 XT：B TR -
RFQ
 ECAD 1561 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53D256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT48LC4M16A2TG-7E IT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-7E IT：g -
RFQ
 ECAD 8819 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 14ns
MT29F128G08AKAAAC5:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AKAAAC5：a -
RFQ
 ECAD 2020 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-VLGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 52-VLGA（18x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 AIT：B TR -
RFQ
 ECAD 8690 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT28F008B3VG-9 TET TR Micron Technology Inc. MT28F008B3VG-9 TET TR -
RFQ
 ECAD 2922 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F008B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1m x 8 平行 90ns
MT48V4M32LFB5-8 XT:G Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-8 XT：g -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -20°C〜75°C（TA） 表面マウント 90-VFBGA mt48v4m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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