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ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT58L64L18DT-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-7.5TR 7.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 500 133 MHz 揮発性 1mbit 4.2 ns sram 64k x 18 平行 -
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F384G08EBCBBJ4-37ES：B Tr -
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F384G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 384gbit フラッシュ 48g x 8 平行 -
EDFA164A2PK-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA164A2PK-GD-FD -
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 ECAD 3403 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント - EDFA164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 216-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,680 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT29F8G16ABACAWP-IT:C Micron Technology Inc. MT29F8G16ABACAWP-IT：c -
RFQ
 ECAD 6494 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 8gbit フラッシュ 512m x 16 平行 -
MT48V8M32LFF5-8 IT TR Micron Technology Inc. mt48v8m32lff5-8 it tr -
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 ECAD 8310 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA mt48v8m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA （8x13 - ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 125 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT29F128G08CECABH1-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CECABH1-10Z：TR -
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 ECAD 6156 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT41J256M8DA-125:K Micron Technology Inc. MT41J256M8DA-125：k -
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 ECAD 3654 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,440 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT48LC8M8A2P-75 L:G Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-75 L：g -
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 ECAD 7952 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 8m x 8 平行 15ns
MT29F512G08CUCABH3-10R:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10R：TR -
RFQ
 ECAD 5312 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT41K512M8RH-125 M:E Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 M：e -
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 512m x 8 平行 -
NAND128W3A2BN6E Micron Technology Inc. NAND128W3A2BN6E -
RFQ
 ECAD 1253 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND128 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 128mbit 50 ns フラッシュ 16m x 8 平行 50ns
JS28F128J3F75H Micron Technology Inc. JS28F128J3F75H -
RFQ
 ECAD 4461 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F128J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 75ns
MT41K512M16VRN-107 AAT:P Micron Technology Inc. MT41K512M16VRN-107 AAT：p 21.0750
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT41K512M16VRN-107AAT：p ear99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF：B TR 8.1600
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 ECAD 9544 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF：BTR 2,000 333 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 - 確認されていません
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-AITX：e -
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
MT48H32M16LFCJ-75:A TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFCJ-75：TR -
RFQ
 ECAD 2499 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48H32M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 6 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MTFC16GAPALNA-AAT ES Micron Technology Inc. mtfc16gapalna-aat es -
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 ECAD 7919 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 MTFC16 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 980
MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1536M32D6BE-053 WT ES：D -
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53D1536 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 1.5GX 32 - -
MT40A4G8NEA-062E:F Micron Technology Inc. MT40A4G8NEA-062E：F 52.5000
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 ECAD 7506 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie™ トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A4G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A4G8NEA-062E：F 1,260 1.6 GHz 揮発性 32gbit 13.75 ns ドラム 4g x 8 平行 -
M29F400BB55M1 Micron Technology Inc. M29F400BB55M1 -
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 ECAD 5067 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 16 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
N25Q128A13ESE40G Micron Technology Inc. N25Q128A13ESE40G -
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 ECAD 3515 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない Q6985588 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
PC28F512M29EWL0 Micron Technology Inc. PC28F512M29EWL0 -
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 ECAD 1389 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 184 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 100ns
MT29F64G08CBCABH1-12Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-12Z：a -
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 ECAD 7881 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
M29W800FT70ZA3SF TR Micron Technology Inc. M29W800FT70ZA3SF TR -
RFQ
 ECAD 8321 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,500 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
M25P40-VMN3PB Micron Technology Inc. M25P40-VMN3PB -
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 ECAD 9599 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P40 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、5ms
MT40A1G8WE-075E AIT:B Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E AIT：b -
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 ECAD 4774 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （8x12） ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,140 1.33 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
MT25TL512HBA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TL512HBA8ESF-0SIT TR -
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 ECAD 4526 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25TL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT28F800B3SG-9 TET Micron Technology Inc. MT28F800B3SG-9テット -
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 ECAD 6772 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F800B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 90ns
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 AIT：B TR 14.0850
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 ECAD 4491 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E256M32D2DS-046AIT：BTR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT35XL256ABA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL256ABA1G12-0AAT -
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 ECAD 7946 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X バルク 前回購入します -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga MT35XL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 xccelaバス -
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    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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